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[实用新型]一种无线智能同步放球装置-CN202121726058.6有效
发明人：陆万孝;陆达;陈晓平;陶建光;樊丽坤;王盈;郭海平;张欣娥;拓砚军;孔德胤;王庆有;孙令东 -专利权人：陆万孝
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01W1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及高空气象观测技术领域，具体涉及一种无线智能同步放球装置；包括设于室内的室内单元，以及位于室外的若干个室外单元，室内单元用于发送放球指令，以及接收室外单元指令并启动计算机接收软件与雷达，室外单元用于接收室内单元发来的放球指令，控制探空气球自动释放机构对释放探空气球，并向室内单元发送的启动计算机接收软件的指令，室内单元与室外单元通信连接；通过室内的室内系统控制室外的室外系统，解决了释放探测球与接收软件同步启动的问题。
一种无线智能同步装置

[发明专利]一种动态调谐的波导及微波等离子体装置-CN201810462143.2有效
发明人：阮存军;刘静;戴军;孔德胤;李仁杰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种动态调谐的波导及微波等离子体装置，包括波导腔体和调节装置，且所述调节装置与所述波导腔体之间可动连接，调节所述调节装置时改变所述波导腔体的场型。通过改变调节装置进入波导腔体内部的距离，能够动态改变特定频率微波在波导腔体内传输时的微波场型和反射系数，并获得最佳的微波耦合与传输效率，使得特定频率微波在波导腔体内传输时的发射损耗最小，同时本发明实施例提供的波导可以应用于各种需要调节电磁波耦合与阻抗匹配的场合，结构简单，易于实现。
一种动态调谐波导微波等离子体装置

[发明专利]增强微波与等离子体耦合率的谐振腔及微波等离子体装置-CN201810463874.9有效
发明人：阮存军;刘静;戴军;孔德胤;李仁杰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种增强大功率微波与其激发产生的等离子体耦合率的谐振腔，包括：谐振腔壁、等离子体发生装置、支撑装置及微波电场调频装置；等离子体发生装置，与支撑装置连接；支撑装置，与等离子体发生装置连接；微波电场调频装置，包裹在所述支撑装置外部；谐振腔壁，用于产生激发等离子所需的强微波场，包裹等离子体发生装置、支撑装置及微波电场调频装置。本发明实施例还提供了一种高效率的微波等离子体装置,包括：微波传输装置及上述谐振腔；微波传输装置与上述谐振腔耦合一起，用于向上述谐振腔内传输大功率微波并激发等离子体。本发明可以获取反射损耗最小的大功率微波电场并激发产生等离子体。
增强微波等离子体耦合谐振腔装置

[发明专利]微波与等离子体耦合率可调的谐振腔及微波等离子体装置-CN201810462305.2有效
发明人：阮存军;刘静;戴军;孔德胤;李仁杰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种大功率微波与其激发产生的等离子体耦合率可调的谐振腔，包括：圆柱谐振腔、等离子体生成装置、支撑装置及调节装置；等离子体生成装置，与支撑装置连接；支撑装置，一端连接等离子体生成装置，另一端连接调节装置；调节装置，与支撑装置连接；谐振腔，用于产生激发等离子所需的强微波场，包裹等离子体生成装置、支撑装置及调节装置。本发明实施例还提供了一种高效率的微波等离子体装置,包括：微波传输装置及上述谐振腔；微波传输装置与微波和等离子体耦合率可调的谐振腔耦合一起，用于向微波与等离子体耦合率可调的谐振腔内传输大功率微波并激发等离子体。本发明可以获取动态可调与最大化的等离子体电离效率。
微波等离子体耦合可调谐振腔装置

