专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610008597.X无效
  • 须贺原和之;中川直纪;园淳弘;由良信介;山吉一司 - 三菱电机株式会社
  • 2006-02-17 - 2006-08-23 - H01L21/20
  • 目的在于提供一种激光照射的重叠部分能够不被人的眼睛识别的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件的制作方法包括:第1扫描步骤,利用照射面是矩形的脉冲形发振的激光,对形成在绝缘体上的非晶半导体膜,在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射,形成第1多晶半导体膜;以及第2扫描步骤,在上述第1多晶半导体膜上重叠照射面的一部分,并且利用上述激光对与上述第1多晶半导体膜相邻的非晶半导体膜,在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射,形成第2多晶半导体膜,其特征在于:上述激光的波长范围是390nm到640nm,上述非晶半导体膜的膜厚度大于等于60nm且小于等于100nm。
  • 半导体器件及其制造方法

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