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[实用新型]三维调度装置及磨床-CN202123280235.5有效
发明人：苟正骞;姬磊磊;刘勇;李美丽;王慧宁 -专利权人：富联科技（山西）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B24B3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种三维调度装置，包括底座、第一主体、第二主体、第三主体及限位组件。第一主体通过第一转轴可转动连接于底座；第二主体通过第二转轴可转动连接于第一主体，第二转轴垂直于第一转轴；第三主体通过第三转轴可转动连接于第二主体，第三转轴垂直于第二转轴，第三主体用于固定加工工具；限位组件用于限制第三主体相对第二主体的转动角度为预设角度。本申请还提供一种磨床，用于打磨加工工具，磨床包括打磨装置和上述的三维调度装置，三维调度装置用于调整加工工具的三维角度，打磨装置用于对调整了三维角度的加工工具进行打磨。上述三维调度装置及磨床使得加工工具的加工一步成型，无需二次拆装，加工步骤简化，进而提升了加工效率。
三维调度装置磨床

[发明专利]一种复杂废盐体系资源化综合处理工艺-CN202111117102.8在审
发明人：张军;彭赛军;张喜林;余乐;姬磊磊 -专利权人：华新绿源环保股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C01F11/46 文献下载
摘要：本申请涉及无机化工技术领域，具体公开了一种复杂废盐体系资源化综合处理工艺。处理工艺包括以下步骤：S1.废盐溶解；S2.去除重金属；S3.补充硫酸钠，得到硫酸钙与精制盐水；S4.精制盐水采用石膏晶种法防垢多效蒸发，得到工业盐、硫酸钙和制盐母液；S5.制盐母液在温度为90‑130℃条件下进行蒸发，得到工业盐和富钾母液；S6.富盐母液在温度为40‑80℃条件下进行蒸发，得到氯化钾和制钾母液；S7.制钾母液部分焚烧处理，部分回到制盐母液中蒸发。利用本申请的工艺处理废盐提高氯化钠与氯化钾的回收率，且具有原料适应性强，生产过程合理成本低，废盐减量化、无害化、资源化的特点。
一种复杂体系资源综合处理工艺

[发明专利]碲化锌单晶的制备方法-CN201710321706.1有效
发明人：刘长友;汤庆凯;姬磊磊;肖宝;雷浩;谢鹏飞;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化锌单晶的制备方法，用于解决现有方法制备的碲化锌单晶质量差的技术问题。技术方案是将高纯的碲单质和合成的碲化锌多晶料放入石英坩埚中，在高真空下熔封。然后，将石英坩埚放入ACRT型五温区晶体生长炉中。首先以一定的升温速率加热，得到预先设定的温场，保温一段时间，坩埚以0.1‑0.2mm/h的速率下降，晶体生长的温度梯度为10±1℃/cm和结晶温度为1060±1℃；生长过程中温场一直不变，晶体生长后以3℃/h降温，降温时间为50h，然后以5℃/h的速率降温，降温时间为100h，最后关闭电源，炉冷。获得了具有足够长度、结晶质量好的ZnTe晶体。
碲化锌单晶制备晶体生长石英坩埚放入晶体生长炉关闭电源生长过程温度梯度多晶料高真空质量差碲单质碲化锌高纯炉冷熔封温场温区中温坩埚加热保温合成

[发明专利]Zn_(1-x)Mn_xTe单晶体的制备方法-CN201610556029.7有效
发明人：徐亚东;姬磊磊;柏伟;刘长友;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zn_(1‑x)Mn_xTe单晶体的制备方法，用于解决现有ZnMnTe单晶体的制备方法复杂的技术问题。技术方案是将单质金属Zn、Mn、Te原料真空封装在镀碳膜石英坩埚中，然后在摇摆炉中合料，合料完成后装入晶体生长炉，在一定的温度场、降温速率和坩埚下降速率下，实现无籽晶条件下晶体生长。该方法结合生长晶炉温场、降温速率和坩埚下降速率进行设计，使晶体生长初期自由引晶，之后逐步降低熔体温度，使熔液维持适宜的过饱和状态，以保证晶体生长的连续稳定进行，最后采用合适的降温过程来对晶体进行原位退火以控制裂纹的产生。由于晶料的合成与生长在同一坩埚中进行，无需预先合成ZnTe和MnTe，制备方法简单。
zn sub mn te 单晶体制备方法

[发明专利]碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法-CN201610817494.1有效
发明人：徐亚东;贾宁波;谷亚旭;符旭;董江鹏;姬磊磊;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法，用于解决现有碲锌镉晶体的退火方法消除10μm以下的小夹杂相效果差的技术问题。技术方案是采用移动循环退火，即通过外界装置移动退火管使其交替处于退火炉高温和低温端的热处理工艺，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，无需改动温度控制程序，就可使CZT晶片快速处于所需的温度，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相。本发明通过移动循环退火，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相，退火时间一般在16小时内完成，小夹杂相的去除效率达到100％。
退火移动循环夹杂碲锌镉晶体晶片退火过程温度梯度改性温度控制程序热处理工艺扩散外界装置退火管退火炉去除移动

[发明专利]ZnTe单晶体的制备方法-CN201510468818.0有效
发明人：徐亚东;柏伟;姬磊磊;刘航;符旭;刘长友;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnTe单晶体的制备方法，用于解决现有方法制备的ZnTe单晶体尺寸小的技术问题。技术方案是首先对石英坩埚进行处理，并在石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。将单质Zn和Te装入处理好的石英坩埚中并真空封装。将真空封装好的石英坩埚装入摇摆炉中，使用阶梯升温、摇摆，使融化的单质Zn和Te充分混合，摇摆结束后保温，之后炉冷至室温。对上下炉体升温到预设的目标温度后进行保温，后下降石英坩埚进行晶体选晶生长，晶体生长一段时间后，对上下炉体同时同速率降温，晶体生长结束，降温退火后关闭电源进行炉冷。本发明通过对长晶炉温场、降温速率和石英坩埚下降速率进行控制，在无籽晶条件下制备出了大尺寸ZnTe单晶体。
znte 单晶体制备方法