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[实用新型]一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测装置-CN202222169557.0有效
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测装置。包括底座，所述底座的顶部固定有支撑杆，所述支撑杆的表面固定有连接板，所述连接板上固定有马达，且马达的输出端通过连接块固定有固定板，所述固定板的两侧均固定有第一磁块，所述固定板的底部固定有两个液压杆，且液压杆的输出端固定有稳定块，且两个稳定块之间设置有透明玻璃板。本实用新型提供的碲锌镉晶片损伤层厚度的检测装置，碲锌镉晶片始终固定在稳定块上静态移动，减少碲锌镉晶片损伤的几率，了解决了碲锌镉晶片损伤层厚度的检测需要反复的移动碲锌镉晶片，进行观测和检测，移动过程中容易造成碲锌镉晶片的再次损伤，影响检测结果的问题。
一种碲锌镉晶片损伤厚度检测装置

[实用新型]一种碲锌镉晶片制备的表面抛光装置-CN202221713191.2有效
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碲锌镉晶片制备的表面抛光装置，包括上盖，右立板，左立板，上抛光轴，下抛光轴，电机，连接带，吸尘口，连接管和吸尘模块，本实用新型中，通过多个鞋架的设置，通过带动滑块运动，使固定架在滑块内滑动，晶片安装在夹板之间，节省了人工，且抛光更加均匀，使用更加便捷，结构更加简单；电机通过连接带与带轮的配合带动上抛光轴和下抛光轴对晶片进行抛光，上抛光轴和下抛光轴滚轴式设置，避免轮式的抛光出现晶片表面外侧与内侧抛光不均匀的现象，该设置抛光更加均匀；通过吸尘模块的设置，使在抛光过程中抛光下的颗粒物尽快与晶片分离，避免在抛光下的颗粒物对晶片表面造成划痕，提高表面抛光的实用性。
一种碲锌镉晶片制备表面抛光装置

[发明专利]一种碲锌镉晶片的抛光方法-CN202210971012.3在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶片的抛光方法，包括如下步骤：步骤一：配制抛光液；步骤二：实施物理机械抛光；步骤三：去除保护层，在高温高压条件下加热步骤二处理的碲锌镉晶片，熔化碲锌镉晶片表面的保护层，并用乙醇、去离子水依次冲洗；步骤四：实施化学腐蚀抛光，选用步骤一制备的化学腐蚀抛光用抛光液，将步骤三处理后的碲锌镉晶片置入后，按照所确定的抛光参数进行抛光；抛光结束后，清洗碲锌镉晶片；步骤五：检测碲锌镉晶片抛光质量。本发明实施例的碲锌镉晶片的抛光方法运用机械和化学抛光方法，提高抛光效果，整个抛光方法过程简单，易于实施，实用价值高。
一种碲锌镉晶片抛光方法

[实用新型]一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗装置-CN202222036752.6有效
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗装置，包括箱体，底座，水箱架，水箱，过滤管，进水管，吸水器和过滤棉，抛光箱和放置块，本实用新型中，将晶片夹板设置在抽拉模块内，伸缩杆的设置，能更好的对晶片进行夹持，能更好的对晶片的表面进行清洗，提高清洗效率，同时使该装置更具有实用性；吸水器将水箱内的清洗液进行加压，通过喷洗头将加压后的清洗液喷出对晶片的表面进行清洗，同时电机带动螺杆配合滑块移动，使得喷洗头在箱体内移动，使得对晶片的表面清洗更加均匀，提高清洗质量；过滤管的设置，过滤管内设置的过滤棉能将清洗过后的清洗液进行过滤，使得清洗液可重复利用，避免造成浪费，使清洗装置得到广泛应用。
一种化学机械抛光碲锌镉单晶晶片清洗装置

[发明专利]一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法-CN202210941987.1在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，包括如下步骤：步骤一：将碲锌镉晶片进行低温冷冻处理，采用激光切割方式将碲锌镉晶片切出截面，截面相对其切面方向的倾斜角度为α；步骤二：对截面进行腐蚀液腐蚀处理；步骤三：腐蚀处理以后对截面涂覆一层荧光剂，运用荧光识别装置在放大视场下获取截面的图像信息，计算图像中的损伤区域长度L，损伤层厚度D＝Lsinα。本发明实施例有利于获得更精确的碲锌镉晶片损伤层厚度数据，可以提高损伤层厚度检测的精确度，实用价值高。
一种碲锌镉晶片损伤厚度检测方法

