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[发明专利]薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法及利用其的薄膜太阳能电池-CN201480078016.2有效
发明人：赵雅罗;尹庆勋;安世镇;尹载浩;郭智惠;申基植;鱼英柱;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴柱炯;金起焕 -专利权人：韩国能源研究技术研究所
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明提供薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，上述太阳能电池透明电极的制备方法包括：Ib族元素‑VIa族元素二元体系纳米粒子制备步骤(s100)；向上述Ib族元素‑VIa族元素二元体系纳米粒子添加包含溶剂和粘结剂及Va族元素的溶液前体来制备Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤(s200)；上述Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的分散及混合步骤(s300)；在上述后部面电极层涂敷上述Ib族元素‑VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤(s400)；以及向上述涂敷的纳米粒子浆料供给VIa族元素并进行热处理的步骤(s500)。
薄膜太阳能电池光吸收制备方法利用

[发明专利]基于同时真空蒸发工艺的CZTSE光吸收层制造方法-CN201480021343.4有效
发明人：郭智惠;尹载浩;安承奎;申基植;安世镇;赵阿拉;尹庆勋;鱼英柱;赵俊植;朴柱炯;柳镇洙;朴相炫;崔慧琳 -专利权人：韩国ENERGY技术硏究院
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于同时真空蒸发工艺来制造优质的CZTSe光吸收层薄膜的方法，该方法包括使Cu，Zn、Sn以及Se同时蒸发而蒸镀到基板的步骤(步骤a)；以及一边降低所述基板的温度一边使Zn、Sn以及Se同时蒸发而蒸镀到基板的步骤(步骤b)。本发明在高温执行同时真空蒸发工艺，然后一边降低基板的温度一边执行进一步的蒸发工艺，从而具有如下效果，即，能够解决由与高温的同时真空蒸发工艺相伴的Sn损失造成的问题。此外，通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层的膜质优异，因此还具有如下效果，即，可提高利用该CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率。
基于同时真空蒸发工艺 cztse 光吸收制造方法

[发明专利]具有背面缓冲层的太阳能电池及其制造方法-CN201380074185.4有效
发明人：鱼英柱;赵雅罗;赵俊植;朴柱炯;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;申基植;安承奎;柳镇洙;朴相炫 -专利权人：韩国能源研究技术研究所
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜太阳能电池，本发明的太阳能电池通过变更制造方式，即，从以往在光吸收层的上部形成缓冲层、透明电极、栅极电极的方式变更为不在光吸收层的上部形成缓冲层、透明电极，而将缓冲层、透明电极、栅极电极形成于CIGS的下部面，从而使太阳光不受障碍物的干扰而直接入射至光吸收层，并且，对第一电极与缓冲层进行图案化来形成具有以锯齿结构相啮合的形状，从而可缩短借助吸收光能而产生的电子‑空穴移动至电极或缓冲层的距离。
具有背面缓冲太阳能电池及其制造方法

[发明专利]黄铜矿类光吸收层的形成方法-CN201480013768.0有效
发明人：鱼英柱;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵阿拉;申基植;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 -专利权人：韩国ENERGY技术硏究院
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成黄铜矿类太阳能电池的光吸收层的方法，其特征在于，包括形成包含黄铜矿类化合物的前体的薄膜的步骤；以及对所述薄膜照射光的步骤，所述黄铜矿类化合物前体吸收光能而晶化。本发明在形成黄铜矿类光吸收层的过程中不是进行加热而是利用光，从而具有能够在不产生由于热而造成基板损伤的问题的情况下形成黄铜矿类光吸收层的效果。此外，由于在形成黄铜矿类光吸收层的过程中不是进行加热而是利用光，所以不存在钼背面电极被加热而形成MoSe2的问题。进而，通过先照射对薄膜穿透得深的长波长范围的光，然后再照射对薄膜穿透得浅的短波长范围的光，从而具有能够从薄膜的下方起依次形成黄铜矿类光吸收层的效果。
黄铜矿光吸收形成方法

[发明专利]利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜-CN201380000852.4有效
发明人：鱼英柱;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵雅拉;申基植;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
利用熔点熔剂太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜制作方法据此方法制作铜铟镓硒系

[发明专利]具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法、具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法及CZTS系太阳能电池-CN201380004304.9有效
发明人：尹载浩;郭智惠;安世镇;尹庆勋;申基植;安承奎;赵阿拉;朴相炫;赵俊植;柳镇洙;朴柱炯;鱼英柱 -专利权人：韩国ENERGY技术硏究院
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu₂ZnSnS₄薄膜层；形成Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层；及形成Cu₂ZnSnS₄薄膜层。根据本发明的另一方面的具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：形成后面电极；在上述后面电极上，通过上述方法中的一种方法形成CZTS系薄膜层。根据本发明的又一方法，CZTS系太阳能电池，包括后面电极及形成于上述后面电极之上的CZTS系薄膜层，而上述CZTS系薄膜层依次包括Cu₂ZnSnS₄薄膜层、Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层及Cu₂ZnSnS₄薄膜层，而且，Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜层的带隙能量低于Cu₂ZnSnS₄薄膜层的带隙能量。本发明的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜层因表面侧的带隙高，从而增加开路电压，减少再结合，且因后面侧带隙高，从而增加电子迁移率，提高太阳能电池的效率。
具有双重倾斜度 czts 薄膜制造方法太阳能电池

