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[发明专利]半导体器件的制备方法、阵列基板以及显示面板-CN202311105008.X在审
发明人：李广圣;蒋雷;黄学勇;叶宁;宁和俊;朱成顺;谢俊烽 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的制备方法、阵列基板以及显示面板，半导体器件的制备方法包括在衬底基板上形成金属氧化物半导体层；在金属氧化物半导体层远离衬底基板的一侧形成第二绝缘介电层；还包括在第二绝缘介电层远离衬底基板的一侧形成金属氧化物隔绝层；其中，金属氧化物隔绝层与第二绝缘介电层远离衬底基板的表面接触，金属氧化物隔绝层中氧元素的浓度大于第二绝缘介电层中氧元素的浓度，第二绝缘介电层中氧元素的浓度大于金属氧化物半导体层中氧元素的浓度。该制备方法通过在第二绝缘介电层远离衬底基板的一侧形成金属氧化物隔绝层，可以有效提升半导体器件的稳定性。
半导体器件制备方法阵列以及显示面板

[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板-CN202310953463.9在审
发明人： 宁和俊;宋颖;朱成顺;黄学勇;苏智荣;叶利丹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，阵列基板的制作方法，包括步骤：提供一基底，在所述基底上形成金属氧化物半导体层；在所述金属氧化物半导体层上形成保护层；在所述保护层上形成绝缘层；其中，所述金属氧化物半导体层和所述保护层在同一成膜腔室内形成，且所述金属氧化物半导体层和所述保护层同步进行蚀刻。采用上述手段之后，在整个阵列基板的制作过程中，金属氧化物半导体层都不会裸漏在外，不会与空气接触，因此金属氧化物半导体层的表面不受空气中水汽杂质等的影响，有效的保护了金属氧化物半导体层和绝缘膜层之间的界面，从而能有效的改善薄膜晶体管器件的性能。
阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]晶体管、阵列基板以及显示面板-CN202211207799.2在审
发明人：李广圣;蒋雷;叶宁;黄学勇;宁和俊;朱成顺;李荣荣 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体管、阵列基板以及显示面板，所述晶体管包括有源层，所述有源层包括：沿远离所述第一栅极的方向依次叠层的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层；其中，所述第一金属氧化物层的载流子浓度最高，且所述第二金属氧化物层以及所述第三金属氧化物层的至少一个中，每个未产生载流子的金属元素单体的摩尔质量不小于产生载流子的金属单体的摩尔质量，本申请通过其他金属氧化物层提高或者保持优越的电化学稳定性，避免因产生载流子浓度过高而其他起电化学稳定性的元素浓度过低导致电化学稳定性较低的影响，将载流子浓度较高的材料与稳定性更好的材料相互叠加形成迁移率高，稳定性好的复合半导体膜层，实现器件的性能提升。
晶体管阵列以及显示面板