[发明专利]一种非旋转式的微波等离子体装置-CN201810462778.2有效
发明人：阮存军;刘静;戴军;孔德胤;李仁杰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01J61/30 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种非旋转式的微波等离子体装置，微波谐振腔为中空的腔体，灯泡设置于腔体中；灯泡由设定材料制成，设定材料为对微波和光均透明的高温、高导热性材料。灯泡的形状由微波谐振腔的形状确定，谐振腔的形状为圆柱时，灯泡的形状为椭圆形或组合形。本发明实施例，由于灯泡由设定材料制成，使得微波等离子体装置在工作状态下不需要通过旋转灯泡进行散热，在提高安全性的同时，还取消了用于驱动灯泡旋转的电机，简化了微波等离子体装置的组成构件。并且，可以根据不同形状微波谐振腔中的电场分布情况确定灯泡的形状，使灯泡形状与谐振腔内的电场形状相配合，从而增大灯泡所处位置的电场强度，较大的电场强度提高等离子体的激发效率。
灯泡微波等离子体装置微波谐振腔非旋转式谐振腔腔体等离子体高导热性材料灯泡形状电场分布电场形状激发效率所处位置形状确定组成构件透明的中空的组合形散热微波电机驱动配合

[实用新型]偏振态可调谐的太赫兹波发射器-CN201821439779.7有效
发明人：吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，通过在铁磁纳米薄膜周围设置第一电磁铁和第二电磁铁，使铁磁纳米薄膜处于两个磁场方向相互垂直的磁场内，当泵浦激光入射至铁磁纳米薄膜后，铁磁纳米薄膜所处的磁场分布不同，可以产生不同偏振态的太赫兹波，实现对产生的太赫兹波的偏振态的调节和控制，进而可实现超宽带线偏振太赫兹发射器、超宽带圆偏振太赫兹发生器以及超宽带椭圆偏振太赫兹发生器，不仅可实现弱场磁控偏振态的太赫兹波发射器，而且还可以实现强场磁控偏振态的太赫兹波发射器。
太赫兹波偏振态发射器纳米薄膜铁磁超宽带电磁铁太赫兹发生器可调谐磁控太赫兹发射器本实用新型泵浦激光磁场方向磁场分布椭圆偏振垂直的线偏振圆偏振强场入射弱场磁场

[实用新型]偏振态可调谐的太赫兹波发射器-CN201821438299.9有效
发明人：吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，将超材料层设置在铁磁纳米薄膜层上，超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；通过样品架带动铁磁纳米薄膜层旋转，进而带动超材料层旋转，对太赫兹波的偏振态进行调制。本实用新型实施例中将调制偏振态的超材料层集成在太赫兹波发射器内，使从太赫兹发射器出射的太赫兹波的偏振态可控，而不需要在使用其他外部元件实现太赫兹波的偏振态的调制。可实现片上集成的窄带线偏振太赫兹波发射器、窄带椭圆偏振太赫兹波发射器和窄带圆偏振太赫兹波发射器；不仅可实现弱场太赫兹偏振可控的发射器，而且也可用于偏振可调控的强场太赫兹发生器。
太赫兹波发射器偏振态超材料层窄带调制本实用新型纳米薄膜层可调谐偏振铁磁太赫兹发射器太赫兹发生器片上集成椭圆偏振外部元件镂空结构可调控可控的线偏振样品架圆偏振出射可控可用刻蚀强场弱场字型

[实用新型]强场太赫兹自旋发射器及光谱仪-CN201820867148.9有效
发明人：吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种强场太赫兹自旋发射器及光谱仪，强场太赫兹自旋发射器包括：预设尺寸的铁磁纳米薄膜、第一磁铁和第二磁铁；第一磁铁和第二磁铁均固定于铁磁纳米薄膜所处的平面内，且第一磁铁和第二磁铁设置在一条直线上，第一磁铁的第一极和第二磁铁的第二极相对设置，第一极和第二极的极性相反，铁磁纳米薄膜设置在第一极和第二极之间；预设脉冲宽度、单脉冲能量为预设能量的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜，产生预设频谱宽度、预设辐射场强度的太赫兹脉冲辐射。本实用新型实施例中提供的强场太赫兹自旋发射器，可实现超宽带、强场太赫兹脉冲辐射的产生，并且可避免现有技术中产生强场太赫兹脉冲辐射时的缺陷。
磁铁强场预设发射器纳米薄膜铁磁自旋太赫兹脉冲第一极本实用新型光谱仪辐射单脉冲能量泵浦激光极性相反相对设置超宽带辐射场脉冲频谱

