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[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物-CN202280007459.7在审
发明人：柳生雅文;奥野贵久;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09D9/04 文献下载
摘要：本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能通过简便的操作从其表面具有使用例如硅氧烷系粘接剂得到的粘接层的半导体基板上在更短时间内且更干净地去除(清洗)该粘接层。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，其包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：[I]成分：季铵盐、[II]成分：酰胺系溶剂、以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。
半导体清洗方法加工制造以及剥离溶解组合

[发明专利]层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法-CN202180079636.8在审
发明人：绪方裕斗;新城彻也;森谷俊介;福田拓也;奥野贵久 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。
层叠制造方法以及半导体

[发明专利]层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法-CN202180059552.8在审
发明人： 奥野贵久;绪方裕斗;柳井昌树;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板、支承基板、以及设于上述半导体基板与上述支承基板之间的粘接层和剥离层，上述剥离层是由包含有机树脂、支链状聚硅烷、和溶剂的剥离剂组合物得到的膜。
层叠剥离组合以及加工半导体制造方法

[发明专利]层叠体及剥离剂组合物-CN202180052586.4在审
发明人： 奥野贵久;臼井友辉;绪方裕斗;森谷俊介;柳井昌树;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。
层叠剥离组合

[发明专利]层叠体、剥离剂组合物及经加工的半导体基板的制造方法-CN202180042431.2在审
发明人：柳井昌树;奥野贵久;绪方裕斗;森谷俊介 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C08L27/20 文献下载
摘要：一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板，透射紫外线；以及粘接层和剥离层，设于半导体基板与支承基板之间，上述剥离层为由剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含：含叔丁氧羰基的乙烯性不饱和单体的聚合物、光致酸产生剂以及溶剂。
层叠剥离组合加工半导体制造方法

[发明专利]清洗剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法-CN202180026155.0在审
发明人：荻野浩司;奥野贵久;柳井昌树;森谷俊介;绪方裕斗;福田拓也;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C11D1/62 文献下载
摘要：一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。
洗剂组合以及加工半导体制造方法

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180023489.2在审
发明人： 奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180024022.X在审
发明人： 奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180024051.6在审
发明人： 奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180024052.0在审
发明人：荻野浩司;奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;新城彻也;泽田和宏 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括：使用含有包含碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物，将半导体基板上的粘接层剥离的工序，使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180023490.5在审
发明人： 奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180023491.X在审
发明人： 奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]粘接剂组合物、层叠体及其制造方法、层叠体的剥离方法以及半导体形成基板的加工方法-CN202080089720.3在审
发明人：绪方裕斗;新城彻也;荻野浩司;森谷俊介;奥野贵久;福田拓也;柳井昌树 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C09J201/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
粘接剂组合层叠及其制造方法剥离以及半导体形成加工

[发明专利]清洗剂组合物以及清洗方法-CN202080079477.7在审
发明人：荻野浩司;新城彻也;森谷俊介;奥野贵久 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％。(式中，R0表示乙基、丙基或异丙基，RA和RB相互独立地表示碳原子数1～4的烷基。)。
洗剂组合以及清洗方法

[发明专利]清洗剂组合物以及清洗方法-CN202080020705.3在审
发明人：荻野浩司;奥野贵久;柄泽凉;新城彻也 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物包含季铵盐和溶剂，上述溶剂仅由有机溶剂形成，上述有机溶剂包含N，N，N’，N’－四(烃)脲。
洗剂组合以及清洗方法

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