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[发明专利]薄膜晶体管基板和显示装置-CN202111431829.3在审
发明人：崔新逸;赵炫珉;金湘甲;梁成勋;丁有光;安秉斗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置-CN201611186007.2有效
发明人：崔新逸;赵炫珉;金湘甲;梁成勋;丁有光;安秉斗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。
制造薄膜晶体管方法平板显示装置

[发明专利]一种以加压方式加工的手机金属盒及其制作方法-CN201610126750.2有效
发明人： 安秉斗 -专利权人：爱斯特技术开发有限公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明是关于手机的屏面和背光源变成金属盒的内容，更详细的说没有腐蚀性的碳素钢板或者无锈或者铝或其合金而形成的金属平板以通过压力加工使内壁一面或双面的边墙形成内空间。包括视窗的平面其为驱动把PCB板和电池加工成一体型，使工程时间缩短，增加强度热扩散最大化，位于全面的视窗和位于后面的电池套也要易安装不能有缝隙。
一种加压方式加工手机金属及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201410119693.6有效
发明人：金建熙;朴辰玹;李京垣;安秉斗;林志勋;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管-CN201310126339.1有效
发明人：林志勋;安秉斗;金建熙;朴埈贤;李制勋;朴在佑;金大奂;郑贤广;金在亨 -专利权人：三星显示有限公司;国民大学校算学协力团
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。
薄膜晶体管

[发明专利]用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物、薄膜晶体管以及显示装置-CN201480013007.5有效
发明人：小坂修司;林和志;安秉斗;金建熙;金连洪;朴辰玄 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物中，构成该氧化物的金属元素为In、Zn和Sn，在所述薄膜晶体管的半导体层上形成氧化物膜时的氧分压为15％(体积)或更大，所述氧化物的缺陷密度为7.5×1015cm‑3或更低，迁移率满足15cm2/Vs或更高。
用于薄膜晶体管半导体氧化物以及显示装置

[发明专利]氧化物半导体-CN201210359296.7有效
发明人： 安秉斗;李制勋;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;朴在佑;朴镇成;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭 -专利权人：三星显示有限公司;朴镇成;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。 1
氧化物半导体第一材料第二材料电负性减去自由

[发明专利]薄膜晶体管及显示装置-CN201380045020.4有效
发明人：三木绫;森田晋也;后藤裕史;田尾博昭;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;朴辰玄;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201510088765.X有效
发明人：后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]单面H型的手机金属外壳及其制造方法-CN201610762381.6在审
发明人： 安秉斗 -专利权人：爱斯特技术开发有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H05K5/04 文献下载
摘要：本发明涉及手机（包括智能手机），尤其是涉及关于手机金属外壳的制作方法。具体地，将铝坯挤压成单面H型，不仅缩短了切削加工时间，提高了耐用性，并且还节约了原材料，从而节省了产品的成本。通过对金属的表面处理，可以呈现各式各样的色彩质感。为此，将铝坯通过挤压加工成单面H型，通过切割加工将H型单面中不必要的部分去除，在此状态下折曲加工左右外壁形成金属框架的棱角部分。然后，加工金属框架模块，在嵌入成型时增加一层，加工形成手机金属外壳的最终成品。
单面手机金属外壳及其制造方法

[实用新型]单面H型的手机金属外壳-CN201620981607.7有效
发明人： 安秉斗 -专利权人：爱斯特技术开发有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H05K5/04 文献下载
摘要：本实用新型的单面H型的手机金属外壳，包括单面H型的金属框架（200）和金属框架模块（300）；金属框架（200）包括左右外壁(110)和中间板(120)，中间板(120)的两端形成空间部（a），左右外壁(110)的两端折曲形成棱角，金属框架（200）的前后两端形成开口部分（210），金属框架模块（300）连接至开口部分（210）。本实用新型的单面H型的手机金属外壳，不仅缩短了切削加工时间，提高了耐用性，并且还节约了原材料，从而节省了产品的成本。通过对金属的表面处理，可以呈现各式各样的色彩质感。
单面手机金属外壳

[发明专利]显示装置-CN201210247010.6有效
发明人：朴在佑;李制勋;安秉斗;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;李京垣;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭;后藤裕史 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。
显示装置

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管-CN201180037189.6有效
发明人：森田晋也;三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。
薄膜晶体管半导体氧化物溅射以及

[发明专利]薄膜晶体管构造以及具备该构造的薄膜晶体管和显示装置-CN201280019557.9有效
发明人：前田刚彰;钉宫敏洋;宋俊昊;李制勋;安秉斗;金建熙 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。
薄膜晶体管构造以及具备显示装置

[发明专利]具有提高的亮度的显示面板以及用于制造其的方法-CN201510861984.7在审
发明人：李大荣;安秉斗;南重建;赵国来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本公开提供了具有提高的亮度的显示面板以及用于制造其的方法。该显示面板包括基板、栅线、与栅线绝缘的数据线、电连接到栅线和数据线的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极组、形成在栅电极组上的栅绝缘膜、形成在栅绝缘膜上以至少部分地交叠栅电极组的有源层、以及形成在有源层上以彼此间隔开的源电极和漏电极，其中栅电极组包括形成在基板上的第一栅电极、形成在第一栅电极上的第二栅电极、以及插置在第一栅电极和第二栅电极之间的绝缘层，其中第一栅电极具有比第二栅电极高的反射率。
具有提高亮度显示面板以及用于制造方法

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