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[发明专利]一种覆铜陶瓷载板切割打码装置-CN202311184179.6在审
发明人：朱锐;马敬伟;李炎;孙泉 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆铜陶瓷载板切割打码装置，其技术方案要点是：包括机架，所述机架上固定有伺服电机，所述伺服电机的电机轴端部固定有第一支撑轴，所述第一支撑轴端部通过电磁离合器固定有第二支撑轴，所述第二支撑轴的端部固定有载台，所述载台的中部开设有避让槽，所述机架上固定有侧立柱，所述侧立柱上安装有激光打码器，所述机架的上方设置有用于固定载台上工件的压动结构以及用于气吹清洁工件上下表面的气吹组件，所述载台处设置有若干个用于连接外界气管的负压气管。本覆铜陶瓷载板切割打码装置采用位于侧立柱上的一个激光打码器实现双面打码，结构简单、精巧。
一种陶瓷切割装置

[发明专利]一种使陶瓷金属化方法制作的烧结治具-CN202310827419.3在审
发明人：曹海洋;李炎;董明锋;蔡俊;孙甜 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷覆铜基板技术领域，特别涉及一种使陶瓷金属化方法制作的烧结治具。本发明通过溅射工艺先在预清洗陶瓷表面形成金属铬层，切割陶瓷表面形成多条切割线；进行化学镀，制得镀铬陶瓷；延切割线将陶瓷掰成瓷条，粘合成复合瓷条，固定在瓷片两侧，制得治具；放入烧结炉中预烧，制得烧结治具。所述溅射金属铬层工艺进一步为溅射CrNiNbGeMoN涂层工艺，以CrNiNbGeMo合金作为靶材，所述靶材包括以下质量百分比成分：50～60％Cr、12～15％Ni、5～7％Nb、5～7％Ge、10～20％Mo。本发明制得的烧结治具牢固性好、厚度均匀、翘曲值较小，能够提高产品质量和减少维护时间。
一种陶瓷金属化方法制作烧结

[发明专利]一种陶瓷覆铜载板切割打码一体化设备-CN202310937091.0有效
发明人：朱锐;马敬伟;李炎;孙泉 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铜载板切割打码一体化设备，包括机架，所述机架上设置有抓取机械手，所述抓取机械手的两侧分别设置有第一工位和第二工位，所述第一工位和第二工位处分别设置有CCD摄像头，所述第一工位处设置有激光切割器，所述第二工位处设置有激光打码机构，所述机架上还设置有传输皮带，所述传输皮带的另一端设置有料盒。本陶瓷覆铜载板切割打码一体化设备将切割和打码设置在一个装置之上，在第一工位处利用激光切割器实现切割，在第二工位处利用激光打码机构实现双面打码，利用CCD摄像头进行位置定位，并利用机械手进行产品转移，生产效率高。
一种陶瓷覆铜载板切割一体化设备

[发明专利]具有三维引脚结构氧化铝DPC产品表面金属化方法-CN202310438294.5有效
发明人：李炎;张敦亮;余龙;管鹏飞;孔进进;王松 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维引脚结构氧化铝DPC产品表面金属化方法，涉及陶瓷产品加工领域，其技术方案要点是：S1、陶瓷零件处理；S2、菲林和防护治具打孔程式制作：制作选化菲林；制作引脚防护治具，测量引脚间尺寸并将量测好的尺寸数据转换成打孔程式；S3、陶瓷零件固定：将陶瓷零件的引脚插入防护治具，并且设置垫片增加陶瓷零件高度；S4、湿膜印刷；S5、曝光与显影；S6、表面处理：产品进行化学镍金处理；S7、去膜、蚀刻：将湿膜去除，再将湿膜下的铜层和溅射层蚀刻去除，得到氧化铝DPC产品。本发明的具有三维引脚结构氧化铝DPC产品表面金属化方法能够针对具有三维引脚结构的DPC产品进行表面选择性金属化。
具有三维引脚结构氧化铝 dpc 产品表面金属化方法

