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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜特性测量设备-CN202080101576.0在审
发明人：朴准;安世源;丁润琡 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：公开了一种薄膜特性测量设备，其用于测量待被检查物体的薄膜的厚度或宽度。薄膜特性测量设备包括光源、第一反射镜、第一致动器和透镜组件。透镜组件形成为使得由光轴和透射穿过透镜组件的光线的主光线形成的角度小于或等于由光轴和入射到透镜组件的光线的主光线形成的角度。光源可以包括超发光二极管(SLD)。提供了薄膜特性测量设备、方法等，该薄膜特性测量设备使得透射穿过透镜组件的光能够在待被检查物体的入射表面上往复运动，同时第一反射镜在预定角度范围内反复地倾斜，并且因此可以准确地测量相对大的区域以及可以不同地控制待被测量的位置。
薄膜特性测量设备

[发明专利]叠层太阳能电池及其制造方法-CN201710670180.8有效
发明人： 安世源 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：叠层太阳能电池及其制造方法。本发明涉及一种叠层太阳能电池以及一种制造该叠层太阳能电池的方法，并且更具体地，涉及一种具有堆叠在硅太阳能电池上并且接合至该硅太阳能电池的钙钛矿太阳能电池的叠层太阳能电池以及一种制造该叠层太阳能电池的方法。根据本发明，通过使用同质结硅太阳能电池具体实现的叠层太阳能电池被设置有第一钝化图案，使得发射体层在该第一钝化图案下方的一部分被暴露，从而在用于形成第二电极的高温烧制期间通过该第一钝化图案来保护所述发射体层，减少所述发射体层的表面缺陷，并且减少所述钙钛矿太阳能电池的特性劣化的问题。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]串联太阳能电池的制造方法-CN201980018615.8在审
发明人：李有真;金成卓;安世源;郑镇元 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：根据涉及使用用于蚀刻晶体硅基板的方法的串联太阳能电池制造方法的本发明，可以获得这样的太阳能电池，其在基板表面上不具有金字塔形缺陷，通过具有优异表面粗糙度性质的基板抑制分流的产生，并且可以确保填充因子特性，通过串联式太阳能电池制造方法可获得太阳能电池，所述方法包括：制备晶体硅基板；各向同性地蚀刻所述基板；通过对经各向同性蚀刻的基板进行各向异性蚀刻而去除基板表面上的锯损伤；将第二太阳能电池定位在去除锯损伤的基板上；将中间层定位在第二太阳能电池上；将第一太阳能电池定位在中间层上。
串联太阳能电池制造方法

[发明专利]串联太阳能电池及包括其的串联太阳能电池模块-CN201710560491.9有效
发明人： 安世源 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本公开涉及串联太阳能电池及包括其的串联太阳能电池模块。更具体地，本公开涉及包括层叠在结晶硅太阳能电池的前表面上的钙钛矿太阳能电池的单片式串联太阳能电池及其制造方法。根据本公开，纳米结构可以被构图在结晶硅太阳能电池和钙钛矿太阳能电池经由结层键合的太阳能电池的前透明电极的前表面上，使得可以通过纳米结构增加入射到太阳能电池上的太阳光的光路，以提高光的利用率。
串联太阳能电池包括模块

[发明专利]制造太阳能电池的方法-CN201880073763.5在审
发明人：金成卓;安世源;李有真;郑镇元 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-10-04 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及制造以下的方法：其中钙钛矿吸收层的层叠形状和组成得到控制的钙钛矿太阳能电池；和包括钙钛矿太阳能电池的串联型太阳能电池，并且钙钛矿吸收层通过太阳能电池的制造方法形成，其包括以下步骤：通过使用BO源、A掺杂的BO源、或者AxOy源和BO源在基材上形成与基材适形的无机晶种层；在晶种层上供给有机卤化物，从而可以形成具有与基材适形的复合组成的钙钛矿薄膜，从而可以实现能使光吸收增加的效果。
制造太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201510023406.6有效
发明人：李有真;池光善;李承植;安世源 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201110208265.7无效
发明人：金修显;安世源;李洪哲 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池包括设置于衬底上的多个电池。该多个电池中的每一个都包括第一电极，其设置于衬底的一个表面上；至少一个光电转换单元，其设置于第一电极上；背反射层，其包括第一反射层，该第一反射层接触至少一个光电转换单元以及第二反射层，其具有暴露第一反射层的一部分的开口；以及第二电极，其设置在背反射层上。第二反射层接触第一反射层。第二电极通过开口电连接至第一反射层。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN201080034233.3有效
发明人：沈昡孜;李承允;柳东柱;李宪民;黄先泰;安世源;鱼英株 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201080010764.9有效
发明人：李洪哲;文世连;安世源;柳东柱 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200980143034.3有效
发明人：金善虎;李宪民;池光善;鱼英株;崔正薰;安世源 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；位于该基板上的至少一个发射极层；电连接至所述至少一个发射极层的至少一个第一电极；以及电连接至该基板的至少一个第二电极。第一电极和第二电极中的至少一方利用镀敷法形成。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201080002434.5无效
发明人：鱼英株;安世源;李承允 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明讨论了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括非晶硅层，并且非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。所述方法包括以下步骤：在基板上形成电极，并且在氢(H2)气量与硅烷(SiH4)气体量的比例为15∶1至30∶1的氛围中在所述基板上淀积非晶硅，以在所述基板上形成非晶硅层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201010539236.4有效
发明人：孙祯焄;李丞埈;李宪民;文泰豪;尹元基;朴珍姬;安世源;鱼英株 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：基板，其包括由绝缘区分隔开的电流产生区和边缘区；以及多个太阳能电池，其位于所述电流产生区中。所述多个太阳能电池中的每一个都包括：位于所述基板上的透明电极；位于所述透明电极上的硅电流产生层；以及位于所述硅电流产生层上的背电极。一个太阳能电池的背电极电连接到与所述一个太阳能电池相邻的另一个太阳能电池的所述透明电极。与所述绝缘区相邻的最外侧太阳能电池的透明电极的侧面被所述最外侧太阳能电池的硅电流产生层的在所述绝缘区中暴露的侧面部分所覆盖。
太阳能电池模块及其制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN200980118599.6有效
发明人：鱼英株;安世源;李宪民;高志勋;金善虎;池光善 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2009-10-01 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
太阳能电池

[发明专利]具有旁路二极管的薄膜式太阳能电池及其制造方法-CN200780009938.8无效
发明人：鱼英株;金货年;安世源;李海锡;李宪民;尹政钦;池光善;金范城 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等，以创造巨大的经济价值。
具有旁路二极管薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN200780001867.7无效
发明人： 安世源;鱼英株;李贵鲁;李敦熙;李宪民 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池具有叠置了玻璃基底、透明导电氧化物、多结太阳能电池层和电极层的结构，其中均为多结的第一太阳能电池层和第二太阳能电池层彼此并联电连接，并且并联的一个或更多个单元电池分组为彼此串联电连接。根据本发明，以下的这种薄膜太阳能电池能够实现比具有多个太阳能电池层串联的结构的薄膜太阳能电池更高的输出和效率，该薄膜太阳能电池具有单元电池，并具有其中多个单元电路彼此串联的结构的单元电池的，该单元电池呈其中具有不同特性的两个太阳能电池层彼此并联的结构。
薄膜太阳能电池及其制造方法

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