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[发明专利]电子器件的制造方法-CN202080104279.1在审
发明人： 大贺敏浩;藤井光一;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开的一个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：根据在晶片的扫描场内被形成的图案求出作为与扫描方向正交的扫描宽度方向上的畸变成分的倍率；在扫描场内的多点计测晶片高度，求出扫描宽度方向的晶片高度的平均值；求出在基于晶片高度的平均值的对焦位置的情况下呈现容许CD值的脉冲激光的波长范围；求出呈现求出的倍率的脉冲激光的第1波长；根据波长范围和第1波长求出目标波长；以及从激光装置输出被控制成每个脉冲的波长成为目标波长的脉冲激光，在晶片的扫描场进行曝光。
电子器件制造方法

[发明专利]曝光方法、曝光系统和电子器件的制造方法-CN202080095262.4在审
发明人：藤井光一;若林理;大贺敏浩 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：目的是提供能够控制抗蚀剂图案的侧壁角度的曝光方法。曝光方法包含以下步骤：读入表示第1参数与第2参数的关系的数据，根据数据和第2参数的目标值决定第1参数的目标值(S201～S203)，其中第1参数是和具有第1波长的第1脉冲激光与具有比第1波长大的第2波长的第2脉冲激光的能量比率有关的参数，第2参数是与利用第1脉冲激光和第2脉冲激光来曝光抗蚀剂膜的情况下得到的抗蚀剂膜的侧壁角度有关的参数；以及根据第1参数的目标值对窄带化气体激光装置进行控制，以使其输出第1脉冲激光和第2脉冲激光，并曝光抗蚀剂膜(S205)。
曝光方法系统电子器件制造