[发明专利]一种制备碲锌镉晶体过程中的除杂方法及除杂装置-CN202210932509.4在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备碲锌镉晶体过程中的除杂方法及除杂装置，除杂方法包括下述步骤：碲料除杂：将用于制备碲锌镉晶体的碲料经碱洗、水洗、酸洗和水洗过滤得到水洗碲粉，最后将水洗的碲粉置于真空烘箱中烘干，得到除杂后的碲料；锌料除杂：将锌料放入熔炼炉中使其熔化，锌液进入精馏塔内进行精馏，随后将锌蒸气引入冷凝器中急剧冷凝成锌粉，得到除杂后的锌料；镉料除杂。本发明涉及碲锌镉晶体制备技术领域，该除杂方法能够酸洗和碱洗得到纯净的碲料，通过精馏的方式得到纯净的锌料和镉料，保证了原料的纯度，除杂方法易于操作；另外通过除杂装置能够快速的完成碲料的酸洗和碱洗，有利于提高加工的效率。
一种制备碲锌镉晶体过程中的方法装置

[发明专利]一种碲锌镉晶体X射线成像系统-CN202210877216.0在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体X射线成像系统，包括：固定台，所述固定台上设置有被测物；X射线源；位置调整结构一；视觉识别装置；X射线探测器；位置调整结构二；控制装置，所述控制装置至少控制一组所述X射线源发射X射线，并控制所述位置调整结构一和所述位置调整结构二的执行；处理装置；多通道图像处理单元，所述多通道图像处理单元接收X射线探测器的信号并转化成图像信息，对所获得的图像信息的边缘部分进行分割，并识别相同的图像信息，缩放至统一大小并对图像相同进行重叠，获得拼接图像；计算机。该成像系统，保证了能够一次性完成拍摄，节约了时间，提高了效率，图像显示完整的被测物信息，方便了后期的诊断。
一种碲锌镉晶体射线成像系统

[实用新型]一种碲锌镉晶片表面研磨装置-CN202221610190.5有效
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碲锌镉晶片表面研磨装置，包括放置组件、支撑板、立板、顶板、研磨组件、电控柜、第一控制开关和第二控制开关；本实用新型中，将碲锌镉晶片放置在放置槽内，通过第一控制开关控制伸缩杆通电运行，伸缩杆推动伺服电机和研磨盘向下移动，使研磨盘的下端抵触在碲锌镉晶片的上端，往凹槽内注入防护液，通过第二控制开关控制伺服电机通电运行，伺服电机带动安装板和研磨盘转动，通过研磨盘对碲锌镉晶片的上端进行研磨处理，结构简单，有利于设备的维护保养，降低研磨装置的运行成本；研磨盘与安装板采用可拆卸方式相连，便于进行研磨盘的安装和拆卸，有利于维护保养时进行研磨盘的更换，提高研磨装置的工作效率。
一种碲锌镉晶片表面研磨装置

[发明专利]一种基于碲锌镉晶体探测器的辐射探测仪-CN202210935028.9在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碲锌镉晶体探测器的辐射探测仪，包括屏蔽室，屏蔽室内壁的底部固定连接有第一滑轨，第一滑轨的上方设置有托板，托板的底部设置有与第一滑轨适配的滚轮，屏蔽室内壁的顶部设置有探测器，探测器的一侧设置有摄像头，屏蔽室的一侧铰接有屏蔽门，屏蔽室外部的一侧设置有水平移动的底板，底板的顶部竖直设置有电动伸缩杆，电动伸缩杆的工作端通过安装板设置有第二滑轨，第二滑轨在底板的水平移动和电动伸缩杆上下移动带动下能与第一滑轨的一端对接，对接后托板从第一滑轨移动到第二滑轨。该种基于碲锌镉晶体探测器的辐射探测仪，解决了现有的探测待测样品辐射量时样品暴露在空气中对人体造成伤害的问题。
一种基于碲锌镉晶体探测器辐射探测仪

[发明专利]一种碲锌镉晶片的加工方法-CN202210841080.8在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及本发明的实施例提出了碲锌镉晶片的加工方法，包括：步骤一、切片：将碲锌镉晶棒固定在切片设备上，由切片设备对碲锌镉晶棒进行切片；步骤二、研磨：根据待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对碲锌镉切片的外径尺寸进行研磨处理；步骤三、倒角：对所得碲锌镉晶片的边缘进行倒角处理；步骤四、检测：对所得碲锌镉晶片的外径尺寸进行检测，检测结果与待加工成型的碲锌镉晶片的外径尺寸对比；步骤五、抛光：对待加工成型的碲锌镉晶片进行化学机械抛光；其中，步骤一、步骤二、步骤三和步骤五均在低温环境下进行。通过本发明实施例的碲锌镉晶片的加工方法加工得到的碲锌镉晶片具有成型效果好，损坏数量少的优点。
一种碲锌镉晶片加工方法

