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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种3D封装硅抛光液-CN201110153092.3无效
发明人：徐春 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种3D封装硅抛光液，包括：研磨颗粒、碱性物质，抛光速率提升剂和载体水，所述速率提升剂为含有一个或多个α-氨基的含氮化合物，且所述3D封装硅抛光液不含氧化剂。本发明3D封装硅抛光液在抛光过程中具有超高的硅的去除速率，满足TSV高速抛光要求，以及工业生产对于3D封装硅抛光产率的需要。
一种封装抛光

[发明专利]一种清洗液的应用-CN201110152808.8无效
发明人：何华锋;王晨 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C11D7/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有碳硫双键的化合物和水的清洗液在清洗化学机械抛光液供料系统中的应用，其可有效加速金属污染物的溶解，解决了化学机械抛光液供料系统中金属污染物的残留问题，提高了化学机械抛光质量。
一种清洗应用

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200980135005.2有效
发明人：宋伟红;姚颖 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有二氧化硅溶胶颗粒、有机羧酸和/或有机膦酸类化合物、硝酸钾和水。本发明为满足用于抛光氧化物介电质的化学机械抛光液的要求，提供了一种氧化物介电质去除速率高的化学机械抛光液。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种等离子刻蚀残留物清洗液-CN200980121263.5有效
发明人：刘兵;彭洪修;于昊 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种用于除去等离子蚀刻残留物的清洗液，其含有溶剂、水、氟化物、螯合剂、羟基叔胺和羟基伯胺。该清洗液具有较强的清洗能力，能够有效清除金属和半导体上的等离子蚀刻残留物。该清洗液适用于较宽的温度范围，并具有较大的操作窗口。该清洗液保持较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率，并有效地降低了铜的腐蚀。
一种等离子刻蚀残留物清洗

[发明专利]一种化学机械抛光清洗液-CN200910052659.0在审
发明人：徐春 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光(CMP)清洗液，本发明的化学机械抛光(CMP)清洗液包括载体和化学添加剂，这种化学添加剂能够与抛光头、抛光垫或抛光材料的表面残留物发生氧化还原反应、溶解反应和络合反应中的一种或几种反应，从而生成可溶性化合物。本发明的化学机械抛光清洗液可以清洗抛光过程引起的晶圆抛光头和抛光垫污染，同时控制金属材料的局部和整体腐蚀，减少衬底表面污染物，提高良率。
一种化学机械抛光清洗

[发明专利]一种光刻胶的清洗剂组合物-CN200910052663.7有效
发明人：彭洪修 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶清洗剂组合物，包含季铵氢氧化物，芳基醇，二甲基亚砜，缓蚀剂和水，其中，所述的缓释剂包含选自于硼酸、硼酸盐和硼酸酯中的一种多种。这种光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质等基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
一种光刻洗剂组合

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910052662.2无效
发明人：荆建芬 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，其还含有至少一种带有环状结构的含氮化合物。本发明的抛光液中，研磨颗粒的粒径随时间延长的增长率低。本发明的化学机械抛光液具有较高的稳定性、较长的存储时间和使用寿命。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种金属化学机械抛光的浆料及其使用方法-CN200910052658.6无效
发明人：徐春 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金属化学机械抛光的浆料及其使用方法，所述浆料包括研磨颗粒、氧化剂，抛光稳定剂和载体。使用本发明的化学机械抛光浆料能够提高抛光液稳定性，减少对抛光垫、抛光机台的污染，同时控制金属材料的局部和整体腐蚀，减少衬底表面污染物，提高产品良率。
一种金属化学机械抛光浆料及其使用方法

[发明专利]一种用于硅抛光和清洗的溶液-CN200910052661.8无效
发明人：杨春晓;王晨;荆建芬;蔡鑫元 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种对硅进行化学机械抛光或表面清洗的溶液。该水溶液由水以及至少一种化合物组成。溶液中不含有研磨颗粒。溶液中的化合物可以为胍类或含有胍基的化合物，酰胺类或含有酰胺基的化合物，唑类或含有唑基的化合物，脲类或含有脲基的化合物，也可以是分子中同时含有胍官能团、唑官能团、脲官能团、以及酰胺官能团中的至少两种官能团的化合物或化合物的混合物。该溶液中还可以包括硅的抑制剂和/或金属离子络合剂化合物。采用该溶液对硅进行化学机械抛光或清洗，可以使得硅表面获得极低的表面粗糙度，极低的表面重金属离子含量，和极低的表面颗粒残留。
一种用于抛光清洗溶液

[发明专利]一种等离子刻蚀残留物清洗液-CN200810038695.7无效
发明人：刘兵;彭洪修;彭杏;于昊 -专利权人： 安集微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有溶剂、水、氟化物和螯合剂，其特征在于：其还含有羟基叔胺和羟基伯胺。本发明的等离子刻蚀残留物清洗液可以有效地清洗金属和半导体制造过程中产生的等离子刻蚀残留物，并且可以使金属晶圆在清洗时金属细线比较光滑；其可以在一个温度比较大的范围内发挥作用，同时还保持较小的金属和电介物质刻蚀率；其在保持了较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率的基础上，有效地降低了铜的腐蚀；其清洗能力强，且具有较大的操作窗口。
一种等离子刻蚀残留物清洗

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