[发明专利]偏振态可调谐的太赫兹波发射器-CN201811023377.3在审
发明人：吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，通过在铁磁纳米薄膜周围设置第一电磁铁和第二电磁铁，使铁磁纳米薄膜处于两个磁场方向相互垂直的磁场内，当泵浦激光入射至铁磁纳米薄膜后，铁磁纳米薄膜所处的磁场分布不同，可以产生不同偏振态的太赫兹波，实现对产生的太赫兹波的偏振态的调节和控制，进而可实现超宽带线偏振太赫兹发射器、超宽带圆偏振太赫兹发生器以及超宽带椭圆偏振太赫兹发生器，不仅可实现弱场磁控偏振态的太赫兹波发射器，而且还可以实现强场磁控偏振态的太赫兹波发射器。
太赫兹波偏振态发射器纳米薄膜铁磁超宽带电磁铁太赫兹发生器可调谐磁控太赫兹发射器泵浦激光磁场方向磁场分布椭圆偏振垂直的线偏振圆偏振强场入射弱场磁场

[发明专利]强场太赫兹自旋发射器及光谱仪-CN201810570581.0在审
发明人：吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种强场太赫兹自旋发射器及光谱仪，强场太赫兹自旋发射器包括：预设尺寸的铁磁纳米薄膜、第一磁铁和第二磁铁；第一磁铁和第二磁铁均固定于铁磁纳米薄膜所处的平面内，且第一磁铁和第二磁铁设置在一条直线上，第一磁铁的第一极和第二磁铁的第二极相对设置，第一极和第二极的极性相反，铁磁纳米薄膜设置在第一极和第二极之间；预设脉冲宽度、单脉冲能量为预设能量的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜，产生预设频谱宽度、预设辐射场强度的太赫兹脉冲辐射。本发明实施例中提供的强场太赫兹自旋发射器，可实现超宽带、强场太赫兹脉冲辐射的产生，并且可避免现有技术中产生强场太赫兹脉冲辐射时的缺陷。
磁铁强场预设发射器纳米薄膜铁磁自旋太赫兹脉冲第一极光谱仪辐射单脉冲能量泵浦激光极性相反相对设置超宽带辐射场脉冲频谱

[发明专利]偏振态可调谐的太赫兹波发射器-CN201811020719.6在审
发明人：吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，将超材料层设置在铁磁纳米薄膜层上，超材料层上刻蚀有周期性的“十”字型镂空结构；通过样品架带动铁磁纳米薄膜层旋转，进而带动超材料层旋转，对太赫兹波的偏振态进行调制。本发明实施例中将调制偏振态的超材料层集成在太赫兹波发射器内，使从太赫兹发射器出射的太赫兹波的偏振态可控，而不需要在使用其他外部元件实现太赫兹波的偏振态的调制。可实现片上集成的窄带线偏振太赫兹波发射器、窄带椭圆偏振太赫兹波发射器和窄带圆偏振太赫兹波发射器；不仅可实现弱场太赫兹偏振可控的发射器，而且也可用于偏振可调控的强场太赫兹发生器。
太赫兹波发射器偏振态超材料层窄带调制纳米薄膜层可调谐偏振铁磁太赫兹发射器太赫兹发生器片上集成椭圆偏振外部元件镂空结构可调控可控的线偏振样品架圆偏振出射可控可用刻蚀强场弱场字型

