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[发明专利]一种基于温-湿度交互作用的元器件加速寿命预测方法-CN202310629411.6在审
发明人：赵立有;王昆黍;孔泽斌;汪波;王骏;陈凡 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于温‑湿度交互作用的元器件加速寿命预测方法，包括如下步骤：S1、进行加速寿命试验，获取性能退化数据；S2、基于Wiener过程进行产品性能退化建模；S3、温‑湿度交互作用加速寿命模型参数估计；S4、进行寿命和可靠性评估；S5、加速寿命模型有效性评估。本发明不但考虑了温度和湿度的影响，还充分考虑了二者的交互作用，更符合元器件在复杂环境下的实际应用情况，为元器件寿命预测和可靠性评估提供了一种新的可行的加速寿命模型。
一种基于湿度交互作用元器件加速寿命预测方法

[发明专利]熔丝分辨电路及模数转换器-CN202310754100.2在审
发明人：胡永菲;雷郎成;刘虹宏;廉鹏飞;金森磊;孔泽斌 -专利权人：重庆吉芯科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明提供一种熔丝分辨电路及模数转换器，所述熔丝分辨电路包括可调电阻模块及偏置模块；在本发明中，基于可调电阻模块及偏置模块设计熔丝分辨电路，通过可调电阻模块对负载电流进行电流‑电压转换，得到大小可调的熔丝分辨电压，熔丝分辨电压作为熔丝状态信号的参考电压，便于熔丝状态的比较分辨，通过可调电阻模块将熔丝分辨阻抗变成可调的，在批量生产过程中可以根据可靠性试验后的结果调整其分辨率，保证了熔丝状态的可靠分辨，提高了熔丝分辨电路的灵活性与适用性；将其应用到模数转换器中时有利于提高模数转换器在恶劣环境中长期工作能力，对其工作可靠性也有所提高，同时不用采用特殊工艺，满足在常规CMOS上生产高性能模数转换器的要求。
分辨电路转换器

[发明专利]一种带交联乙烯-四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法-CN202111536195.8有效
发明人：赵立有;汪波;廉鹏飞;马林东;孔泽斌;楼建设;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B65B63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
一种交联乙烯导线组件腐蚀包装方法

[发明专利]倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法-CN202211184228.1在审
发明人：陈凡;孔泽斌;王昆黍;汪波;陈龙 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法，包括：制备倒装封装的GaN基LED器件；积分球透射法测试蓝宝石基片红外透射率；红外相机间接表征YAG:Ce3+荧光胶的红外透射状态；积分球反射计法测试GaN基LED芯片的红外发射率；特定光谱波长的锑化铟红外透射法和瞬态热阻法分别测试GaN基LED芯片温度，验证锑化铟红外透射法的测温准确性；GaN基LED器件接入老化电路，特定光谱波长的锑化铟红外透射法实时监测GaN基LED芯片温度。本发明验证了特定波长红外光在蓝宝石基片和YAG:Ce3+荧光胶的透射性，解决现有技术无法实时监测倒装封装的GaN基LED芯片温度的问题。
倒装封装 gan led 芯片温度实时监测方法

[发明专利]一种元器件加速寿命预测模型评估方法-CN202211630676.X在审
发明人：赵立有;王昆黍;孔泽斌;汪波;王骏;刘寅傲 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种元器件加速寿命预测模型评估方法，包括如下步骤：S1、利用所有数据建立可靠度模型R*(t)；设T1,T2,T3,…,TS为产品的加速应力；S2、将加速应力以S‑1：1的比例进行划分，将数据划分为训练数据和测试数据；S3、根据每个组合中的训练数据建立可靠度模型，推导测试数据对应应力的可靠度函数，记为R(t)；利用测试数据单独进行可靠度建模，将所得的可靠度函数定为标准可靠度函数，记为R0(t)；S4、将所有组合的R(t)与R0(t)进行比较，若误差均在给定的阈值范围内，即模型R*(t)准确。本发明为加速寿命预测模型的准确性评估问题提供了一种新的思路。
一种元器件加速寿命预测模型评估方法

