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[发明专利]纳米花结构的钛掺杂二硒化铪及其制备方法-CN202310849616.5在审
发明人： 安博星;肖永厚;李玉善;刘旭;梁正奇 -专利权人：大连理工大学盘锦产业技术研究院
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米花结构的钛掺杂二硒化铪及其制备方法，该方法工艺简单，重复性好，极大的缩短了反应时间，节约了能源，适合大规模生产。此外，本发明所生长的纳米花结构，在每个片层表面生长出其它片层，使钛掺杂二硒化铪具有较大的比表面积，可以提供更多的吸附位点，有利于二氧化碳、二氧化硫等气体的吸附，应用于气体传感、环境监测等领域可提高吸附效率和缩短响应时间。
纳米结构掺杂二硒化铪及其制备方法

[发明专利]单层二硒化钨及其制备方法-CN202210950095.8在审
发明人： 安博星;肖永厚;李玉善;刘旭;梁正奇 -专利权人：大连理工大学盘锦产业技术研究院
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层二硒化钨及其制备方法，该方法包括：(1)将钨源和分散剂进行混合；(2)将衬底进行预处理；(3)将前驱体溶液均匀旋涂至预处理后的衬底并烘干；(4)将钨源均匀分散的衬底放入管式炉中的第一石英舟，将硒源放入管式炉中的第二石英舟；(5)将第一石英舟和第二石英舟进行控温反应，以便得到单层二硒化钨。由此，该方法可有效控制晶核空间位置的分布，工艺简单，重复性好，适合大规模生产，为二维材料领域中大尺寸晶体材料的制备工作提供了新的思路。此外，该方法制备得到的单层二硒化钨横向尺寸均匀，组分均匀，可以进一步应用于光学、电学等方面的性能研究。
单层二硒化钨及其制备方法

[发明专利]一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法-CN202010007011.8在审
发明人：张永哲;王佳蕊;马洋;安博星;李毓佛;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法，属于纳米材料领域。本方法采用在化学气相沉积法生长过程中，通过碱作为促进剂，辅助生长单层二硫化钨。其中氧化钨源与碱的质量比为8:1‑2:1。本发明利用碱辅助生长二硫化钨，可以有效地降低生长温度，在常压下，实现快速生长和制备大面积单层二硫化钨样品，且制备的二硫化钨具有高的光致发光强度。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且原料成本低，适合大规模生产。
一种辅助化学沉积生长大面积单层硫化制备方法

[发明专利]一种单层MoS2-CN201911084034.2在审
发明人：张永哲;李毓佛;陈永锋;王佳蕊;安博星;马洋;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/225 文献下载
摘要：一种单层MoS2‑WS2横向异质结的制备方法，属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理，实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发，通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是，在可精确控温的管式炉中，使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体，控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2‑WS2横向异质结，具有微米级清晰的异质结分界线，横向尺寸可达到一百微米以上。该方法生长过程可控性高，能够有效的扩宽生长温度窗口，降低生长温度，实现尺寸、界面可控生长。
一种单层 mos base sub

[发明专利]一种石墨烯/银纳米线复合墨水及其制备方法-CN201810567359.5在审
发明人：马颖;刘璐;安博星;戢鸿泽;刘懿莹 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：一种石墨烯/银纳米线复合墨水及其制备方法，属于印刷电路技术领域。方法为：1)将CuCl₂·2H₂O/乙二醇，AgNO₃/乙二醇和PVP/乙二醇混合液加入到乙二醇中，分离干燥后得到银纳米线，用水稀释成银纳米线水溶液；2)将膨胀石墨、K₂S₂O₈、P₂O₅加入到浓硫酸中抽滤干燥制得预氧化石墨，将KMnO₄加入到预氧化石墨的浓硫酸溶液中并滴加H₂O₂，制得氧化石墨烯水溶液，将氧化石墨烯水溶液与抗坏血酸水溶液混合后加入乙醇、乙二醇、丙三醇、去离子水混合液制得石墨烯溶液；3)将石墨烯溶液与银纳米线水溶液混合，得到石墨烯/银纳米线复合墨水。
银纳米线石墨烯乙二醇墨水氧化石墨烯水溶液石墨烯溶液预氧化石墨复合制备抗坏血酸水溶液乙二醇混合液印刷电路技术浓硫酸溶液水溶液混合分离干燥混合液制膨胀石墨去离子水丙三醇纳米线浓硫酸乙醇成银抽滤滴加稀释

