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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]摄像器件、摄像装置、制造装置和方法以及半导体器件-CN201410105258.8无效
发明人：石井俊辅;庆野聡志;和田智宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了摄像器件、摄像装置、制造装置和方法以及半导体器件。所述摄像器件包括：半导体，所述半导体具有对入射光进行光电转换的受光部；导电配线；和包含具有不同尺寸的多个接触的接触组，所述接触与所述半导体和所述导电配线连接。所述摄像装置包括所述摄像器件和图像处理部。所述制造装置被构造用来制造所述摄像器件，并且包括设定部、半导体元件形成部、接触形成部和导电配线形成部。根据本发明，能够适当且容易地控制暗信号电平。
摄像器件装置制造方法以及半导体器件

[发明专利]混炼装置-CN201280006069.4无效
发明人：赤井康昭;和田智宏;羽路智之 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： B01F15/00 文献下载
摘要：本发明具备：混炼室（2），对被混炼物（G）进行混炼；气体导入部（3），向混炼室（2）导入非活性气体；浓度测定部（4），对混炼室（2）内的氧浓度进行测定；运算部（30），进行用于使混炼室（2）内为目标氧浓度的运算；以及控制部（31），基于运算部（30）的运算结果，控制气体导入部（3），对浓度测定部（4）在混炼时测定的实测的氧浓度与预先设定的目标氧浓度进行比较，运算部（30）进行用于使混炼室（2）内为目标氧浓度的运算，在进行所述运算后的混炼中，基于得到的运算结果，控制部（31）对通过气体导入部（3）导入混炼室（2）内的非活性气体的净化流量及净化时间进行控制。
混炼装置

[发明专利]金属多孔体的制造方法-CN200910119492.5无效
发明人： 和田智宏;羽路智之;高桥慎一;神田辉一;渡边宪一 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B22F7/00 文献下载
摘要：一种金属多孔体的制造方法，其为通过烧结在有机多孔性的骨料上涂覆由金属粉和有机粘合剂构成的浆料而成的金属多孔体原料来制造金属多孔体的方法，包括如下工序：在包含一氧化碳和二氧化碳的氛围下以650℃以下的温度处理前述金属多孔体原料的脱脂工序；在惰性氛围或真空氛围中、在烧结温度以下处理该脱脂工序后的金属多孔体原料的脱碳工序；将该脱碳工序后的金属多孔体原料保持在惰性氛围或真空氛围或氢气氛围或由氢气与惰性气体的混合气体氛围形成的还原性氛围中、在前述脱碳工序中的温度以上且前述金属粉的熔点以下的温度下的烧结工序。
金属多孔制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法、以及投影型显示装置-CN03800999.4无效
发明人：牧村真悟;桥本诚;大川善郎;和田智宏;片冈一典 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。
显示装置及其制造方法以及投影

[发明专利]渗碳用气氛气发生装置和方法-CN03142793.6无效
发明人： 和田智宏;洼弘司;太田英俊 -专利权人：光洋热系统株式会社
申请日： 2003-05-22 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： C23C8/20 文献下载
摘要：本发明提供了可以抑制在转化炉内煤的产生，稳定产生适于作为渗碳用气氛气的含有高浓度一氧化碳的转化气的渗碳用气氛气发生装置和方法。作为转化炉，串联连接设置第一转化炉14和第二转化炉15，在第一转化炉和第二转化炉之间的管线上，设置作为除去从第一转化炉引出、引入到第二转化炉的中间转化气中水分的水分除去装置的第一冷却器22，同时设置在该中间转化气中添加烃的烃添加部件24，将降低了烃的混合比例的状态的前述原料混合气引入到前述第一转化炉并通过催化反应产生中间转化气后，除去在该中间转化气中所含的水分，将烃添加到该中间转化气中后，引入第二转化炉，由催化反应产生渗碳用气氛气。
渗碳气氛发生装置方法

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