专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]含氮有机废水的处理系统及处理方法-CN201280046853.8有效
  • 松崎智子;若原慎一郎;奥村洋一;小林舞穗 - 株式会社久保田
  • 2012-12-06 - 2014-06-11 - C02F3/34
  • 本发明提供一种含氮有机废水的处理系统,其具有自养脱氮装置(30),该自养脱氮装置(30)通过对含有悬浮性有机物、溶解性有机物及氨的被处理水进行亚硝酸化处理和厌氧氨氧化处理来进行脱氮处理,所述亚硝酸化处理是利用自养微生物在需氧条件下将氨氧化成亚硝酸的处理,所述厌氧氨氧化处理是在厌氧条件下利用自养微生物进行的以氨态氮作为电子供体且以亚硝态氮作为电子受体的处理,其中,该处理系统在自养脱氮装置(30)的上游具备从被处理水分离悬浮性有机物的悬浮性有机物分离装置(10)、和对分离出悬浮性有机物后的被处理水中所含的溶解性有机物进行生物分解的溶解性有机物分解装置(20),再将减少了悬浮性有机物及溶解性有机物的被处理水供给到自养脱氮装置(30),由此,可以进行有效的厌氧氨氧化处理。
  • 有机废水处理系统方法
  • [发明专利]含氮有机废水的处理系统及处理方法-CN201280046865.0有效
  • 松崎智子;若原慎一郎;奥村洋一;小林舞穗 - 株式会社久保田
  • 2012-12-06 - 2014-05-28 - C02F3/34
  • 本发明提供一种含氮有机废水的处理系统,其具有自养脱氮装置(30),该自养脱氮装置(30)通过亚硝酸化处理和厌氧氨氧化处理来进行脱氮处理,所述亚硝酸化处理是利用自养微生物在需氧条件下将被处理水中所含的氨氧化成亚硝酸的处理,所述厌氧氨氧化处理是在厌氧条件下利用自养微生物进行的以氨态氮作为电子供体且以亚硝态氮作为电子受体的处理,并且,在自养脱氮装置(30)的上游具备:对被处理水中所含的悬浮性有机物进行分离的悬浮性有机物分离装置(10)、及对由悬浮性有机物分离装置(10)分离出的悬浮性有机物进行厌氧消化的污泥厌氧消化装置(40),且具备将污泥厌氧消化装置(40)的消化液供给到自养脱氮装置(30)的第一输送路径(R1),即使是含有悬浮性有机物的氨浓度较低的废水,也可使用自养微生物有效地进行厌氧氨氧化处理。
  • 有机废水处理系统方法
  • [发明专利]物理量检测元件、物理量检测装置以及电子设备-CN201210279602.6在审
  • 市川史生;奥村洋一;菊池尊行 - 精工爱普生株式会社
  • 2012-08-07 - 2013-03-06 - G01C19/5642
  • 本发明提供一种物理量检测元件、物理量检测装置以及电子设备,其能检测绕X轴、Y轴以及Z轴各个轴的旋转,从而能够用一个振荡电路激励振动。物理量检测元件(1)的特征在于,具备:基部(2);从基部(2)沿X轴相互向相反方向分别延伸的第一连结部(3a)及第二连结部(3b);从第一连结部(3a)或第二连结部(3b)沿Y轴相互向相反方向分别延伸的一对第一驱动振动臂(4a)及第二驱动振动臂(4b)、一对第三驱动振动臂(4c)及第四驱动振动臂(4d);从第一连结部(3a)倾斜延伸的第一驱动检测振动臂(5a)及第二驱动检测振动臂(5b);从第二连结部(3b)倾斜延伸的第三驱动检测振动臂(5c)及第四驱动检测振动臂(5d);从基部(2)沿Y轴相互向相反方向分别延伸的第一检测振动臂(6a)及第二检测振动臂(6b)。
  • 物理量检测元件装置以及电子设备
  • [发明专利]绝缘膜半导体装置及方法-CN200580042404.6有效
  • 奥村洋一 - 德州仪器公司
  • 2005-11-04 - 2007-11-21 - H01L29/76
  • 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,以实现更小的低压晶体管,同时保持高压晶体管的特性。通过选择性地存留第一元件隔离绝缘膜(2)来隔离第一晶体管形成区。第二晶体管形成区由经选择性氧化的第二元件隔离绝缘膜(3)来隔离。在由第一元件隔离绝缘膜(2)隔离的区上,形成具有第一沟道形成区、第一源极/漏极区(12、13、14)和为第一膜厚的第一栅极绝缘膜(16)及第一栅电极(17)的第一晶体管(Tr1)。在由第二元件隔离绝缘膜(3)隔离的区上,形成具有第二沟道形成区、第二源极/漏极区(32、41)、厚度小于所述第一膜厚的第二栅极绝缘膜(33、42)、及第二栅电极(34、43)的第二晶体管(Tr3、Tr4)。
  • 绝缘半导体装置方法

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