[发明专利]利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS 薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS 薄膜-CN201380004292.X有效
发明人：郭智惠;尹载浩;安世镇;尹庆勋;申基植;丁国荣;安承奎;赵阿拉;朴海森;崔森武 -专利权人：韩国ENERGY技术硏究院
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：公开了一种利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS薄膜。根据本发明的制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法包括如下步骤：(a步骤)通过共蒸发在500至600℃的衬底上沉积Cu、Ga和Se；(b步骤)在维持与a步骤相同的衬底温度的同时，通过共蒸发来沉积Cu、Ga、Se和In；和(c步骤)在降低衬底温度的同时，依次通过共蒸发沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发单独沉积Se。因此，与三步共蒸发法相比简化了工艺步骤，充分实现通过薄膜内晶体生长和Ga的组成分布获得的带隙分级的益处，从而使得能够提高加工效率。
利用简化蒸发制造用于太阳能电池 cigs 薄膜方法

[发明专利]氧化锌凹凸结构的形成方法及利用其的太阳能电池的制造方法-CN201280015113.8有效
发明人：赵俊植;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵雅拉;申基植;安承奎;鱼英柱;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种以湿式蚀刻方法在氧化锌薄膜上形成纳米单位的凹凸结构的方法，其特征在于，包括：准备基板的步骤；形成具有纳米范围的高度与宽度的纳米结构的步骤；在形成有所述纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜的步骤；以及对所述氧化锌薄膜进行湿式蚀刻的步骤；在所述进行湿式蚀刻的步骤中，位于所述纳米结构上、物理致密性相对较低的氧化锌先被蚀刻，在所述纳米结构的周边，借助于蚀刻而形成凹凸结构。本发明具有不仅能够在凹凸结构上均一地形成薄膜，而且电解质或有机物能够在凹凸结构之间均一地浸透的效果。另外，本发明不仅能够调节凹凸结构的纵横比，而且凹凸结构整体上连接，因而不发生因过度的纵横比差异造成阻抗增加的问题。
氧化锌凹凸结构形成方法利用太阳能电池制造

[发明专利]太阳电池模块及其制备方法-CN201510645050.X在审
发明人：鱼英柱;郭智惠;赵雅罗;安世镇;安承奎;赵俊植;朴柱炯;柳镇洙;尹载浩;金起焕;金景洙;尹庆勋;申基植 -专利权人：韩国能源研究技术研究所
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开太阳电池模块及其制备方法、太阳能发电系统及互连带。本发明的太阳电池模块为由多个太阳电池单元通过互连带串联或并联而成的太阳能模块，上述互连带呈之字形，以降低由上述太阳电池模块的弯曲所产生的张力。
太阳电池模块及其制备方法

[发明专利]形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池-CN201380004295.3有效
发明人：尹载浩;郭智惠;安世镇;尹庆勋;申基植;安承奎;赵阿拉;朴相炫;朴海森;崔森武 -专利权人：韩国ENERGY技术硏究院
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低，由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下，提高太阳能电池的效率。本发明的方法通过三步真空共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层，并包括：同时真空蒸发In、Ga和Se的第一步骤；同时真空蒸发Cu和Se的第二步骤；和真空蒸发In、Ga和Se的第三步骤。在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤中蒸发并供应的Ga的量。根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：衬底；在衬底上形成的电极层；和在电极层上形成的CIGS光吸收层。在电极层和CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。本发明的方法配置为使得在通过三步真空共蒸发法形成CIGS光吸收层的方法中，提高第一步骤中Ga的蒸发量，使得能够在Na浓度低的衬底上形成CIGS光吸收层，从而提高深度深的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。
形成用于太阳能电池 cigs 光吸收方法

[发明专利]具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法-CN201280023367.4有效
发明人：安世镇;尹载浩;郭智惠;赵雅拉;尹庆勋;申基植;安承奎;赵俊植;朴相炫;鱼英柱;柳镇洙;朴柱炯;金庆岩 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。
具有均匀 ga 分布 cigs 薄膜制造方法

[发明专利]具有高密度的CIS系列薄膜的制造方法-CN201280023302.X有效
发明人：安世镇;尹庆勋;尹载浩;郭智惠;赵雅拉;申基植;安承奎 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有高密度的太阳能电池用CIS系列化合物薄膜的制造方法。本发明的太阳能电池用CIS系列化合物薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤1，制造CIS系列化合物纳米粒子；步骤2，把上述CIS系列化合物纳米粒子、螫合剂(chelating agent)及溶剂混合制成CIS系列化合物浆；步骤3，把上述CIS系列化合物浆予以涂层(coating)而形成CIS系列化合物薄膜；及步骤4，对上述CIS系列化合物薄膜进行热处理；本发明凭此让作为薄膜太阳能电池的吸光层使用的CIS系列薄膜的结构致密化。
具有高密度 cis 系列薄膜制造方法

[发明专利]具有背面TCO层的CIS/CIGS系太阳能电池及其制造方法-CN201280012153.7有效
发明人：鱼英柱;尹庆勋;郭智惠;尹载浩;安世镇;赵雅拉;申基植;安承奎 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了具有背面TCO层的CIS/CIGS系太阳能电池及其制造方法。本发明CIS/CIGS系太阳能电池包括：基板；第一钼电极与第二钼电极，是在基板上按照预定间距分离而并列配置的两层钼电极；TCO层，配置在第二钼电极的上表面及侧面上；缓冲层，配置在TCO层的上部及侧面上，在TCO层与吸光层之间缓冲能带隙差异；吸光层，配置在第一钼电极、缓冲层及第一钼电极与缓冲层之间暴露的一部分基板上；及防反射层，配置在吸光层上，尽量减少外部所照射的光线的反射。凭此，把缓冲层与TCO层配置在吸光层的背面而清除了吸光层上部中降低光入射量的阻碍结构，尽量增加吸光层的入射光量而最终提高太阳能电池的能量转换效率。
具有背面 tco cis cigs 太阳能电池及其制造方法

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