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[发明专利]光刻用膜形成材料、组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法-CN202280018243.0在审
发明人：堀内淳矢;山本拓央;大松祯;佐藤隆;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：为了提供具有高的成膜性和溶剂溶解性且能够应用湿式工艺，固化性、膜的耐热性、膜的耐蚀刻性、向台阶基板的埋入性以及膜的平坦性优异，对形成光致抗蚀剂下层膜有用的光刻用膜形成材料等，本公开的光刻用膜形成材料包含：具有键合于芳香环的氨基的化合物，该化合物例如由说明书中记载的式(1A)、式(1B)、式(2)、式(3)、式(4)等表示。
光刻形成材料组合下层以及图案方法

[发明专利]聚合物、组合物、聚合物的制造方法、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、光学构件形成用组合物-CN202280010691.6在审
发明人：松浦耕大;堀内淳矢;冈田悠;大松祯;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：一种聚合物，其具有源自下述式(0)所示单体的结构单元，所述聚合物具有前述结构单元彼此通过前述式(0)所示的单体的芳香环彼此的直接键合而连接的部位。(式(0)中，R为1价的基团，m为1～5的整数，其中，至少1个R为羟基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、或任选具有取代基的碳数0～40的氨基。)
聚合物组合制造方法形成抗蚀剂图案辐射敏感光刻下层电路光学构件

[发明专利]化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案的形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法-CN202180086595.5在审
发明人： 大松祯;冈田悠;小熊威;松本正裕;新美结士;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C07C39/373 文献下载
摘要：提供能得到曝光灵敏度优异的抗蚀剂的、化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法。下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，RA为氢原子、甲基或三氟甲基，RX为ORB或氢原子，RB为取代或未取代的碳数1～30的烷基，P为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基或磷酸基。)
化合物聚合物组合形成图案方法绝缘制造

[发明专利]聚合物、组合物、聚合物的制造方法、组合物、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物-CN202180061314.0在审
发明人：堀内淳矢;松浦耕大;冈田悠;大松祯;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C08G8/20 文献下载
摘要：一种聚合物，其具有源自选自由式(1A)及(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合来连接。(式(1A)及(1B)中，R各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基，至少1个R为包含羟基的基团，m各自独立地为1～10的整数。)
聚合物组合制造方法形成抗蚀剂辐射敏感光刻下层图案电路光学构件

[发明专利]光刻膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法-CN202180048432.8在审
发明人：佐藤隆;大松祯;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07C39/14 文献下载
摘要：本发明为一种光刻膜形成用组合物，其含有：选自具有规定结构的化合物和将其作为单体得到的树脂中的至少1种。
光刻形成组合图案方法电路

[发明专利]化合物及其制造方法、产酸剂、组合物、抗蚀膜、下层膜、图案形成方法和光学物品-CN202180034592.7在审
发明人：工藤宏人;佐藤隆;大松祯;越后雅敏 -专利权人：学校法人关西大学;三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C07C381/12 文献下载
摘要：提供一种高灵敏度且分辨率高、具有高平坦性的化合物。下述式(P‑0)所示的化合物。(式(P‑0)中，Ar为碳原子数6～60的具有芳基的基团，ORTS各自独立地为羟基或具有特定离子部位的基团。n1为1～20的整数。其中，ORTS中的至少一个为具有特定离子部位的基团。)
化合物及其制造方法产酸剂组合抗蚀膜下层图案形成光学物品

[发明专利]化合物、(共)聚合物、组合物、抗蚀图案形成方法、以及化合物和(共)聚合物的制造方法-CN202180035126.0在审
发明人： 大松祯;松本正裕;由利道裕;片冈健太郎;佐藤隆;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C08F20/26 文献下载
摘要：一种含碘的(甲基)丙烯酸酯化合物，其用式(1)表示。式(1)中，R1表示氢原子、甲基或卤素，R2各自独立地表示氢原子、碳数1～20的直链状的有机基团、碳数3～20的支链状的有机基团、或碳数3～20的环状的有机基团，A表示碳数1～30的有机基团，A包含至少1个酰基，n1表示0或1，n2表示1～20的整数。
化合物聚合物组合图案形成方法以及制造

[发明专利]光刻用组合物和图案形成方法-CN202180012942.X在审
发明人： 大松祯;松本正裕;佐藤隆;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供：能形成曝光灵敏度优异的图案、且可以得到与抗蚀层接触的膜、下层膜的光刻用组合物等。前述目的可以通过前述光刻用组合物而实现，所述光刻用组合物包含具有选自由碘、碲和氟组成的组中的至少1种元素的化合物、或包含具有源自前述化合物的结构单元的树脂，前述化合物中的前述原子的总质量为15质量％以上且75质量％以下。
光刻组合图案形成方法

[发明专利]过滤装置、纯化装置及药液的制造方法-CN201980016119.9有效
发明人：上村哲也;高桥智美;大松祯;清水哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B01D61/58 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够制造具有优异的缺陷抑制性能的药液的过滤装置。并且，课题还在于提供一种纯化装置及药液的制造方法。一种过滤装置，其用于将被纯化液进行纯化而得到药液，所述过滤装置具有：流入部；流出部；过滤器A；与过滤器A不同的至少1个过滤器B；及串联配置有过滤器A及过滤器B的从流入部至流出部的流道，其中，过滤器A具有：超高分子量聚乙烯制的多孔性膜；及树脂层，以覆盖多孔性膜的表面的至少一部分的方式配置，树脂层包含具有中性基或离子交换基的树脂。
过滤装置纯化药液制造方法