[发明专利]一种半导体激光器的热沉结构及其制备方法-CN202310230369.0有效
发明人：王斌;周轶靓;季成龙;朱凯;吴承侃 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器的热沉结构及其制备方法，涉及半导体激光器领域，旨在解决芯片与热沉之间的热膨胀系数不匹配的问题，其技术方案要点是：一种半导体激光器的热沉结构，分为三层结构，上下两层结构为双面覆铜陶瓷基板，中间层为铜片层。本发明的一种半导体激光器的热沉结构及其制备方法减小热膨胀系数差异，提高激光阵列的光束质量。
一种半导体激光器结构及其制备方法

[发明专利]一种用激光粒度仪测试有机粉体/浆料的方法-CN202310290188.7有效
发明人：葛荘;王斌;沈嘉伟;余祖森;丁颖颖 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用激光粒度仪测试有机粉体/浆料的方法，涉及有机粉体/浆料测试领域，旨在解决超声过程中容易产生气泡的问题，其技术方案要点是：包括以下步骤：第一步：取用适量的酒精，将其置于真空脱泡机中进行真空脱泡；第二步：向经过脱泡处理的酒精中加入有机消泡剂；第三步：将加入消泡剂的酒精置于超声波均质器中，将超声波均质器功率调至与激光粒度仪一致，开启超声后，观察状态，待没有气泡产生后，关闭超声均质器，取出酒精备用；第四步：将酒精加入到有机粉体或浆料中，设置好激光粒度仪的测试参数，开启其内置超声后进行测试。本发明的用激光粒度仪测试有机粉体/浆料的方法不会产生气泡，也不会有二次团聚现象发生。
一种激光粒度测试有机浆料方法

[发明专利]一种陶瓷覆铜基板的压平治具-CN202310215807.6有效
发明人：朱锐;李炎;马敬伟;董明锋 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铜基板的压平治具，涉及陶瓷覆铜基板生产领域，旨在解决陶瓷覆铜基板翘曲的技术问题，其技术方案要点是：一种陶瓷覆铜基板的压平治具，包括用于吸附陶瓷覆铜基板的真空负压平台，所述真空负压平台的上方设置有通过伺服直线机构竖直调高的支撑座，所述支撑座的两侧对称设置有承载架，两侧所述承载架的底部分别固定有若干个缓冲器，若干个所述缓冲器的底部分别固定有橡胶压垫。本陶瓷覆铜基板的压平治具在应用时，具有良好的压平防翘曲效果。
一种陶瓷覆铜基板压平

[发明专利]一种覆铜陶瓷载板点胶附着力的测试方法-CN202310379662.3在审
发明人：巩俊成;朱锐;吴盛鹏;于明洋;李炎 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆铜陶瓷载板点胶附着力的测试方法，其技术方案要点是S1、制作点胶治具；S2、取覆铜陶瓷载板样本；S3、将半成品进行化学前处理；S4、蚀刻烘干；S5、点胶；S6、高温固化；S7、切割；S8、附着力测试：使用推力测试仪，将上述的样本放在测试平台上并固定，显微镜下观察将推杆移动至胶块底部，仪器将推动油墨至从铜面分离，根据测试数据即可得出单位面积下的点胶附着力。本发明的一种覆铜陶瓷载板点胶附着力的测试方法不仅可以定值定量测试点胶附着力，同时在附着力变化时能够给出数据依据，测试方法较为简单，便于操作，对于点胶附着力评价具有开创性及指导性意义。
一种陶瓷载板点胶附着力测试方法

[发明专利]一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法-CN202310077414.3有效
发明人：于明洋;师传茗;巩俊成;赵成龙;李炎 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法，涉及陶瓷基板制备领域，旨在解决现有台阶蚀刻造成铜面晶界变大，铜面粗糙度大的问题，其技术方案要点是：一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法，包括以下步骤：S1、配置台阶蚀刻液：按质量百分比计Sancy701A5％，双氧水45％，纯水50％；S2、将台阶蚀刻液加热：加热至40℃并持续梯度降温；S3、浸泡：将基板放入蚀刻液浸泡；S4、去除氧化铜：将基板冲洗后放入酸洗液中进行清除表面氧化铜；S5、清洗：用水洗槽清洗掉基板残留的药水。本发明的一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法减小了铜表面粗糙度以及晶粒间距，增加光泽度。
一种陶瓷台阶蚀刻方法

