专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电光装置-CN200810166735.6有效
  • 安斋胜矢;川田秀树;松田洋史;岩崎幸忠 - 爱普生映像元器件有限公司
  • 2008-10-23 - 2009-04-29 - G02F1/133
  • 本发明涉及一种电光装置,该装置能够在像素区域中当位于信号线的延伸方向的外周部分变成由曲线部分或者弯曲部分构成的异形部分的情况下,沿该异形部分配置对于该信号线的驱动电路。在电光装置(100)的元件基板(10)中,像素区域(10b),在与扫描线驱动电路(104a,104b)相对向的部分具备由曲线部分构成的异形的外周部分。对应于该形状,在扫描线驱动电路(104)中,使具有具备1至多个单位电路的单位电路块(4)的电路块(4a,4b,4c,4d)偏离扫描线(3a)的延伸方向及/或数据线(6a)的延伸方向并沿像素区域(10b)的外周缘排列。并且,单位电路块(4),采用平面构成相同的1种类型的单位电路块。
  • 电光装置
  • [发明专利]半导体器件以及显示装置-CN200610099721.8有效
  • 安斋胜矢;古宫直明 - 三洋电机株式会社
  • 2001-09-29 - 2006-12-06 - H01L27/00
  • 本发明的目的在于降低向多个有机EL元件的供给电流分散性。在有机EL元件50与电源线VL之间具备控制从电源线VL供给的电流量的元件驱动用TFT20,把TFT20的沟道长度方向配置在与像素的长度方向、或者向控制TFT20的开关用TFT10供给数据信号的数据线DL的延伸方向、或者用于使TFT20的有源层16多晶化的激光热处理的扫描方向相平行的方向。进而,也可以在电源线VL与TFT20之间具备与TFT20相反特性的补偿用TFT30。
  • 半导体器件以及显示装置
  • [发明专利]半导体器件以及显示装置-CN200510070131.8有效
  • 安斋胜矢;古宫直明 - 三洋电机株式会社
  • 2001-09-29 - 2005-11-23 - G09F9/33
  • 本发明的目的在于降低向多个有机EL元件的供给电流分散性。在有机EL元件50与电源线VL之间具备控制从电源线VL供给的电流量的元件驱动用TFT20,把TFT20的沟道长度方向配置在与像素的长度方向、或者向控制TFT20的开关用TFT10供给数据信号的数据线DL的延伸方向、或者用于使TFT20的有源层16多晶化的激光热处理的扫描方向相平行的方向。进而,也可以在电源线VL与TFT20之间具备与TFT20相反特性的补偿用TFT30。
  • 半导体器件以及显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN03124045.3有效
  • 松本昭一郎;安斋胜矢 - 三洋电机株式会社
  • 2003-04-24 - 2003-11-05 - G09G3/00
  • 本发明涉及在不降低开口率的情况下,在有机EL显示装置中增设信号线或电源线。各像素部(200)是由包含有机EL元件的发光部(201)、及包含像素选择用TFT或驱动用TFT的电路部(202)所构成。此外,阴极层(C1)是配置于发光部(201)上,且仅使用于有机EL元件的阴极。配线层(C2)是由与阴极层(C1)相同的层(也即,相同的配线材料)所形成,其与阴极层(C1)分割而与阴极层(C1)电性绝缘,并配置于电路部(202)上。阴极层(C1)与配线层(C2)的分割位置,是以不会造成开口率降低的影响的方式配置于电路部(202)的上部。
  • 显示装置
  • [发明专利]半导体器件以及显示装置-CN01138517.0有效
  • 安斋胜矢;古宫直明 - 三洋电机株式会社
  • 2001-09-29 - 2002-09-04 - H01L31/12
  • 本发明的目的在于降低向多个有机EL元件的供给电流分散性。在有机EL元件50与电源线VL之间具备控制从电源线VL供给的电流量的元件驱动用TFT20,把TFT20的沟道长度方向配置在与像素的长度方向、或者向控制TFT20的开关用TFT10供给数据信号的数据线DL的延伸方向、或者用于使TFT20的有源层16多晶化的激光热处理的扫描方向相平行的方向。进而,也可以在电源线VL与TFT20之间具备与TFT20相反特性的补偿用TFT30。
  • 半导体器件以及显示装置
  • [发明专利]半导体器件-CN01137968.5有效
  • 山田努;安斋胜矢 - 三洋电机株式会社
  • 2001-09-29 - 2002-04-24 - H01L29/786
  • 在电源线16与有机EL元件60之间并列形成元件驱动用晶体管TFT2a、TFT2b,该TFT2a、TFT2b的有源层12在使其多晶化退火所用的激光扫描方向相互分开。由此可以减少TFT2a、TFT2b的退火条件不完全相同,而在晶体管TFT2a、TFT2b的中产生同样的不适的可能性。激光扫描方向在图中列方向移动时,单个或多个晶体管TFT2(TFT2a、TFT2b)最好配置成其沟道纵向与该扫描方向一致。
  • 半导体器件

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