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[发明专利]像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片-CN202110654665.4有效
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片；所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行平行排列的像元；相邻行中的像元沿行方向错位设置；相邻两行像元在列方向的中心距不小于一个像元在列方向的物理尺寸。本发明提供的像元错位的铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，通过设置相邻两行的像元形成合理的错位结构，可以有效地利用相邻行的像元实现对检测对象的成像互补，避免了由于相邻像元的成像空隙对入射光无响应，显著降低了探测系统对场景中异常的漏检概率的问题，并能通过图像融合处理实现图像分辨率的提升。
错位铟镓砷线列探测器检测方法铟镓砷光敏芯片

[发明专利]一种平衡探测器阵列-CN202210298166.0在审
发明人：高红彪;孙夺;顾溢 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种平衡探测器阵列。该平衡探测器阵列包括第一探测器阵列和第二探测器阵列，采用镜像方式设置于同一衬底。第一探测器阵列和第二探测器阵列均包括M个探测器像元且一一对应，第一探测器阵列和第二探测器阵列的M个探测器像元构成M个平衡像元对，每个平衡像元对用于输出一个差分信号，M为大于1的整数。每个平衡像元对包括第一探测器像元和第二探测器像元，第一探测器像元和第二探测器像元的光敏区域的几何中心分别位于第一直线和第二直线，第二直线与第一直线平行，第一探测器像元和第二探测器像元的光敏区域的几何中心的连线与第一直线垂直。该平衡探测器阵列能够提升光电探测器的光敏区域的占空比，以及激光雷达的出点率。
一种平衡探测器阵列

[发明专利]一种平衡光电探测器、测距装置和测速装置-CN202111672730.2在审
发明人：孙夺;高红彪;顾溢 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种平衡光电探测器、测距装置和测速装置，用于提升占空比，实现小型化。本申请实施例提供的平衡探测器包括：第一掺杂区、第二掺杂区和透光层；第一掺杂区和第二掺杂区位于透光层的第一面上；第一掺杂区用于在第一面上接收第一光信号，并在与第一面相对的第二面上，输出第一光信号对应的第一电信号；其中，第一光信号为本振光和信号光经光混频器输出的一路光；第二掺杂区用于在第一面上接收第二光信号，并在与第一面相对的第三面上，输出第二光信号对应的第二电信号；其中，第二光信号为本振光和信号光经光混频器输出的另一路光。
一种平衡光电探测器测距装置测速

[实用新型]一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构-CN202221254088.6有效
发明人：顾溢;李雪;李淘;孙夺;刘大福 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构。该测试结构包括衬底、底面层、待测试层和表面层；待测试层位于底面层和表面层中间；其中，衬底为半绝缘InP衬底；底面层为不掺杂高铟组分InXAs底面层；待测试层为待测试高铟组分InGaAs层；表面层为不掺杂高铟组分InYAs表面层；表面层的厚度为10～100nm；底面层中InXAs与待测试层中InGaAs的晶格匹配；表面层中InYAs的禁带宽度大于待测试层中InGaAs的禁带宽度。本实用新型提供的测试结构可以消除在待测试高铟组分InGaAs材料表面和底面的载流子复合对于微波光电导衰减法测试少子寿命准确度的影响，从而对高铟组分InGaAs材料的少子寿命进行准确、有效的测试。
一种组分 ingaas 材料少子寿命测试结构

[发明专利]一种液体火箭发动机及其同轴式喷嘴组件-CN202210874915.X有效
发明人：孙夺;王明哲;郭利明;刘业奎;李文鹏;王维彬;申帅帅;余鹏;杨海峰 -专利权人：北京宇航推进科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： F02K9/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种液体火箭发动机及其同轴式喷嘴组件，所述同轴式喷嘴组件包括：第一离心喷嘴，包括头部、设置于所述头部上的第一柱状部，所述头部上环第一柱状部设置有凹槽；第二离心喷嘴，包括上端开口的中空第二柱状部、设置于所述开口外围及第二柱状部上的插接部。其中，所述第一柱状部经所述开口插入到第二柱状部中空处；所述插接部插入到所述凹槽限制第一离心喷嘴、第二离心喷嘴的径向活动以使二者保持在预设的同轴度，从而提供了一种工况相对稳定的技术方案。
一种液体火箭发动机及其同轴喷嘴组件