[发明专利]化合物、聚合物、组合物、膜形成用组合物、图案形成方法、绝缘膜的形成方法及化合物的制造方法、以及含碘乙烯基聚合物及其乙酰化衍生物的制造方法-CN202080056621.5在审
发明人： 大松祯;片冈健太郎;松本正裕;新美结士;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C07C69/712 文献下载
摘要：一种化合物，其具有不饱和双键和一个以上的卤素。一种含碘乙烯基单体的制造方法，其包括：a)准备具戊酰基有式(1‑1)所示的一般结构(式(1‑1)中的可变部分的定义如说明书所记载)的含碘醇性基质的工序；和b)对所述含碘醇性基质进行脱水，得到具有式(1)所示的一般结构(式(1)中的可变部分的定义如说明书所记载)的含碘乙烯基单体的工序。
化合物聚合物组合形成图案方法绝缘制造以及乙烯基及其乙酰化衍生物

[发明专利]膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射线敏感性组合物、非晶膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法和电路图案形成方法-CN202080008710.2在审
发明人： 大松祯;山本拓央;堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种膜形成用组合物，其包含多环多酚树脂，所述多环多酚树脂具有源于选自由式(1A)和式(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，且前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合而连接。(式(1A)中，X表示氧原子、硫原子、单键或为未桥接，Y为碳数1～60的2n价的基团或单键，此处，X为未桥接时，Y为前述2n价的基团。另外，式(1B)中，A表示苯环或稠环。进而，式(1A)和式(1B)中，R0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，此处，R0中的至少1者为羟基，m各自独立地为1～9的整数。n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。)
形成组合抗蚀剂辐射敏感性非晶膜制造方法图案光刻下层电路

[发明专利]多环多酚树脂和多环多酚树脂的制造方法-CN202080008610.X在审
发明人： 大松祯;山本拓央;堀内淳矢;牧野岛高史;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C08G61/00 文献下载
摘要：一种多环多酚树脂，其具有源自选自由式(1A)和式(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元，前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合而连接。(式(1A)中，X表示氧原子、硫原子、单键或为未桥接，Y为碳数1～60的2n价的基团或单键，此处，X为未桥接时，Y为前述2n价的基团。另外，式(1B)中，A表示苯环或稠环。进而，式(1A)和式(1B)中，R0各自独立地为任选具有取代基的碳数1～40的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、任选具有取代基的碳数2～40的烯基、碳数2～40的炔基、任选具有取代基的碳数1～40的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，此处，R0中的至少1者为羟基，m各自独立地为1～9的整数。n为1～4的整数，p各自独立地为0～3的整数。)
多环多酚树脂制造方法

[发明专利]化合物、（共）聚合物、组合物、图案形成方法、及化合物的制造方法-CN201980086268.2在审
发明人： 大松祯;松本正裕;由利道裕;片冈健太郎;佐藤隆;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C07C33/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供可形成具有高分辨率且高灵敏度的膜的组合物等。前述目的可以通过以下的化合物来达成。一种含碘(甲基)丙烯酸酯化合物，其由通式(1)表示。(式(1)中，R1表示氢原子、甲基、或卤素，R2各自独立地表示氢原子、碳数1～20的直链状的有机基团、碳数3～20的支链状的有机基团、或碳数3～20的环状的有机基团，A表示碳数1～30的有机基团，n1表示0或1，n2表示1～20的整数。)
化合物聚合物组合图案形成方法制造

[发明专利]容器、容器的制造方法及药液收容体-CN201880039943.1有效
发明人： 大松祯;上村哲也;清水哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B65D25/14 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种即使在收容药液并长时间保管的情况下药液性能也不易经时下降的容器。并且，课题在于提供一种容器的制造方法及药液收容体。容器具有：基材；及涂层，配置于基材上的至少一部分，且包含含有聚烯烃和选自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo的组中的至少1种金属成分的组合物，并且厚度为50μm以上，其中，当组合物含有1种金属成分时，以CA1s/CA2s计算之比RCAs为小于1.0，或者，当组合物含有2种以上的金属成分时，在涂层的至少一部分对2种以上的金属成分分别求出的RCAs的平均值为小于1.0。
容器制造方法药液收容

[发明专利]压印用固化性组合物、固化物、图案形成方法、光刻法、图案及光刻用掩模-CN201680016592.3有效
发明人：后藤雄一郎;丸茂和博;北川浩隆;大松祯 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够兼顾提高脱模性和抑制蚀刻时产生起伏的压印用固化性组合物以及使用了上述压印用固化性组合物的固化物、图案形成方法、光刻法、图案及光刻用掩模。一种压印用固化性组合物，其含有：单官能聚合性化合物；多官能聚合性化合物，包含脂环结构和芳香环结构中的至少一者，且25℃下的粘度为150mPa·s以下；及光聚合引发剂，所述压印用固化性组合物中，相对于压印用固化性组合物中的所有聚合性化合物，含有5～30质量％的上述单官能聚合性化合物，上述压印用固化性组合物的固化膜的弹性模量为3.5GPa以下且玻璃化转变温度为90℃以上。
压印固化组合图案形成方法光刻用掩模

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