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[发明专利]一种微型变压器隔离层的制备方法-CN202211042535.6在审
发明人：谢强;钟立志;刘燕;孙金池;屈怀泊 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型变压器隔离层的制备方法，步骤包括：选用N型100双抛圆片为衬底；双抛圆片上蒸发一层铝，在铝层表面进行光刻，形成光刻图形；将光刻后的双抛圆片放入铝腐蚀液中进行腐蚀，去除双抛圆片表面的光刻图形，得到铝层；在双抛圆片表面生产一层等离子氧化膜，进行表面光刻，去掉表面的光刻图形，得到氧化层；在双抛圆片表面蒸发一层金，进行表面光刻，再将双抛圆片放入金电镀液中进行电镀，去除表面光刻胶得到第一金电极。本发明通过增加隔离层聚酰亚胺的厚度，以提高变压器线圈间的击穿电压参数和平整度，提高器件的一致性。
一种微型变压器隔离制备方法

[发明专利]一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统-CN202111271901.0在审
发明人：杨小兵;王传敏;孙金池;殷丽;赵昕;吴立成;王华 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统，采用合适的刻蚀/钝化阶段气体流量和时间，硅对光刻胶刻蚀选择比高(120：1)，在整个刻蚀过程中可以直接用光刻胶作为刻蚀掩模；采用高射频功率产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率可达5um/min；采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换时间和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度(90°±0.1°)，线条光滑。本发明直接用光刻胶作为刻蚀掩模，避免了在大于100微米深槽刻蚀中常规的金属掩模，既使得工艺过程变得简单，又不会对工艺腔室造成污染；其独特的刻蚀性能可以有效地实现台面高频晶体管硅隔离深槽结构。
一种光刻选择隔离刻蚀方法系统

[发明专利]一种采油设备管理系统-CN202111327348.8在审
发明人：吴法祥;李洪坤;董超;李金康;孙金池 -专利权人：山东寿光市坤隆石油机械股份有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及物联网技术领域，提供一种采油设备管理系统，包括平台主机和物联感知元件，物联感知元件，用于对包含油气水井、抽油杆、抽油泵及相关采油在内的采油设备进行全面的物联感知，采集采油生产数据，并将采集到的所述采油生产数据传送至所述终端主机；平台主机，与所述物联感知元件通讯连接，用于接收所述物联感知元件发送的采油生产数据，并对所述采油生产数据进行大数据处理，生成采油设备管理内容，从而实现现油井和采油设备运行参数的自动采集和控制，油气田生产运行监控和管理，进而提高生产操作的自动化水平，进一步提高油气田生产决策的及时性和准确性。
一种采油设备管理系统

[发明专利]一种GCr15钢提高综合力学性能的热处理方法-CN202010108934.2有效
发明人：于兴福;刘洪秀;孙金池;魏英华;刘天明;高悦;曲彦平;刘金玲;杨文武;张明帅;刘永宝;安敏 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C21D1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种GCr15钢提高综合力学性能的热处理方法：步骤一、将GCr15钢放入预先加热的热处理炉中进行预热，使热处理材料均温，然后以升温至540℃‑560℃，保温；步骤二、从540℃‑560℃升温至840℃‑860℃，保温；步骤三、淬火用的盐浴炉，需预先加热至190‑210℃，并保温一段时间；步骤四、将步骤二保温结束的GCr15钢立刻放入盐浴炉中进行等温淬火；步骤五、等温淬火后的试样从盐浴炉取出，缓慢冷却，冷却至室温后洗净表面的盐。本发明能够克服传统的马氏体等温淬火工艺所得到的马氏体组织硬度高韧性差的问题，并且克服全贝氏体等温淬火工艺所得到的贝氏体组织韧性好硬度低的问题。
一种 gcr15 提高综合力学性能热处理方法

[发明专利]一种控制高温轴承钢尺寸变化的热处理方法-CN202010108534.1有效
发明人：于兴福;魏英华;孙金池;刘洪秀;高悦;杨树新;杨文武;安敏;刘永宝;夏云志 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C21D1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制高温轴承钢尺寸变化的热处理方法，包括以下步骤：步骤一，将8Cr4Mo4V钢进行锻造、球化退火及机加工处理；步骤二，将机加工处理后的8Cr4Mo4V钢进行淬火和回火；步骤三，对淬火和回火后的8Cr4Mo4V钢进行一次冷热循环稳定处理和粗磨；步骤四，对粗磨后的8Cr4Mo4V钢进行第二次冷热循环稳定处理；步骤五，对两次冷热循环稳定处理后的8Cr4Mo4V钢进行第3次冷热循环稳定处理和低温稳定热处理，然后对轴承滚道进行精磨和研磨后成品。本发明专利是在尺寸稳定热处理基础上，对轴承零件再进行热处理，从而最大限度的控制轴承尺寸变化，提高轴承尺寸精度。
一种控制高温轴承钢尺寸变化热处理方法