[发明专利]一种液体火箭发动机的燃气发生器及其头部-CN202211353444.4有效
发明人：孙夺;王明哲;郭利明;刘业奎;李文鹏;王维彬;申帅帅;余鹏;杨海峰 -专利权人：北京宇航推进科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F02K9/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种液体火箭发动机的燃气发生器及其头部，所述燃气发生器头部包括基体、均流环、多个双离心喷嘴，所述基体、均流环的结构设置可形成用于对第一推进剂进行均流、缓冲的第一均流腔、对第二推进剂进行均流、缓冲的第二均流腔，均流腔与所述多个双离心喷嘴的协同作用可实现第一推进剂、第二推进剂的良好的雾化混合均匀性、燃烧均匀性和高效率燃烧，且均流腔的设置可对推进剂起到缓冲的作用、可防止推进剂直接通过均流孔、或是直接作用于喷嘴等构件，进而可减少推进剂冲击力对头部构件的损伤延长其使用寿命。
一种液体火箭发动机燃气发生器及其头部

[发明专利]硅基混成多量子阱结构及其制备方法-CN202110720680.4在审
发明人：顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基混成多量子阱结构，包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层；所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层，所述势阱层的材料组分满足：BxGa1‑xAs1‑yBiy，x≥5％，y≥5％。所述势阱层相对于所述势垒层靠近所述缓冲层。本发明在保证硅基发光的前提下，能够极大地缓解晶格失配，以及能够克服热失配和极性失配；从而提高了半导体材料的质量，能够应用并有助于高速微电子器件的质量提升。
混成多量结构及其制备方法

[发明专利]长波III-V族红外探测器及其制备方法-CN202110720700.8在审
发明人：顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本发明提供的长波III‑V族红外探测器及其制备方法通过在衬底上以满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层制备长波III‑V族红外探测器，获得了较好的化学稳定性，保证了耐热性的同时，具有较高的吸收系数，能够保持与衬底较小的晶格失配，从而提升了探测器性能。
长波 iii 红外探测器及其制备方法

[实用新型]灰尘吹扫装置-CN202221482214.3有效
发明人：刘桂源;顾溢;刘大福;孙夺;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灰尘吹扫装置，该装置包括：等离子气体生成装置以及吹扫装置；吹扫装置设置有第一进气口、第一排出口、第二进气口、第二排出口、部件装夹结构以及吹扫腔室；第一进气口、第一排出口、第二进气口以及第二排出口均与吹扫腔室连通，部件装夹结构用于放置被吹扫部件且设置有吹扫开口，吹扫开口与吹扫腔室连通；第一进气口面对吹扫开口，第一进气口连接于等离子气体生成装置并接收等离子气体装置生成的等离子气体。该灰尘吹扫装置通过等离子气体吹扫被吹扫部件表面的灰尘，实现被吹扫部件的除尘。
灰尘装置

[发明专利]像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法-CN202110718986.6在审
发明人：孙夺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片及其制备方法，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立。本发明的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构，可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号，从而获取感光探测数据。同时，外接电路也可根据实际应用场景自定义对接电极层中的若干电极，以获取需要的像元参数。本实施例通过像元的偏压独立控制以及像元信号片上均匀性校正，显著地提高了红外探测的准确性及模块化工作的可操作性。
偏压可控铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法

[发明专利]铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片-CN202110608346.X在审
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行数量相等的像元；各行像元中相同序位的所述像元在列轴方向对齐；沿所述列轴方向的相邻两个像元之间的中心距不小于沿行轴方向上相邻两个像元之间的中心距。本发明通过合理地设置多行线列像元以及其间的距离，可以实现快速精确地扫描，以及对检测对象进行快速复验，从而显著地提高了短波红外检测的效率及准确性。
铟镓砷线列探测器基于检测方法铟镓砷光敏芯片

