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[发明专利]保护膜和制作该保护膜的方法-CN201080040167.0有效
发明人： 大竹尚登;松尾诚;岩本喜直 -专利权人：株式会社IMOTT
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种段形态的保护膜的形成容易、提高保护膜的品质管理、可形成自由度高的(复杂的)段形态，且不仅适用于二维形状也能够适用于三维形状的DLC膜和形成该DLC膜的方法。作为解决课题的手段，提供如下特征的保护膜及其制造方法：在基材上形成以分割成段地形成的方式沉积膜而成的段形态的保护膜时，在使用描绘材料掩蔽该基材使得得到规定的形态的段后，沉积该保护膜，接着除去掩蔽部分而形成段间的间隔。
保护膜制作方法

[发明专利]类金刚石碳膜成膜装置及形成类金刚石碳膜的方法-CN200980104726.7无效
发明人： 大竹尚登;松尾诚;岩本喜直 -专利权人：株式会社IMOTT
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及类金刚石碳膜成膜装置及形成类金刚石碳膜的方法。本发明的使用等离子化学真空蒸镀法的类金刚石碳膜成膜装置，具有用于向由导电性的掩膜材料(3)包围的基体(2)所构成的部件(4)与类金刚石碳膜成膜装置的腔室(5)的侧壁之间施加电压的直流单脉冲电源(6)、叠加用直流电源(26)与/或高频率电源(7)，选择以直流单脉冲电源(6)和上述叠加用直流电源(26)向上述部件(4)施加负的单脉冲电压，或选择向上述部件(4)施加高频率电源(7)的高频率电压，在以掩膜材料(3)包围的上述基体(2)上形成片段结构的类金刚石碳膜。
金刚石碳膜成膜装置形成方法

[发明专利]减轻微动磨损的缝隙基材及使用缝隙基材的连接构造物-CN200880111874.7有效
发明人： 大竹尚登;松尾诚 -专利权人：株式会社IMOTT
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： F16B5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减轻微动磨损(微动磨耗)的缝隙基材及使用缝隙基材的连接构造物，本发明的特征是一种被夹入具有摩擦并且发生损耗的第一与第二接触材料(6、6’)的接触面(7)之间，并且具有发生滑动或振动的面(2、2)的缝隙基材(1)，其特征是通过上述缝隙基材(1)的发生滑动或振动的面(2、2)比上述第一接触材料(6)与上述第二接触材料(6’)的接触面(7)的至少一个面具有更高的硬度、以及上述缝隙基材(1)的发生滑动或振动的面(2、2)比上述第一接触材料(6)与上述第二接触材料(6’)的接触面(7)的至少一个面具有低摩擦系数以及高平滑度，使上述缝隙基材(1)的发生滑动或振动的面(2、2)难以磨损第一与第二的接触材料(6、6’)的接触面7。
减轻微动磨损缝隙基材使用连接构造

[发明专利]薄膜制作方法和系统-CN200410005255.3无效
发明人：齐藤隆雄;中村幸则;近藤好正;大竹尚登 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2004-02-17 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在基片中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于基片20的内壁表面20b上，该表面面向在基片20中形成的空间23。基片20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于基片20上，而基本上不将直流偏置电压施加于基片20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。
薄膜制作方法系统