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[发明专利]一种纺织纱筒自动化落纱装置-CN202210079157.2在审
发明人： 孙玉润 -专利权人： 孙玉润
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： D01H9/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种纺织纱筒自动化落纱装置，涉及纺织加工技术领域。一种纺织纱筒自动化落纱装置包括：所述操控件设置于所述车身，所述三自由度移动件设置于所述车身，所述插管件设置于所述车身，所述升降移动件设置于所述车身，所述支撑件设置于所述三自由度移动件上，所述夹持件设置于所述支撑件上，所述自锁件和所述夹持件互相配合，利用操控件控制车身沿着纺纱机移动的同时，控制三自由度移动件配合拔管机构将纺纱机上的成品纱筒取下置于收纳筐内，同时控制插管件将空的纱筒插在纺纱机的纱锭上，该落纱装置一边移动一边进行拔插纱筒的工作，极大的减轻了工人的工作量，同时极大的提升了工作效率，进一步提高了产量。
一种纺织自动化装置

[发明专利]多结叠层光伏电池子电池电流及匹配度的检测方法-CN202010894576.2在审
发明人：王安成;董建荣;孙玉润;于淑珍;尹佳静 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结叠层光伏电池子电池电流及匹配度的检测方法。所述检测方法包括：通过测试多结叠层光伏电池的I‑V特性，得到所述多结叠层光伏电池的I‑V曲线；通过量取所述I‑V曲线中各电流台阶所对应的电流，得到所述多结叠层光伏电池中各结子电池的短路电流的近似值，再通过计算该一组电流的离散系数，获得所述多结叠层光伏电池中各结子电池电流的匹配度。本发明提供的检测方法通过计算I‑V曲线中出现的所有台阶对应的电流值组合的离散系数，得出多结叠层光伏电池子电池的电流匹配度，检验过程快速简单，不需标准光源光谱、不需要加偏置光以及根据标准光源光谱积分等复杂耗时的过程。
多结叠层光伏电池子电池电流匹配检测方法

[发明专利]电池片基板、光伏电池、光伏电池组件及其组装方法-CN202111164842.7在审
发明人： 孙玉润;董建荣;于淑珍;张伟;王安成;尹佳静;付秋雪;王珺声 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于光伏电池的电池片基板，其包括：第一基板主体、正面第一电极、正面第二电极、背面第一电极以及背面第二电极，第一基板主体包括彼此相对的第一表面和第二表面，正面第一电极和正面第二电极设置于第一表面上，且正面第一电极和正面第二电极彼此间隔，背面第一电极和背面第二电极设置于第二表面上，且背面第一电极和背面第二电极彼此间隔，正面第一电极的宽度大于正面第二电极的宽度，正面第一电极和背面第一电极彼此导通，正面第二电极和背面第二电极彼此导通。本发明还提供了一种光伏电池、光伏电池组件及其组装方法。本发明将电池片基板上的正面第二电极与背面第二电极连接导通，以此来有效降低正面第二电极的电阻。
电池片基板组件及其组装方法

[发明专利]一种多结叠层激光光伏电池-CN201910476086.8在审
发明人：董建荣;孙玉润;赵勇明;于淑珍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结叠层激光光伏电池，其包括电池单元层叠体以及分别与电池单元层叠体底部、顶部电连接的下、上电极，所述电池单元层叠体包括层叠设置的6个以上PN结子电池，相邻两个所述的子电池之间经隧穿结串联。其中每个PN结子电池采用一种带隙的半导体单晶材料作吸收层，多个子电池中至少具有2种不同带隙，各子电池的带隙从所述光伏电池的光入射侧到另一侧按依次减小的顺序排列。与现有技术相比，本发明提供的多结叠层激光光伏电池因采用了多带隙材料作为吸收层，不仅可以使得多结叠层电池的制作更易于实现(尤其对于是超多结叠层光伏电池效果更为显著)，又能大幅减小电池的总厚度、降低制造成本。
一种多结叠层激光电池

[发明专利]多结叠层激光光伏电池及其制作方法-CN201710249314.9有效
发明人：董建荣;赵勇明;孙玉润;黄杰;于淑珍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结叠层激光光伏电池，其包括电池单元层叠体以及分别与电池单元层叠体底部、顶部电连接的下电极、上电极，所述电池单元层叠体包括层叠设置的N个AlGaAs PN结子电池，相邻两个所述的子电池之间经隧穿结串联，N≥2。所述AlGaAs PN结子电池采用AlGaAs吸收层。本发明还公开了制作所述多结叠层激光光伏电池的方法。本发明采用AlGaAs作为多结叠层电池的吸收层转换激光能量，可以有效提高光伏电池的开路电压，进而可以大幅提升光伏电池的转换效率。
多结叠层激光电池及其制作方法

[发明专利]光伏器件及其制备方法-CN201410748243.3有效
发明人：何洋;宋焱;董建荣;孙玉润;赵勇明;于淑珍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏器件，该光伏器件包括衬底及生长于衬底上的光伏电池，还包括设置于衬底和光伏电池之间的Al2O3材料层。本发明还公开了该光伏器件的制备方法，包括步骤A、在衬底上生长一Al(Ga)As材料层；B、在Al(Ga)As材料层上生长光伏电池；C、通过湿氧氧化法将Al(Ga)As材料层横向氧化成Al2O3材料层，形成湿氧氧化层。该光伏器件不仅可有效地防止半绝缘衬底在光照下导致的漏电问题，还可增大光伏电池的并联电阻，增加转换效率。
器件及其制备方法

[发明专利]一种倒装结构的激光光伏电池及其制作方法-CN201310060832.8有效
发明人：赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/047 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的正电极、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。
一种倒装结构激光电池及其制作方法

