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- [发明专利]层结构中具有反向几何结构的异质接触太阳电池-CN200680022290.3有效
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O·阿卜杜拉;G·奇塔雷拉;M·孔斯特;F·温施
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哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司
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2006-04-11
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2008-06-18
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H01L31/075
- 公知的异质接触太阳电池的非晶发射极设置在晶体吸收体面向光的顶部上并且吸收入射光，其因此不能为吸收体中电荷载流子的产生做出贡献。透明导电氧化物层(TCO)作为对pn过渡具有负面影响的覆盖层可以省掉。本发明的异质接触太阳电池(HKS)的层结构具有反向几何结构，从而所述太阳电池(HKS)具有反向异质接触。非晶发射极(EM)设置在晶体吸收体(AB)背对光的底部(LU)上。吸收体(AB)仅由其面向光的顶部(LO)上的透明减反射涂层(ARS)覆盖，所述涂层，由于其材料的选择，同时作为电有效的钝化层(PS)，从而可以避免吸收损失。与材料、时间和能量需求有关的能量恢复时间，可以通过在250℃到350℃下由等离子体CVD工艺低温制备发射极(EM)和减反射涂层(ARS)而缩短。上接触结构(OKS)指状地穿透透明减反射涂层(ARS)，下接触结构(UKS)配置为薄的大表面金属层(MS)。
- 结构具有反向几何接触太阳电池
- [发明专利]垂直的纳米晶体管,用于其制造的方法和存储结构-CN200480024009.0无效
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陈颉;罗尔夫·克嫩坎普
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哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司
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2004-08-16
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2006-09-27
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H01L29/786
- 本发明应该提出一种垂直的纳米晶体管，它良好地经受住机械负荷并且在其制造中不像迄今的已知现有技术那么昂贵。该任务根据本发明被这样解决，即垂直的纳米晶体管具有一个源极接触结构、一个漏极接触结构、一个栅极区域以及在源极接触结构和漏极接触结构之间的圆柱状的半导电性的沟道区域，其中圆柱状的沟道区域被嵌入一个柔韧的绝缘衬底中并且被由金属层在柔韧的绝缘衬底上以及在沟道区域的上部分中形成的栅极区域这样地包围，使得栅极区域和沟道区域的上部区段形成一种同轴结构，并且源极接触结构、半导电性的沟道区域和漏极接触结构被布置在垂直方向上，并且栅极区域具有对源极接触结构、对漏极接触结构以及对半导电性的沟道区域的电绝缘结构，以及柔韧的衬底的上侧和下侧都具有电绝缘结构。一种存储结构由多个这种垂直的纳米晶体管构成。对此还说明了用于制造的方法。
- 垂直纳米晶体管用于制造方法存储结构
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