专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]抗蚀剂除去用组合物-CN201810018876.7有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2018-01-09 - 2023-08-08 - G03F7/42
  • 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂除去用组合物,其在使用光致抗蚀剂来制造在对基板实施蚀刻处理而形成元件、电路等时使用的掩模的工序中,可以有效地除去附着于基板的边缘部分、背面的光致抗蚀剂。为此,本发明的抗蚀剂除去用组合物为包含表面活性剂和溶剂的组合物,其中,作为上述表面活性剂,至少含有下述成分(A)。成分(A):以下述式(a)表示的聚甘油衍生物。RaO‑(C3H5O2Ra)n‑Ra(a)[式中,n表示上述重复单元的个数,为2~60的整数。Ra相同或不同,表示氢原子、碳原子数1~18的烃基、或碳原子数2~24的酰基。并且,在(n+2)个Ra中,至少2个为碳原子数1~18的烃基和/或碳原子数2~24的酰基]。
  • 抗蚀剂除去组合
  • [发明专利]半导体晶片表面保护剂-CN201911218723.8有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2019-12-03 - 2023-07-07 - C09G1/02
  • 本发明提供抑制由碱性化合物腐蚀半导体晶片表面腐蚀、从而使半导体晶片低缺陷化的表面保护剂。本发明的半导体晶片表面保护剂包含下述式(1)表示的化合物:R1O‑(C3H6O2)n‑H(1),式中,R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~24的烃基、或R2CO表示的基团,上述R2表示碳原子数1~24的烃基,n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度,为2~60。
  • 半导体晶片表面保护
  • [发明专利]抗蚀剂亲水化处理剂-CN201810128003.1有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2018-02-08 - 2023-06-16 - G03F7/32
  • 本发明提供一种抗蚀剂亲水化处理剂,其能够在抑制抗蚀剂涂膜的劣化的同时,将抗蚀剂涂膜的表面迅速且稳定地亲水化。为此,本发明的抗蚀剂亲水化处理剂至少含有下述成分(A)和成分(B)。成分(A):以下述式(a)表示的聚甘油或其衍生物RaO‑(C3H6O2)n‑H(a)(式中,Ra表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~18的烃基、或碳原子数2~24的酰基。n表示括号内所示的甘油单元的平均聚合度,为2~60的整数);成分(B):水。
  • 抗蚀剂亲水化处理
  • [发明专利]化妆品组合物-CN201780063326.0有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2017-10-03 - 2023-05-09 - A61K8/68
  • 本发明提供一种使用感及神经酰胺溶解稳定性优异的透明的化妆品组合物。本发明的化妆品组合物包含(a)神经酰胺、(b)表面活性剂及(c)水,其中,上述(a)的含量为化妆品组合物总量的0.00001~5.0重量%,作为上述(b),聚甘油脂肪族醚的含量为化妆品组合物总量的0.1~5.0重量%,(c)的含量为化妆品组合物总量的50.0重量%以上。作为上述聚甘油脂肪族醚,优选聚甘油单脂肪族醚的含量为聚甘油脂肪族醚总量的75重量%以上、聚甘油二脂肪族醚的含量为聚甘油脂肪族醚总量的5重量%以下。
  • 化妆品组合
  • [发明专利]清洗剂组合物和化学机械研磨用组合物-CN202180034358.4在审
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2021-04-21 - 2022-12-23 - C11D7/32
  • 本发明提供清洗剂组合物和研磨用组合物,所述清洗剂组合物在半导体基板的清洗中,能充分去除研磨剂、金属微粒以及防蚀剂,并能长期维持清洗后的金属布线表面的平坦性,长期的品质稳定性优异,所述研磨用组合物能抑制半导体基板等被研磨物的划痕(划伤),并且能减少过滤器堵塞。一种清洗剂组合物和化学机械研磨用组合物,所述清洗剂组合物含有通式(1)所示的烷醇羟基胺化合物,pH为10~13,所述化学机械研磨用组合物含有所述清洗剂组合物和研磨剂。(式(1)中,Ra1和Ra2相同或不同,表示氢原子或具有1~3个羟基的碳原子数1~10的烷基。其中,Ra1和Ra2不同时为氢原子,Ra1和Ra2所具有的羟基的合计不为0。)
  • 洗剂组合化学机械研磨
  • [发明专利]半导体基板清洗剂-CN201780083628.4有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2017-12-28 - 2022-11-04 - H01L21/304
