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- [发明专利]一种金属碳晶体的制备方法-CN201910966930.5有效
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樊庆杨;邢孟江;李小珍;刘永红;代传相
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宁波海秀丰科技有限公司
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2019-10-12
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2022-12-02
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C01B32/05
- 本发明公开了一种金属碳晶体及其制备方法，属于碳材料技术领域。本发明金属碳晶体空间群为P4/mmm，晶格参数a＝b＝1.2557～1.3879nm，c＝0.8339～0.9217nm，晶体结构具有开口直径分别为1.0611～1.1729nm和0.7376～0.8153nm的两个类纳米管的拓扑结构；本发明将葡萄糖、吡咯加入到含有铁离子或铜离子的饱和氯化钠溶液中混合均匀得到溶液A；将磷酸溶液加入到溶液A中混合均匀，在氦氖混合气体氛围中匀速升温至温度为750～850K并恒温处理1～2h，再匀速升温至温度为1250‑1500K并恒温处理3～4h，骤冷至室温，静置处理12h以上得到固体B；将固体B加入到酸溶液中酸洗5～8h，再加入碱性溶液进行中和反应至体系为中性，过滤、真空干燥即得P4/mmm空间群的金属性碳结构。本发明P4/mmm空间群的金属性碳结构具有微孔，吸酸易膨胀，可作为电池的电极材料。
- 一种金属晶体制备方法
- [发明专利]一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用-CN201911297326.4有效
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杨晓东;李小珍;邢孟江
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宁波海秀丰科技有限公司
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2019-12-17
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2022-07-29
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C23C14/20
- 本发明公开了一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用，属于金属材料技术领域。本发明高纯高均匀性金靶材，以质量百分数计，Au不低于99.999％，Ag不高于(5*10‑6)％，Fe不高于(3*10‑6)％，Si不高于(3*10‑6)％，Cu、Pb、Pd、Mg、Na、K、U、Th和Ti的总含量不高于10‑6％；晶粒平均尺寸小于100nm，晶粒标准偏差小于20％。本发明通过精确测定粗金中元素Au和各杂质元素的含量，根据粗金中杂质元素的熔融气化温度从低到高设置温度梯度并根据杂质元素的含量设置各梯度温度的蒸发时间，对粗金进行逐级梯度温度蒸发，利用温度梯度剔除杂质元素，利用PI衬底收集各蒸发段的元素并层积成膜，实现粗金的高度纯化，同时使金的晶粒平均尺寸小于100nm，晶粒标准偏差小于20％，具有均匀性好的特点。
- 一种高纯均匀性金靶材及其制备方法应用
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