[实用新型]一种溅射工艺托盘装置-CN202021142102.4有效
发明人：钟立志;刘学明;孙金池;王传敏 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射工艺托盘装置，包括托盘本体(1)、基片卡位凹槽(2)、基片悬空底板(3)、取片口(4)、定位卡槽(5)、基片放置位置(6)，采用基片卡位凹槽(2)及基片悬空底板(3)的设计，解决了以往托盘工艺过程中基片易滑出碎片、溅射工艺托盘存在加工过程中容易划伤基片背面的问题，同时利用取片口(4)使工艺操作更加便捷。
一种溅射工艺托盘装置

[发明专利]一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法-CN201810651525.X有效
发明人：屈怀泊;刘燕;谢强;孙金池 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，涉及互联硅通孔的制作方法领域；包括如下步骤：步骤(一)、在高阻硅的上底面和下底面进行氧化；步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜；步骤(四)、在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；步骤(五)、制作互联硅通孔信号输入/输出端；步骤(六)、制作形成地层互联层；步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀；步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片；本发明工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。
一种电阻可调互联硅通孔制作方法

[发明专利]一种抗低剂量率辐照的双极器件制造方法-CN201611020629.8有效
发明人：赵昕;王传敏;杨小兵;殷丽;孙金池;郝贵争 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗低剂量率辐照的双极器件制造方法。该方法采用PSG(磷硅玻璃)+SiO₂双层电极隔离介质和SiO₂+BPSG(硼磷硅玻璃)+SiO₂的多层钝化结构。本结构一方面大大降低了电极隔离介质层中的总缺陷数量；另一方面通过PSG和BPSG对正电荷的吸附性，阻止辐照环境下感生的正电荷在Si‑SiO₂界面积累，进而提高双极型器件的抗低剂量率辐照能力。本发明涉及的制造方法工艺步骤简单，与目前普遍应用的Si制造工艺兼容，可以用来制造具有抗低剂量率辐照能力的双极型器件。
一种剂量率辐照器件制造方法

[发明专利]一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法-CN201711115312.7在审
发明人：赵昕;王传敏;殷丽;杨小兵;吴立成;张文敏;孙金池;王昊 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳秒级高速开关双极晶体管制造方法，属于半导体分立器件设计和制造领域。本发明采用后扩金工艺，避免了传统扩金工艺在扩金后再进行发射区推结，抑制了传统工艺带来的金固溶度的降低和金原子的沉淀，提高了器件的开关速度和可靠性，此外，扩金在硅中引入的复合中心，可以缩短少子寿命，减小基极复合电流，从而提高了器件抗ELDRS效应的能力。基区和发射区表面的电极隔离介质层采用热氧化工艺制造，减少辐照时氧化层中感生的正电荷，提高了器件抗ELDRS效应的能力。芯片钝化膜采用SiO2+BPSG+Si3N4的多层钝化结构，可提高器件耐湿和抗环境污染的能力。
一种纳秒级抗辐照 npn 双极晶体管制造方法

[发明专利]一种亚微米多层金属电极的制作方法-CN201110364080.5有效
发明人：杨小兵;王传敏;刘军;孙金池;姚全斌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种亚微米多层金属电极的制作方法，包括下列步骤：(1)采用蒸发或者溅射工艺形成Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层；(2)光刻出电极图形，然后电镀Au金属层，电镀完毕后去胶；(3)采用三步刻蚀Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层，第一步采用以惰性气体为主的离子束工艺将电镀子层最上面的Au层刻蚀掉，第二步以F基气体或者Cl基气体为主的等离子体工艺将Ti-W-Ti层大部分金属层刻蚀掉，第三步以CF4气体为主要刻蚀气体，采用等离子工艺进行过刻蚀，将残留的金属残渣刻蚀干净；(4)刻蚀后的电极再进行无氧气氛中退火，以修复电极刻蚀损伤。采用本发明的方法能够使得电极耐高温焊接，并能够减少刻蚀过程对器件的损伤。
一种微米多层金属电极制作方法

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