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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相变存储器的脉冲设定方法-CN202080099902.9在审
发明人：李宜政;黄仕璋;刘育宏 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变存储器的脉冲设定方法，所述相变存储器的相变材料具有非晶态和结晶态，所述相变存储器上述两状态的交替由外加脉冲电流实现，所述脉冲电流的方向交替设置，即从所述结晶态向所述非晶态转换的第一脉冲电流与从所述非晶态向所述结晶态转换的第二脉冲电流互为反向设置。通过利用设定状态与复位状态脉冲电流不同极的方式，缓和相变材料原子迁移的现象，以提高相变存储器的可靠度。由于不同原子具有不同的电子风力和静电力方向，交替变化所述脉冲电流的方向可以进一步避免空洞形成，延长相变存储器的耐久性。
相变存储器脉冲设定方法

[发明专利]测试结构以及测试方法-CN202080099894.8在审
发明人：廖昱程;邱青松;张明丰 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测试结构以及测试方法。测试结构，包括：一第一电阻(21)；以及与第一电阻(21)电学串联的至少一第二电阻(22)，第二电阻(22)的数目为M×N个，M和N为正整数，所有的第二电阻(22)彼此电学并联。通过设置不同数目的电阻来获得电阻差值，从而精确计算出相变材料和加热器的电阻值。
测试结构以及方法

[发明专利]测试用晶片-CN202080099890.X在审
发明人：廖昱程;徐成宇;邱青松 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试用晶片，包括：多个存储器阵列，不同的所述存储器阵列之间的存储器参数至少有一个是不同的；以及一测试电路，所述测试电路用于获取外部测试命令，并根据所述外部测试命令对不同的所述存储器阵列进行测试并收集测试结果。
测试晶片

[实用新型]校准装置-CN202120533462.5有效
发明人：吴瑞仁;砂永登志男;陈卓凡 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本案揭露一种校准装置，是用以校准记忆体。校准装置包含输入端、第一上拉电路及第一比较器。输入端用以耦接外部电阻。第一上拉电路耦接于输入端，并用以接收电源供应电压。第一上拉电路包含多个第一上拉单元，这些第一上拉单元彼此并联。第一比较器耦接于输入端。第一比较器用以接收相应于电源供应电压的比例电压，并输出第一控制信号至该些第一上拉单元，使得该些第一上拉单元中每一者的电阻值相等于外部电阻的电阻值。本案实施例提供一种校准装置，通过校准装置对记忆体进行校准，以使记忆体与外部装置阻抗匹配，借以改善记忆体输出的高频信号产生反射的状况。
校准装置

[实用新型]记忆体装置-CN202120540603.6有效
发明人：吴瑞仁;砂永登志男;蔡修群 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种记忆体装置，包含记忆体组以及控制电路。记忆体组包含多个记忆体库。控制电路耦接于记忆体组，并包含三态逻辑致能电路以及地址解码电路。三态逻辑致能电路用以暂存多个暂存地址信号，依据同步信号以输出多个暂存地址信号，且解码多个暂存地址信号以产生致能信号，并传送致能信号至多个记忆体库中的一者。地址解码电路用以解码多个暂存地址信号以驱动多个记忆体库中的一者。
记忆体装置

[发明专利]校准装置-CN202110274807.4在审
发明人：吴瑞仁;砂永登志男;陈卓凡 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本案揭露一种校准装置，是用以校准记忆体。校准装置包含输入端、第一上拉电路及第一比较器。输入端用以耦接外部电阻。第一上拉电路耦接于输入端，并用以接收电源供应电压。第一上拉电路包含多个第一上拉单元，这些第一上拉单元彼此并联。第一比较器耦接于输入端。第一比较器用以接收相应于电源供应电压的比例电压，并输出第一控制信号至该些第一上拉单元，使得该些第一上拉单元中每一者的电阻值相等于外部电阻的电阻值。本案实施例提供一种校准装置，通过校准装置对记忆体进行校准，以使记忆体与外部装置阻抗匹配，借以改善记忆体输出的高频信号产生反射的状况。
校准装置

[发明专利]记忆体装置以及其修补方法-CN202110282028.9在审
发明人：吴瑞仁;砂永登志男;杨子澔 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种记忆体装置以及其修补方法，记忆体装置包含多个常规记忆体电路与冗余记忆体电路。常规记忆体电路包含多个常规记忆体阵列。冗余记忆体电路包含冗余记忆体阵列。多个常规记忆体阵列共用冗余记忆体阵列。当多个常规记忆体阵列中的第一常规记忆体阵列的第一常规记忆体单元毁坏时，冗余记忆体阵列的第一冗余记忆体单元取代第一常规记忆体单元。当多个常规记忆体阵列中的第二常规记忆体阵列的第二常规记忆体单元毁坏时，冗余记忆体阵列的第二冗余记忆体单元取代第二常规记忆体单元。本实施于冗余记忆体单元的分配上更有弹性亦可改善冗余记忆体单元不足够的问题。
记忆体装置及其修补方法

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