[发明专利]一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法-CN202211113580.6在审
发明人：陈凡;孔泽斌;楼建设;王昆黍;陈龙 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法，其特征在于，包括：S1：在PCB覆铜板上制备Pt薄膜电阻温度传感器；S2：确定该Pt薄膜电阻温度传感器电阻和温度的换算M系数；S3：制备芯片底部有Pt薄膜电阻温度传感器的功率二极管；S6：将功率二极管接入老化电路，实时监测Pt薄膜电阻温度传感器电阻，通过Pt薄膜电阻温度传感器监测加电状态下的二极管结温。本发明相比于只能测试器件表面温度的热电偶法，测温的可重复性和均一性更好；相比于红外法，不需要考虑表面封装材料发射率的影响，测试的芯片结温更准确；相比于热阻测试法，在二极管加电测试过程中无需进行热阻测试，就可解决传统测试无法实时监测二极管结温的不足。
一种 pt 传感器实时监测状态功率二极管方法

[发明专利]可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法-CN202010267509.8有效
发明人：廉鹏飞;张辉;李娟;刘楠;刘伟鑫;王茜茜;孔泽斌;楼建设;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
调节封装半导体器件夹具测试方法

[发明专利]片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法-CN201911091011.4有效
发明人：李娟;李春;朱敏尉;刘楠;张辉;孔泽斌;张超;罗宇华;祝伟明;江芸;楼建设 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2019-11-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
钽电容及其阴极二氧化锰质量控制方法

[发明专利]用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法-CN202010341888.0有效
发明人：廉鹏飞;张辉;李娟;刘楠;鲁子牛;李君恒;孔泽斌;楼建设;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
用于 emmi 分析扁平封装半导体器件夹具方法

[发明专利]一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法-CN201911262362.7有效
发明人：汪波;牛睿;刘伟鑫;陈敏花;查理;孔泽斌 -专利权人：上海精密计量测试研究所;上海航天控制技术研究所
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
一种用于光敏三级空间位移效应检测方法

[发明专利]一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法-CN202010165155.6有效
发明人：廉鹏飞;张辉;李娟;许伟达;圣冬冬;潘莹;孔泽斌;楼建设;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
一种电压调整器动态 emmi 分析系统方法

[发明专利]一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法-CN202111530294.5在审
发明人：汪波;马林东;李珍;刘伟鑫;江芸;孔泽斌;刘建设;祝伟明;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
一种基于 cmos 图像传感器电流定量质子电离损伤方法

[发明专利]一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法-CN202111530295.X在审
发明人：汪波;秦林生;马林东;刘伟鑫;江芸;孔泽斌;祝伟明;楼建设;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
一种基于 cmos 图像传感器电流定量质子位移损伤方法

[发明专利]氮化镓微波功率器件结温测定方法-CN201910613866.2有效
发明人：杜林;孔泽斌;楼建设;冯琦;李晓彤;狄陆祺 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓微波功率器件结温测定方法，包括如下步骤：S1、计算氮化镓微波功率管的管芯热分布；S2、器件衬底和管壳温度校准；S3、利用微区拉曼法进行氮化镓层温度测量；S4、利用热反射成像法进行栅极金属温度测量；S5、利用有限元分析方法分层计算氮化镓层的最高结温和三维温度分布。本发明可以获取氮化镓微波功率器件的工作状态下的最高结温位置点、沟道温度分布和三维温度分布。通过仿真和实验测量数据结合的方法可以校验测试的数据有效性，最大可能避免因意外因素产生的测量误差和真实结温外推误差，采用上下边界条件来计算拟合氮化镓器件的结温，具有更准确的结温的有益效果。
氮化微波功率器件测定方法

[发明专利]一种横向元器件制样研磨方法-CN201811509557.2有效
发明人：廉鹏飞;刘相全;孔泽斌;罗宇华;杨亮亮;刘伟鑫;楼建设;徐导进 -专利权人：上海精密计量测试研究所;上海航天信息研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
一种横向元器件研磨方法

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