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[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202010299869.6有效
发明人：福井章洋;杉村敏正;大西谦司;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法-CN201810726671.4有效
发明人：靍泽俊浩;小坂尚史;三木香;木村雄大;高本尚英;大西谦司;杉村敏正;赤泽光治 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法-CN201810843733.X有效
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;福井章洋;大和道子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
芯片接合薄膜切割以及半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202310131287.0在审
发明人：木村雄大;大西谦司;畠山义治 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层和前述芯片接合层包含丙烯酸系聚合物作为有机成分，使用前述粘合剂层所含的丙烯酸系聚合物的汉森溶解度参数和前述芯片接合层所含的丙烯酸系聚合物的汉森溶解度参数而算出的汉森溶解度参数距离Ra为2以上且7以下，前述粘合剂层所含的前述丙烯酸系聚合物的汉森溶解度参数的氢键项的值为8以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810343654.2有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、‑15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202211642027.1在审
发明人：福井章洋;大西谦司;角野雅俊;中浦宏;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：提供切割芯片接合薄膜等，前述切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的弹性模量为0.10MPa以上，前述切割带在120℃下的热收缩率为6％以上。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法-CN201710890573.X有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明为切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法，其目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的切割/芯片接合带。本发明涉及一种切割/芯片接合带，其包括：隔膜、和包含粘接剂层和基材层的薄膜。粘接剂层位于隔膜和基材层之间。基材层的两面用与粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义。在薄膜的晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm。在晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在‑15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上。在晶圆固定区域中基材层的第1主面的表面自由能为32～39mN/m。
切割芯片接合半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合片及切割芯片接合薄膜-CN202210928838.1在审
发明人：畠山义治;大西谦司;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供芯片接合片等，所述芯片接合片至少包含在分子中具有环氧基的含环氧基丙烯酸类树脂作为有机成分，前述含环氧基丙烯酸类树脂的环氧当量为1300以上且不足6000，前述含环氧基丙烯酸类树脂在前述有机成分中所占的比例为90.0质量％以上。
芯片接合切割薄膜

[发明专利]热固化型树脂片及切割芯片接合薄膜-CN202210793685.4在审
发明人： 大西谦司;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：提供热固化型树脂片及切割芯片接合薄膜。提供热固化型树脂片及具备该热固化型树脂片的切割芯片接合薄膜等，所述热固化型树脂片包含交联性丙烯酸类聚合物，所述交联性丙烯酸类聚合物在分子中具有通过热固化处理引起交联反应的交联性基团，所述热固化型树脂片的热固化处理前的140℃下的剪切损耗模量G”为1kPa以上且20kPa以下，并且在150℃下进行1小时热固化处理后的150℃下的拉伸模量为0.5MPa以上且7.0MPa以下。
固化树脂切割芯片接合薄膜

[发明专利]热固性树脂组合物-CN202210824129.9在审
发明人： 大西谦司 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C08L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及热固性树脂组合物。提供一种光半导体元件密封用的片状的树脂组合物，所述树脂组合物的光半导体元件的密封性优异并且耐热性优异，在将邻接的光半导体装置彼此拉开时，不易发生片的缺损、片对邻接的光半导体装置的附着。热固性树脂组合物(3)是用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片状的热固性树脂组合物。热固性树脂组合物(3)的固化后的150℃拉伸储能模量E’可以为0.1～10MPa，固化前的25℃拉伸储能模量E’可以为10～1500MPa。
热固性树脂组合

[发明专利]热固性树脂组合物-CN202210853992.7在审
发明人： 大西谦司 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C08L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及热固性树脂组合物。提供一种光半导体元件密封用的片状的树脂组合物，其在对光半导体元件进行密封时的透光率和耐热性优异。热固性树脂组合物(3)是用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片状的热固性树脂组合物，热固性树脂组合物(3)含有丙烯酸系树脂作为有机成分，前述有机成分中的前述丙烯酸系树脂的含有比率为85质量％以上。前述丙烯酸系树脂优选包含含有缩水甘油基的丙烯酸系树脂。
热固性树脂组合

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810654758.5有效
发明人：福井章洋;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供一种具有保存稳定性优异、能在短时间内固化、并且固化后能进行适宜的引线接合的粘接剂层的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合的粘接剂层，前述粘接剂层含有热固化性成分、填料及固化促进剂，其在130℃加热30分钟之后利用DSC测定得到的发热量为加热前的发热量的60％以下，前述加热后的在130℃下的储能模量为20MPa以上且4000MPa以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法-CN202210534957.9在审
发明人：福井章洋;杉村敏正;角野雅俊;大西谦司;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供下述粘合带等，其用于切割芯片接合薄膜的前述粘合剂层，所述切割芯片接合薄膜具备：粘合剂层、和重叠于该粘合剂层的芯片接合片，前述粘合带包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有烷基部分的碳数为12以上的(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，前述丙烯酸类共聚物包含前述(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元10摩尔％以上且85摩尔％以下、并且包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元15摩尔％以上且35摩尔％以下。
粘合切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN202210534982.7在审
发明人：福井章洋;杉村敏正;角野雅俊;大西谦司;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN201510148818.2有效
发明人：木村雄大;三隅贞仁;村田修平;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力‑应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。
切割薄膜芯片接合半导体装置制造方法

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