[实用新型]短波红外探测器-CN202221520327.8有效
发明人：孙夺;李雪;顾溢;李淘;刘大福 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种短波红外探测器，所述短波红外探测器包括光敏芯片、读出电路和微透镜阵列模组；所述光敏芯片包括M组光敏像元，且至少存在两组列方向尺寸相同、行方向尺寸不同的光敏像元，每组所述光敏像元均与所述读出电路电连接，其中，M≥2且取正整数；所述微透镜阵列模组包括若干个分别与所述光敏像元逐一对应设置的微透镜阵列；所述读出电路固设于所述光敏芯片的下方，用于获取所述光敏像元对探测目标的光电转换信号，通过提出一种新型结构的短波红外探测器，能够显著提高现有的短波红外探测器的光信号探测能力。
短波红外探测器

[实用新型]焦平面探测器检测装置-CN202221482243.X有效
发明人：杨睿杰;张镇峰;孙夺;李淘;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种焦平面探测器检测装置，焦平面探测器检测装置包括壳体、放置单元、第一遮挡单元、辐射源、接收单元，壳体具有第一侧壁，第一侧壁上开设有通孔；放置单元用于放置焦平面探测器，并驱动焦平面探测器进入壳体并能够运动至第一位置；第一遮挡单元安装于壳体上并用于打开或覆盖通孔；辐射源，置于壳体外部，焦平面探测器运动至第一位置时，辐射源能够通过通孔辐照于焦平面探测器的感光面；接收单元，与焦平面探测器电连接，接收单元用于采集数据。通过放置单元引导以控制焦平面探测器的移动，便于操作，无需手动更换焦平面探测器并调整其位置，避免焦平面探测器受辐照位置发生偏移，提高测试结果准确度。
平面探测器检测装置

[实用新型]探测器缺陷像元的检测系统-CN202221574003.2有效
发明人：张镇峰;杨睿杰;孙夺;李淘;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种探测器缺陷像元的检测系统，其中检测探测器缺陷像元的系统，包括辐照源、衰减片架与衰减片；辐照源的辐照端与探测器的探测端对应放置；衰减片架位于辐照源与探测器之间；辐照源用于辐射光子供探测器探测，辐照源的辐照端为辐照源向外辐射光子的一端，探测器的探测端为探测器接收光子的一端；衰减片架用于放置不同滤光性的衰减片。本实用新型通过衰减片架，可以实现不改变辐照源本身的情形下，改变辐照源辐射向探测器的能量，使得变量的控制更为精准，从而可以提升在不同辐照能量下对缺陷像元进行检测的精确度。
探测器缺陷检测系统

[发明专利]双组元姿轨控动力装置及具有其的飞行器-CN202210809721.1有效
发明人：孙夺;王明哲;郭利明;刘业奎;李文鹏;申帅帅;余鹏;杨海峰 -专利权人：北京宇航推进科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B64G1/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种双组元姿轨控动力装置及具有其的飞行器，该双组元姿轨控动力装置包括主体、两个推力室以及四个电磁阀，主体的第一侧相隔设置有两个推进剂入口，主体内设置有供推进剂流通的多条流道，主体的与第一侧相对的第二侧伸出设置有两个凸台，两个凸台之间具有夹角；两个推力室分别安装在两个凸台上，每个推力室设置成能够与两个推进剂入口同时连通；四个电磁阀两两安装在主体的第三侧和第四侧，第三侧与第四侧相对设置且均位于第一侧与第二侧之间，每个电磁阀与一个推进剂入口和一个推力室分别连通，以控制推进剂自推进剂入口流通至推力室。本发明提出的双组元姿轨控动力装置结构简单可靠、集成度高。
双组元姿轨控动力装置具有飞行器

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