[发明专利]一种氧化DCB铜片的方法-CN202211517643.4有效
发明人：蔡俊;贺贤汉;李炎;马敬伟;陆玉龙;董明锋 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化DCB铜片的方法，涉及覆铜陶瓷基板加工领域，旨在解决铜片氧化不均匀的问题，其技术方案要点是：一种氧化DCB铜片的方法，包括以下步骤：1）选用隧道炉作为氧化设备，在隧道炉的底部和顶部均匀分布加热电阻丝，取压缩空气作为氧化气源，同时保证隧道炉内的空间与外界空气相通；2）将铜片放置在网带的上，逐步进入到隧道炉内进行氧化；3）在隧道炉内设置有十个依次排列的独立温区，每个温区的温度设置为300℃；4）安置在网带上的铜片依次经过上述温区，带速为6.0inch/min，氧化时间15min。本发明的一种氧化DCB铜片的方法直接采用压缩空气进行氧化，氧化效果好，成本低。
一种氧化 dcb 铜片方法

[发明专利]一种用于DPC陶瓷基板加工的定位方法-CN202211366644.3有效
发明人：孔进进;贺贤汉;李炎;王松;余龙;董明锋 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于DPC陶瓷基板加工的定位方法，涉及半导体加工领域，旨在解决二次曝光时无标记点定位的问题，其技术方案要点是：一种用于DPC陶瓷基板加工的定位方法，包括以下步骤：a、在瓷片上打定位孔；b、在瓷片上贴干膜；c、根据定位孔进行第一次曝光；d、曝光完成后停滞15min进行显影；e、显影完成后留下标记点；f、进行图形电镀以及去膜蚀刻；g、根据留下的标记点进行二次曝光并对需要加厚的地方进行贴膜再选择性曝光；h、曝光完成后再次停滞15分钟进行显影；i、显影后对露出的区域进行电镀加厚。本发明的一种用于DPC陶瓷基板加工的定位方法能够实现二次曝光的精准定位，识别效果好。
一种用于 dpc 陶瓷加工定位方法

[发明专利]一种陶瓷基板的填孔方法-CN202211408676.5有效
发明人：管鹏飞;贺贤汉;周鹏程;刘井坤;王斌 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷基板的填孔方法，涉及半导体功率器件加工领域，旨在解决陶瓷基板填孔有气泡效率低的问题，其技术方案要点是：一种陶瓷基板的填孔方法，（1）激光钻通孔：使用激光器在陶瓷基板上通孔；（2）瓷片清洗：清洗瓷片表面污渍及激光钻孔后的粉尘；（3）真空溅射种子层：陶瓷表面金属化形成导电层；（4）脉冲电镀：激光钻的通孔通过脉冲电镀使孔内金属铜层形成连接；（5）皮秒切割：在金属铜层连接处通过皮秒激光器切割形成断口；（6）直流电镀：具有断口的通孔通过直流电镀金属铜使其填平；（7）磨抛：表面整平，去除填孔后的微小凹坑凸起。本发明的一种陶瓷基板的填孔方法填孔无气泡，并且效率高，良品率高。
一种陶瓷方法

[发明专利]覆铜陶瓷基板的分片工艺-CN202211479159.7在审
发明人：朱锐;贺贤汉;陆玉龙;李炎;马敬伟 -专利权人： 四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆铜陶瓷基板的分片工艺，涉及陶瓷基板加工领域，旨在解决覆铜陶瓷基板在分片切割时会产生锥度的问题，其技术方案要点是：一种覆铜陶瓷基板的分片工艺，由以下步骤组成：激光器出光，射出光束达到扩束镜，所述扩束镜将激光光斑从15微米扩大到50微米；扩大后的光束经过至少一次的反射镜片，将激光从激光器引导至加工位置；经过反射器的光束通过扫描振镜，生成所需要加工的图形；然后光束通过远心石英场镜，将激光投射至覆铜陶瓷基板上进行分割。本发明的一种覆铜陶瓷基板的分片工艺，通过振镜配合远心石英场镜，能够使覆铜陶瓷基板切割时不会产生斜边锥度，良品率高。
陶瓷分片工艺

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