[发明专利]倒装结构的激光光伏电池及其制作方法-CN201310060831.3有效
发明人：赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的负电极、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。
倒装结构激光电池及其制作方法

[发明专利]激光光伏电池及其制备方法-CN201710220268.X在审
发明人： 孙玉润;董建荣;何洋;赵勇明;黄杰;于淑珍 -专利权人：江苏中天科技股份有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种激光光伏电池及其制备方法，所述激光光伏电池包括依次形成于衬底上的第一子电池、第一隧道结、第二子电池、第二隧道结、第三子电池、第三隧道结、第四子电池以及欧姆接触层。本发明提出在导电衬底上制备多结叠层电池，该电池适合应用于980nm及以上波长的激光通讯系统中，在获得高输出电压的同时，避免了隔离槽的刻蚀工艺和隔离槽刻蚀带来的侧壁表面态复合、钝化以及有效受光面减小的问题，降低了对入射激光光束质量的要求，而且光伏电池的下电极可直接制作在导电衬底的背面，有利于减小器件的串联电阻，最终将显著提升激光光伏电池的性能。
激光电池及其制备方法

[发明专利]四结级联的太阳能电池及其制备方法-CN201410016801.7有效
发明人：何洋;董建荣;李奎龙;孙玉润 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供的一种四结级联的太阳能电池，包括依次设置的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池以及InGaAs子电池，其中，所述GaAs子电池和InGaAlAs子电池之间设有一由InxGa1‑x‑yAlyAs材料形成的渐变过渡层，所述渐变过渡层的带隙大于GaAs子电池的带隙。该四结级联的太阳能电池，通过分别具有1.90eV、1.42eV、1.00eV和0.73eV带隙的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池和InGaAs子电池，降低各子电池之间的电流失配，从而减小光电转换过程中的热能损失，提高太阳能电池的转换效率；同时，该太阳能电池通过一次生长并与第二衬底键合的方式形成，不仅降低了太阳能电池的制备难度，同时也降低了该太阳能电池的制备成本。
级联太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种集成激光器及其制备方法-CN201511022303.4在审
发明人：赵勇明;孙玉润;于淑珍;何洋;宋焱;董建荣 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成激光器，包括光电探测器和面发射激光器，所述光电探测器与所述面发射激光器共用一衬底。本发明还提供这种集成激光器的制备方法，用于将光电探测器和面发射激光器集成为一体。本发明将面发射激光器与光电探测器通过半导体制造工艺方法实现单片集成，有利于实现探测系统的微型化，提高了器件的集成度。
一种集成激光器及其制备方法

[发明专利]一种面发射激光器及其制备方法-CN201511022383.3在审
发明人：赵勇明;孙玉润;于淑珍;何洋;宋焱;董建荣 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种面发射激光器，从下至上依次为底电极、衬底、下布拉格反射镜、有源区、氧化限制层、上布拉格反射镜、接触层、外接电极、还包括隔离槽以及覆设于所述隔离槽表面的钝化层，以及连接于所述接触层与所述外接电极之间的接触电极；所述隔离槽至所述接触层表面往下延伸贯穿所述上布拉格反射镜到达所述氧化限制层，所述接触电极为石墨烯透明电极。本发明采用石墨烯材料在出光端面制作石墨烯透明电极，与出光端面外接电极形成顶电极，来代替现有的环形金属电极，实现电流的注入，能够改善器件工作的稳定性。而且该石墨烯透明电极具有较高的导热性和导电性、机械强度高和极高的透光性等优点。
一种发射激光器及其制备方法

[发明专利]光伏器件及其制备方法、多结GaAs叠层激光光伏电池-CN201510689932.6在审
发明人：何洋;宋焱;董建荣;孙玉润;赵勇明;于淑珍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明属于光伏器件领域，尤其公开了一种多结GaAs叠层激光光伏电池，包括衬底、在衬底上依次叠层设置的至少两个GaAs子电池、以及设置于两相邻GaAs子电池之间的遂穿结。所述多结GaAs叠层激光光伏电池利用遂穿结将若干GaAs子电池相串联，无需刻蚀隔离槽，采用引线的方式串联，增大了多结GaAs叠层激光光伏电池的有效受光面积，从而获得了较高的输出电压；同时避免了刻蚀工艺和填充工艺。该多结GaAs叠层激光光伏电池采用导电衬底，可有效改善散热，降低工作温度。本发明还公开了具有上述多结GaAs叠层激光光伏电池的光伏器件及其制备方法。本发明的光伏器件可减小该光伏器件的串联电阻，提高填充因子。
器件及其制备方法多结 gaas 激光电池

[发明专利]采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法-CN201510688786.5在审
发明人： 孙玉润;董建荣;何洋;宋焱;赵勇明;于淑珍 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述面发射激光器的出光端面上分布有石墨烯桥接层，所述石墨烯桥接层连续覆盖出光端面电极、隔离槽和出光端面外接电极，且所述石墨烯桥接层还与出光端面电极以及出光端面外接电极电性接触而共同形成所述激光器的上表面电极。本发明通过采用石墨烯材料作为桥接层，其具有优异柔韧性，不易断裂，能有效避免VCSEL隔离槽上电极金属容易断裂的问题，提高了激光器的稳定性，同时其还具有导电性好、透光性好等优点，能有效减少对器件发光的吸收，进一步提升激光器性能，还可大幅降低器件生产成本。本发明采用的VCSEL制备工艺与传统III‑V族制作工艺兼容，工艺流程简单易于实施。
采用石墨进行电极搭桥发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法-CN201310153013.8有效
发明人：李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs1‑x‑yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1‑mAs1‑nBin中间电池层、第二隧道结、AlpGa1‑pAs顶电池层及GaAs接触层；再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。
一种级联太阳能电池结构及其制备方法

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