[实用新型]磁控偏振态的太赫兹波发射器-CN201820867162.9有效
发明人：吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了磁控偏振态的太赫兹波发射器，包括飞秒激光器、铁磁纳米薄膜、圆环形样品台和至少两个磁铁；至少两个磁铁均设置于圆环形样品台的圆环形台面上的预设位置上，铁磁纳米薄膜卡设在圆环形样品台的内圆上，铁磁纳米薄膜处于至少两个磁铁产生的磁场内；至少两个磁铁中每一磁铁的一磁极正朝向铁磁纳米薄膜；飞秒激光器输出的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜，产生基于至少两个磁铁控制偏振态的太赫兹波，太赫兹波通过圆环形样品台的内圆射出。通过飞秒激光器产生的脉冲泵浦激光透过铁磁纳米薄膜产生太赫兹波，在铁磁纳米薄膜周围外加磁场来实现对产生的太赫兹波的偏振态的调节和控制，不同的磁场分布实现不同偏振态的太赫兹的发射。
纳米薄膜铁磁太赫兹波偏振态圆环形磁铁样品台飞秒激光器发射器磁控内圆磁极本实用新型泵浦激光磁场分布磁铁控制激光透过外加磁场预设位置脉冲泵磁场射出输出发射

[发明专利]一种标准波导及微波等离子体装置-CN201810462365.4在审
发明人：阮存军;刘静;戴军;孔德胤;李仁杰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种标准波导，包括：波导壁、微波耦合装置及耦合孔；波导壁，包裹微波耦合装置，用于构成标准波导；微波耦合装置，安装在波导壁内部，用于将微波场耦合到波导中；耦合孔，安装在波导壁表面，用于将波导中传输的微波场耦合进入谐振腔中；其中，波导壁的宽度及高度为标准尺寸，波导壁的长度根据微波场耦合进入波导传输和耦合进入谐振腔的要求进行设定，用于减小输入到标准波导微波的反射损耗。本发明实施例还提供了一种微波等离子体装置，包括：微波谐振腔及上述标准波导；微波谐振腔，通过耦合孔与上述标准波导连接，用于接收上述标准波导产生的微波电场，并在微波电场中对等离子体进行电离。本发明可以提高波导及微波等离子体装置的生产效率。
标准波导波导壁微波等离子体装置微波耦合耦合微波场耦合孔波导微波谐振腔微波电场谐振腔等离子体波导传输反射损耗生产效率耦合到电离减小微波传输

[发明专利]磁控偏振态的太赫兹波发射器-CN201810569169.7在审
发明人：吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明实施例提供了磁控偏振态的太赫兹波发射器，包括飞秒激光器、铁磁纳米薄膜、圆环形样品台和至少两个磁铁；至少两个磁铁均设置于圆环形样品台的圆环形台面上的预设位置上，铁磁纳米薄膜卡设在圆环形样品台的内圆上，铁磁纳米薄膜处于至少两个磁铁产生的磁场内；至少两个磁铁中每一磁铁的一磁极正朝向铁磁纳米薄膜；飞秒激光器输出的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜，产生基于至少两个磁铁控制偏振态的太赫兹波，太赫兹波通过圆环形样品台的内圆射出。通过飞秒激光器产生的脉冲泵浦激光透过铁磁纳米薄膜产生太赫兹波，在铁磁纳米薄膜周围外加磁场来实现对产生的太赫兹波的偏振态的调节和控制，不同的磁场分布实现不同偏振态的太赫兹的发射。
纳米薄膜铁磁太赫兹波偏振态圆环形磁铁样品台飞秒激光器发射器磁控内圆磁极泵浦激光磁场分布磁铁控制激光透过外加磁场预设位置脉冲泵磁场射出输出发射

[发明专利]向日葵穴盘育苗移栽技术-CN201510654169.3在审
发明人：郝水源;李林虎;李国强;张永胜;淡建兵;宝格日乐;刘卓恩;朱圣杰;赵斌;闫素珍;苗三明;刘双禄;苏志芳;任素樱;王海伟;尹嘉敏;杨松;孔德胤 -专利权人：郝水源
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种向日葵穴盘育苗移栽的方法，其包括育苗前准备、育苗、移栽及后期管理。通过对品种、基质、穴盘等合理选择，以及对各个操作步骤的严格控制，可以实现增产、节水、抗盐碱、避病虫危害等多重技术效果。
向日葵育苗移栽技术

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