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[发明专利]电力变换用开关元件以及电力变换装置-CN201280074588.4在审
发明人：桥本贵之;森睦宏;增永昌弘 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：电力变换用开关元件(100)在n-型的半导体基板(1)的表面侧依次反复配置第1栅极电极(6)、具有n型发射极区域(3)的p型沟道层(2)、第2栅极电极(13)、p型浮空层(15)。并且，将夹着p型沟道层(2)的2个栅极(6、13)的间隔a构成得小于夹着p型浮空层(15)的2个栅极(13、6)的间隔b，对第1栅极电极(6)、第2栅极电极(13)分别提供在驱动定时有时间差的驱动信号。
电力变换开关元件以及装置

[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置-CN201280068033.9在审
发明人：桥本贵之;增永昌弘 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：为了抑制半导体装置(10)的导通损耗和恢复损耗，半导体装置(10)设置有作为半导体基板的n型漂移层(11)、在半导体基板的表面设置的作为阳极区域的p型区域(12)以及n型区域(13)、在半导体基板的背面设置的作为阴极区域的高浓度n型区域(15)、以及阳极电极(1)。在该半导体基板的表面，具备p型区域(12)与n型区域(13)相邻的结构，p型区域(12)与阳极电极(1)相连接，n型区域(13)经由开关(14)与阳极电极(1)相连接。在该开关(14)的控制端子，连接有控制部(40)。在半导体装置(10)的导通状态下，控制部(40)将高频脉冲输出到开关(14)的控制端子，使开关(14)接通/断开。
半导体装置以及使用电力变换

[发明专利]半导体器件-CN201210043872.7无效
发明人：桥本贵之;增永昌弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。沟槽栅极垂直沟道型功率MOSFET具有低开态电阻的优点。随着小型化的发展，开态电阻的波动造成问题。另外，小型化中的结构限制也造成问题。这些问题不仅是单一功率MOSFET的问题，而且在通过在单一芯片上集成CMOS和这样的功率有源器件而获得的集成电路器件(诸如，利用类似结构的IGBT)中也是重要的问题。本发明提供了一种具有沟槽栅极垂直沟道型功率有源器件(诸如，沟槽栅极垂直沟道型功率MOSFET)的半导体器件，其中使层间绝缘膜的宽度几乎等于沟槽的宽度，并且源区的一部分由多晶硅部件构成。
半导体器件

[发明专利]开关元件的驱动方法和电源装置-CN201010552202.9无效
发明人：桥本贵之;增永昌弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明提供一种电源装置中的开关元件的驱动方法。电源装置包括：低侧功率MOSFET部(21)内并联连接的主MOS(22)和副MOS(23)；与低侧功率MOSFET部(21)设置在相同的半导体基板上，数量比低侧功率MOSFET部(21)内的并联数少，并检测与低侧功率MOSFET部(21)的负载对应的信息的检测MOS(25)；以及根据检测MOS25检测出的信息来驱动主MOS(22)和副MOS(23)的控制部。在使并联连接的功率MOSFET中轻负载时工作的功率MOSFET的数量减少的控制方法中，能不使成本增加而高精度地检测电流。
开关元件驱动方法电源装置