[发明专利]一种镀铜纳米粒子石墨烯复合材料的制备方法-CN201810567610.8在审
发明人：马颖;安博星;戢鸿泽;刘璐;李墨文;任品桥 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：一种镀铜纳米粒子石墨烯复合材料的制备方法，属于石墨烯应用技术领域；方法为：1)将EDTA·2Na粉末加入至CuSO₄溶液中，在磁力搅拌条件下，充分混合，制得混合溶液A；2)将石墨烯粉体加入至混合溶液A中，制得混合溶液B后超声分散；3)将还原剂加入到混合溶液B中，制得混合溶液C；用NaOH调节混合溶液C体系，得到红黑色镀铜纳米粒子石墨烯复合材料沉淀；4)将红黑色镀铜纳米粒子石墨烯复合材料沉淀，过滤，清洗，固体产物在真空条件下烘干制得镀铜纳米粒子石墨烯复合材料。本发明方法制备的复合材料杂质含量低；在石墨烯表面吸附的铜纳米颗粒粒径小，分布均匀，和石墨烯的结合强度高，提高复合材料的电学性能。
石墨烯复合材料混合溶液纳米粒子镀铜石墨烯制备复合材料沉淀调节混合溶液应用技术领域石墨烯粉体铜纳米颗粒表面吸附超声分散充分混合磁力搅拌电学性能固体产物真空条件还原剂烘干粒径过滤清洗

[发明专利]一种镀铜纳米粒子石墨烯导电油墨及其制备方法-CN201810567362.7在审
发明人：马颖;戢鸿泽;安博星;刘璐;刘懿莹;李墨文;任品桥 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：一种镀铜纳米粒子石墨烯导电油墨及其制备方法，属于电子材料印刷技术领域，方法为：1、按组成原料的重量份数取原料，镀铜纳米粒子石墨烯导电填料5wt％～20wt％，热塑性树脂10wt％～60wt％，助剂0.1wt％～10wt％，余量为有机溶剂；其中，镀铜纳米粒子石墨烯导电填料中石墨烯的重量份数为6wt％～50wt％；2、将热塑性树脂、助剂在有机溶剂中搅拌均匀得到连接料；3、将镀铜纳米粒子石墨烯导电填料在有机溶剂中超声分散，得到均匀的分散液；4、分散液加入至连接料中搅拌均匀并研磨，制得导电油墨。本发明制备的镀铜纳米粒子石墨烯复合导电油墨具有优异的导电性能、良好的耐弯曲性和印刷适性。
石墨烯纳米粒子镀铜导电油墨导电填料有机溶剂制备热塑性树脂重量份数分散液连接料印刷技术领域超声分散导电性能电子材料耐弯曲性印刷适性研磨复合

[发明专利]一种基于二维平面异质结增强型场效应管的制备方法-CN201710985285.2在审
发明人：张永哲;陈永锋;严辉;刘北云;邓文杰;游聪娅;李景峰;杨炎翰;申高亮;王光耀;庞玮;安博星 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种基于二维平面异质结增强型场效应管的制备方法，涉及微电子器件应用领域。采用湿法转移，将石墨烯膜转移至带有氧化层的单晶硅片衬底上；在石墨烯膜上进行均匀旋涂光刻胶，将图案通过曝光转移至光刻胶上；将石墨烯膜刻蚀成石墨烯条，去光刻胶处理；将这种带有石墨烯条的衬底作为生长的基底，以CVD法进行生长MX2类单层或者少层材料，形成石墨烯‑MX2‑石墨烯面内异质结；在石墨烯‑MX2‑石墨烯异质结上蒸镀沉积Ti/Au金属，制得二维平面异质结增强型场效应管。本发明结合高载流子迁移率的半金属材料石墨烯与带隙随层数变化可调的MX2二维材料，获得高开关比的场效应管并且用于光电探测时具有暗电流很小等优良特性。
一种基于二维平面异质结增强场效应制备方法

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