  • 本发明提供能够在不腐蚀金属的情况下除去附着于半导体基板的金属抛光屑等杂质、并防止上述杂质的再附着的清洗剂。本发明的半导体基板清洗剂至少含有下述成分(A)及成分(B)。成分(A):重均分子量为100以上且低于10000的水溶性低聚物;成分(B):水。作为上述水溶性低聚物,优选为选自下述式(a‑1)~(a‑3)所示的化合物中的至少一种化合物。Ra1O‑(C3H6O2)n‑H(a‑1);Ra2O‑(Ra3O)n’‑H(a‑2);(Ra4)3‑s‑N‑[(Ra5O)n"‑H]s(a‑3)。
  • 半导体基板清洗剂
  • [发明专利]半导体布线研磨用组合物-CN202080005198.6有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2020-03-18 - 2022-08-19 - C09K3/14
  • 本发明提供一种研磨速度优异、并且可抑制凹陷的产生的半导体布线研磨用组合物。本发明的半导体布线研磨用组合物含有下述式(1)表示的化合物:R1O‑(C3H6O2)n‑H(1)(式中,R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~24的烃基、或R2CO表示的基团,上述R2表示碳原子数1~24的烃基,n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度,为2~60)。
  • 半导体布线研磨组合
  • [发明专利]半导体晶片表面的亲水化处理液-CN202080005194.8在审
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2020-03-18 - 2021-04-30 - H01L21/304
  • 本发明提供能够为半导体晶片表面赋予亲水性的半导体晶片表面的亲水化处理液。本发明的半导体晶片表面的亲水化处理液含有水及下述式(1)表示的化合物,水及下述式(1)表示的化合物的总含有比例为95重量%以上,R1O‑(C3H6O2)n‑H(1)(式中,R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~24的烃基、或R2CO表示的基团,上述R2表示碳原子数1~24的烃基,n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度,为2~60)。
  • 半导体晶片表面水化处理
  • [发明专利]发油-CN201580023531.5有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2015-05-08 - 2020-11-27 - A61K8/42
  • 本发明提供拿在手里时不易滴落、延展性优异的发油。本发明的发油为包含包括增稠剂(A)和油剂(B)的油组合物的发油,其包含占油组合物总量的0.5~30.0重量%的下述式(1)表示的化合物作为增稠剂(A)、与占油组合物总量的70.0~99.5重量%的油剂(B),R1‑(CONH‑R2)n(1)(式中,R1为从苯、二苯甲酮、联苯、萘、环己烷、或丁烷的结构式中除去n个氢原子的基团,R2为碳原子数4以上的脂肪族烃基。n表示3以上的整数。n个R2可以相同,也可以不同)。
  • 发油
  • [发明专利]清洁化妆品-CN201580030356.2有效
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2015-06-08 - 2020-10-30 - A61K8/42
  • 本发明提供一种对油性污垢的清洁力优异、且能够用水洗去,并且,在用手取用时不易发生滴落、延展性优异、在填充于泵方式的容器时的喷出性优异的清洁化妆品。本发明的清洁化妆品包含增稠剂(A)、油剂(B)及表面活性剂(C),其中,该清洁化妆品包含0.1~10.0重量%的下述式(1)所示的化合物作为增稠剂(A)(式(1)中,R1是从苯、二苯甲酮、联苯、萘、环己烷或丁烷的结构式中去除n个氢原子而成的基团,R2为碳原子数4以上的脂肪族烃基。n表示3以上的整数。n个R2任选相同或不同)。R1‑(CONH‑R2)n (1)。
  • 清洁化妆品
  • [发明专利]基板亲水化处理剂-CN201980014155.1在审
  • 坂西裕一 - 株式会社大赛璐
  • 2019-01-30 - 2020-10-02 - G03F7/11
  • 本发明提供可提高基板表面相对于光致抗蚀剂的润湿性的基板亲水化处理剂。本发明的基板亲水化处理剂是对待通过光刻法进行图案形成的基板的表面进行亲水化的处理剂,其至少含有下述成分(A)及成分(B)。成分(A):重均分子量为100以上且小于10000的水溶性低聚物;成分(B):水。作为成分(A)中的水溶性低聚物,优选下述式(a‑1)表示的化合物。Ra1O‑(C3H6O2)n‑H(a‑1)(式中,Ra1表示氢原子、任选具有羟基的烃基、或酰基。n为2~60的整数。)。
  • 基板亲水化处理

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