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- [发明专利]一种监测沟道通孔的开封方法-CN202011296833.9有效
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周永平;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2020-11-18
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2023-08-01
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H01L21/66
- 本发明提供一种监测沟道通孔的开封方法，包括以下步骤：提供具有沟道通孔的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一多晶硅层、位于第一多晶硅层之上的第一介质叠层、位于第一介质叠层之上的第二多晶硅层以及位于第二多晶硅层之上的第二介质叠层，所述沟道通孔贯穿第二介质叠层、第二多晶硅层以及第一介质叠层，并凹入第一多晶硅层中；将所述堆叠结构置于单腔体清洗设备中；利用氢氟酸去除所述第二介质叠层和所述第一介质叠层；采用纳米喷雾去除所述第二多晶硅层。本发明监测沟道通孔的开封方法可避免上下两层多晶硅重叠，以及上层多晶硅在后续制程中发生剥离而造成机台污染等风险，可以实现在线监测，缩短检查周期，从而提高整个生产项目的进度。
- 一种监测沟道开封方法
- [发明专利]一种晶片刻蚀装置-CN202111627793.6在审
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张丝柳;顾立勋;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2019-08-27
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2022-04-26
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H01L21/67
- 本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧；第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁，以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽；第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接，第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接，使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动；第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口，第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。
- 一种晶片刻蚀装置
- [发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202210004023.4有效
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刘藩东;华文宇;崔胜奇;徐文祥;宋冬门
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芯盟科技有限公司
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2022-01-05
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2022-04-22
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H01L27/108
- 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括若干有源区、第一隔离区和第二隔离区；位于衬底内的若干第一凹槽，第一凹槽贯穿有源区、第一隔离区和第二隔离区；位于第一凹槽侧壁表面的第一字线栅结构、第二字线栅结构、第一连接栅和第二连接栅；位于第一凹槽内的介质层；分别位于第一隔离区上和第二隔离区上介质层内的第二凹槽和第三凹槽，第三凹槽沿第二方向上的中轴线与第二凹槽的中轴线不重合；位于第二凹槽内的第一隔离结构；位于第三凹槽内的第二隔离结构；位于第二连接栅上的第一连接板，第一连接板与第一字线栅结构电连接；位于第一连接栅上的第二连接板，第二连接板与第二字线栅结构电连接。所述半导体结构的性能得到提升。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]一种晶片刻蚀装置-CN201910797351.2有效
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张丝柳;顾立勋;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2019-08-27
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2022-02-08
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H01L21/67
- 本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧；第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁，以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽；第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接，第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接，使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动；第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口，第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。
- 一种晶片刻蚀装置
- [发明专利]晶圆清洗装置和晶圆清洗方法-CN202011208321.2有效
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任德营;徐融;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2020-11-03
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2022-01-11
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H01L21/02
- 本申请公开了一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，晶圆清洗装置包括内槽体；外槽体；循环管路，连通外槽体和内槽体；第一加液管路，包括进液口和出液口，反应液经由第一加液管路的出液口进入外槽体；第二加液管路，包括进液口和出液口，第二加液管路的出液口直接连接至内槽体，第一加液管路用于将第一反应液加入到外槽体，循环管路用于将外槽体的第一反应液加入内槽中；第二加液管路用于将第二反应液加入内槽体。该晶圆清洗装置在外槽体中加入第一反应液，经由循环管路到达内槽体，然后再在内槽体中补充第二反应液，内槽中反应生成清洗液，对晶圆进行清洗，使得清洗液在活性最高的时候与晶圆上的杂质反应，晶圆清洗效率高，杂质去除效果好。
- 清洗装置方法
- [发明专利]清洗方法-CN202010217513.3有效
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周永平;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2020-03-25
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2021-07-16
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H01L21/02
- 本申请公开了一种清洗方法，该清洗方法用于去除晶圆表面的部分介质层，清洗方法包括：对介质层的指定部分进行加热，以使指定部分的温度高于介质层中未被指定的部分的温度，指定部分覆盖晶圆的边缘区域；以及采用清洗剂对指定部分进行刻蚀，其中，清洗剂对介质层的刻蚀速率与介质层的温度正相关，以便于刻蚀停止在指定部分与未被指定的部分之间的分界面附近。该清洗方法不仅去除了位于晶圆边缘介质层的指定部分，而且保证了在去除指定部分时，不损伤介质层未被指定的部分。
- 清洗方法
- [发明专利]晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法-CN202011520240.6在审
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周永平;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2020-12-21
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2021-04-16
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H01L21/67
- 本发明提供一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法，晶边处理设备包括：基座、第一处理组件和第二处理组件，第一处理组件具有反应液喷口以向待处理晶圆结构提供反应液，第二处理组件位于第一处理组件下方，第一处理组件的下表面形成凹部，第二处理组件的上表面形成与凹部相配合的凸部，以使对待处理晶圆处理时反应液溅射朝向第二处理组件。本发明对处理设备进行了设计，在待处理晶圆基于反应液进行处理的工艺中，通过在第二处理组件上设置挡板实现反应液飞溅的遮挡，还可以通过第一处理组件有效防止设备沉积物对待处理晶圆的影响，可以延长工艺维护(PM)周期，减小工程师的过工作量，提高芯片质量。
- 处理设备结构方法
- [实用新型]晶圆刻蚀设备-CN202020960987.2有效
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周永平;宋冬门
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长江存储科技有限责任公司
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2020-05-29
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2021-02-19
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H01L21/67
- 本实用新型提供了一种晶圆刻蚀设备。该晶圆刻蚀设备包括基台、湿法刻蚀组件和热源，基台用于放置晶圆，湿法刻蚀组件用于向晶圆背面喷射腐蚀液以进行湿法刻蚀，热源用于在湿法刻蚀的过程中对晶圆正面进行加热。采用上述晶圆刻蚀设备对所述晶圆的背面进行湿法刻蚀的过程中，能够通过热源对所述晶圆的正面进行加热，提高了腐蚀液对晶圆表面的刻蚀速率，从而相对减少了湿法刻蚀的处理时间，使得腐蚀液在晶圆表面溅射的问题得到改善，同时上述加热处理使得腐蚀液对晶圆表面的刻蚀效率更为一致，从而使得刻蚀后晶圆背面的均匀性得到提高。
- 刻蚀设备
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