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[发明专利]光电子半导体器件和用于制造至少一个光电子半导体器件的方法-CN202280018383.8在审
发明人：马丁·穆哈杰拉尼;亚历山大·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨 -专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体器件(13)，包括：层堆(9)，其具有一个侧面或多个侧面(9A)，第一和第二主面(9B、9C)，所述侧面分别包括对第一半导体区域(4)侧向限界的第一侧部区域(90A)和对第二半导体区域(5)部分侧向限界的第二侧部区域(90B)；在第一主面(9B)上设置的第一接触机构(10)，其设为用于电接触第一半导体区域(4)；和在至少一个侧面(9A)上设置的第二接触机构(11)，其设为用于电接触第二半导体区域(5)；和在第二接触机构(11)和层堆(9)之间设置的介电层(12)，其中至少一个第二侧部区域(90B)至少部分地不由介电层(12)覆盖且第二接触机构(11)覆盖不由介电层(12)覆盖的区域。此外，提出一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造至少一个方法

[发明专利]用于制造光电子器件的方法和光电子器件-CN201880020669.3有效
发明人：吉多·韦斯;克里斯托弗·施瓦茨迈尔;多米尼克·斯科尔茨;妮科尔·海策尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有有源区(11)，所述有源区设计用于发射辐射，B)将种晶层(4)施加到半导体芯片(1)上，其中种晶层(4)具有第一金属和与第一金属不同的第二金属，其中第二金属不如第一金属贵重，C)将结构化的光刻胶层(9)直接施加到种晶层(4)上，以及D)将焊料层(10)至少施加到种晶层(4)的未被光刻胶层(9)覆盖的区域上，其中在种晶层(4)中第一金属与第二金属的比例在95:5至99:1之间。
用于制造光电子器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202211421987.5在审
发明人：安德烈亚斯·普洛斯尔;诺温·文马尔姆;多米尼克·斯科尔茨;克里斯托弗·施瓦茨迈尔;马丁·鲁道夫·贝林格;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201780077998.7有效
发明人：安德烈亚斯·普洛斯尔;诺温·文马尔姆;多米尼克·斯科尔茨;克里斯托弗·施瓦茨迈尔;马丁·鲁道夫·贝林格;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所述第二侧背离所述辅助载体。在此，所述半导体本体施加在与所述辅助载体不同的生长衬底上，所述第一横向热膨胀系数和所述第二横向热膨胀系数相差最多50％，以及在施加所述辅助载体(40)之前去除所述生长衬底(30)。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法-CN201780043651.0有效
发明人： 多米尼克·斯科尔茨;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子半导体芯片，其包括：半导体本体、第一接触部位和第二接触部位、重新布线结构以及第一连接部位和第二连接部位，其中所述半导体本体具有多个发射区域，所述发射区域在横向上并排设置，并且所述发射区域能够分别经由所述第一接触部位和所述第二接触部位导电接触并且彼此独立地运行；所述重新布线结构使每个第一接触部位与相关联的第一连接部位导电连接；所述重新布线结构使每个第二接触部位与相关联的第二连接部位导电连接；所述连接部位中的至少一个与同该连接部位导电连接的接触部位在竖直方向上不重叠；多个第二接触部位与共同的第二连接部位导电连接；每个第一连接部位在横向上与另一第一连接部位紧邻地设置。
光电子半导体芯片用于制造方法

[发明专利]光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法-CN201680065573.X有效
发明人： 多米尼克·斯科尔茨;亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种光电子半导体组件(100)，所述光电子半导体组件包括半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有第一主侧、第一层(10)、有源层(11)、第二层(12)和第二主侧。在第二主侧上设置有第二接触元件(32)和第一接触元件(31)，所述第一接触元件填充半导体层序列中的留空部(2)。第一接触元件(31)包括透明的第一中间层(20)、金属的第一镜层(21)和金属的注入元件(23)。第一中间层(20)施加在留空部的横向于有源层伸展的侧壁上并且与半导体层序列(1)直接接触。第一镜层(21)在侧壁的区域中直接施加到第一中间层(20)上。注入元件(23)施加在留空部(2)的直接邻接于第一层(10)的底面上，其中在注入元件(23)和底面之间不设置有任何其他的金属元件。在运行时，第一中间层(20)禁止第二层(12)和第一接触元件(31)之间的直接电通流。注入元件(23)和镜层(21)具有不同的材料组成。
光电子半导体组件用于制造方法

[发明专利]用于制造横向结构化的磷光层的方法和具有这种磷光层的光电子半导体组件-CN201580005166.5有效
发明人：布丽塔·格厄特茨;约恩·斯托;亚历山大·F·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨;伊莎贝尔·奥托 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：一种用于制造横向结构化的层、尤其发光材料小板(1)的方法，所述方法具有如下步骤：提供载体(2)，所述载体具有在载体上侧(20)上的第一导电层(21)，将绝缘层(23)施加到第一导电层(21)上并且将第二导电层(22)施加到绝缘层(23)上，将蚀刻掩模(3)施加到第二导电层(22)上并且结构化，蚀刻第二导电层(22)和绝缘层(23)，其中第一导电层(21)保持作为连贯的层，将电压施加到所述第一导电层(21)上并且用第一材料(4)对第一导电层(21)电泳覆层，并且将电压施加到第二导电层(22)上并且用第二材料(5)对第二导电层(22)电泳覆层。
用于制造横向结构磷光方法具有这种光电子半导体组件

[发明专利]具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备-CN201680027611.2在审
发明人：亚历山大·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提出一种具有多个可彼此分开运行的像素(1a，1b，1c)的显示设备(1)，所述显示设备包括用于产生电磁辐射的半导体层序列(3)。半导体层序列(3)具有第一半导体层(31)、有源层(33)和第二半导体层(35)。显示设备(1)还包括用于接触第一半导体层(31)的第一接触结构(51)和用于接触第二半导体层(35)的第二接触结构(55)。第一接触结构(51)具有可彼此分开运行的第一接触部(51a，51b，5c)，所述第一接触部分别横向无中断地沿着第一半导体层(31)延伸。第一接触部(51a，51b，51c)分别借助其轮廓对像素(1a，1b，1c)横向限界。半导体层序列(3)和第一接触结构(51)具有至少一个关于相应的像素(1a，1b，1c)横向邻接的凹部(7a，7b)，所述凹部穿过第一接触结构(51)、第一半导体层(31)和有源层(33)延伸到第二半导体层(35)中。第二接触结构(55)具有第二接触部(55a，55b)，所述第二接触部从半导体层序列(3)的朝向第一接触结构(51)的一侧延伸穿过至少一个凹部(7a，7b)。
具有多个可彼此分开运行像素显示设备

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