[实用新型]一种碲锌镉晶片的检测装置-CN202220723333.7有效
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碲锌镉晶片的检测装置，包括工作台、立柱、顶板、电控柜、第一控制开关、第二控制开关、第一腐蚀组件、第一检测组件、第二腐蚀组件、第二检测组件、放置盘、显示屏、托盘、晶片槽、第一坐标尺和第二坐标尺；本实用新型中，将第一腐蚀组件、第二腐蚀组件、第一检测组件和第二检测组件集合在顶板上，依次对晶片进行第一腐蚀液冲洗、X射线形貌仪检测、第二腐蚀液冲洗和红外显微镜检测，有利于快速进行晶片的检测，提高检测装置的工作效率；第一坐标尺和第二坐标尺对晶片槽的行列坐标进行标识，检测过程中显示屏显示存在第一级缺陷或第二级缺陷晶片的晶片槽行列坐标，便于操作人员及时对存在缺陷的晶片进行记录和取出。
一种碲锌镉晶片检测装置

[发明专利]一种碲锌镉晶方片的无损伤测试方法-CN202210356379.4在审
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶方片的无损伤测试方法，包括如下步骤：获取碲锌镉晶方片初始图像；进行边缘检测获取碲锌镉晶方片完整图像；根据所述碲锌镉晶方片初始图像提取出损伤层区域图像；计算所述损伤层区域图像的尺寸大小判断出所述碲锌镉晶方片的损伤情况。本发明实施例方法简单，能在无损情况下识别出碲锌镉晶方片的损坏情况，有利于碲锌镉晶方片的在线无损检查，实用价值高。
一种碲锌镉晶方片损伤测试方法

[发明专利]一种碲锌镉探测器成像系统-CN202210408777.6在审
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉探测器成像系统，包括：碲锌镉探测器；信号处理模块，所述碲锌镉探测器与所述信号处理模块连接，所述信号处理模块用于接收所述碲锌镉探测器的电荷信号进行预处理并输出数字信号；数据分析模块，所述信号处理模块与所述数据分析模块进行连接，所述数据分析模块用于接收所述信号处理模块输出的数字信号进行成像处理；终端显示成像模块，所述数据分析模块与所述终端显示成像模块连接，所述终端显示成像模块用于接收所述数据分析模块处理后的数据并进行成像显示。本发明实施例基于碲锌镉材料的优异性能提供了一种使用范围广、探测频谱范围长的碲锌镉探测器成像系统，实用价值高。
一种碲锌镉探测器成像系统

[发明专利]一种碲锌镉单晶圆片制备工艺-CN202210310441.6在审
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉单晶圆片制备工艺，包括如下步骤：制备多晶棒、富碲合金；取一个石英管，在其内部放入籽晶，再依次放入上述得到的多晶棒、富碲合金；对石英管中放置富碲合金的区域施加不超过1000℃的高温；继续保温5‑100h后以0.02‑2mm/h的速度朝向籽晶一侧移动热源，直至热源高度低于步骤三的步骤三的最低端为止，同时待多晶棒与熔融的富碲合金熔体脱离后，以0.001‑1mm/min的速度向上提拉多晶棒；步骤五：降温，得到碲锌镉单晶晶棒；步骤六：对得到的碲锌镉单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理，即得到所述碲锌镉单晶圆片。本发明实施例制备工艺过程简单，所需温度低，便于实施，得到的碲锌镉单晶圆片纯度高，因此应用价值高。
一种碲锌镉单晶圆片制备工艺

[发明专利]一种碲锌镉晶片制备的除杂方法-CN202210402989.3在审
发明人：邓波浪;刘士军;李玉萍 -专利权人： 安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶片制备的除杂方法，包括如下步骤：对制备所需的碲锌镉三种原料分别进行酸洗，再用流动的纯水冲洗，最后再进行烘干待用；对制备所需的石英管进行酸洗，再用流动的纯水冲洗，最后再进行烘干待用；将碲锌镉三种原料依次装入经过处理的石英管内，并充入保护气后封闭石英管，随后将石英管放置到温度范围为500‑1000℃的摇摆炉中进行合成反应，制备得到单晶晶棒；在无尘和高于大气压环境中将得到的单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理。本发明实施例的碲锌镉晶片制备的除杂方法过程简单，能充分降低碲锌镉晶片制备时的含杂量，有利于保证制备得到的碲锌镉晶片的纯度。
一种碲锌镉晶片制备方法

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