“周段亮”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果46个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碳纳米管载网、其制备方法及用途-CN202310115879.3在审
发明人：王宏伟;姜开利;刘楠;郭春龙;宋佶岭;周段亮;袁子;倪晓丹 -专利权人：水木未来（北京）科技有限公司;清华大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳纳米管载网、其制备方法及用途。本发明公开了一种碳纳米管载网，其包括载网，所述载网的一侧表面至少部分地覆盖有两层以上层叠的碳纳米管纤维膜，所述碳纳米管纤维膜由轴向排列的碳纳米管形成的纤维而构成，每个所述碳纳米管纤维膜中的纤维基本上具有相同的取向，并且相邻的所述碳纳米管纤维膜中纤维的取向不同。本发明提供的碳纳米管载网可应用于生物样品的冷冻电镜分析，例如可用于高分辨率的生物样品的冷冻电镜结构重构。
纳米管载网制备方法用途

[发明专利]一种透射型低能量电子显微系统-CN201610404782.4有效
发明人：柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01J37/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种透射型低能量电子显微系统，其包括：一真空腔体；一电子枪，用于发射的电子束；一衍射腔体；一成像装置；一样品支架，用于固定二维纳米材料样品，上述电子束可以从所述二维纳米材料样品透射之后形成进入所述衍射腔体内的透射电子束与衍射电子束，并在所述成像装置上成像；一芯柱；一抽真空装置；以及一控制电脑；其中，所述控制电脑还包括工作模式切换模块，所述工作模式切换模块可以实现大束斑的成像模式和小束斑的衍射模式之间切换；所述大束斑的成像模式为采用大于样品的电子束照射整个样品表面，并进行衍射成像；所述小束斑的衍射模式为采用小于样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面，并进行衍射成像。
一种透射能量电子显微系统

[发明专利]电调制光源、非色散红外光谱检测系统及气体检测方法-CN202111423708.4在审
发明人：赖丽文;柳鹏;周段亮;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供一种电调制光源，该电调制光源包括一碳纳米管膜状结构，该碳纳米管膜状结构包括至少一个超顺排碳纳米管膜或者/和多条碳纳米管线，该电调制光源在加载电压后瞬间升温并发出热辐射，在去除电压后瞬间降温至其初始温度，所述电调制光源的调制频率大于等于150KHz。本发明还提供一种采用该电调制光源的非色散红外光谱检测系统，以及采用该非色散红外光谱检测系统进行气体检测的方法。
调制光源色散红外光谱检测系统气体方法

[发明专利]碳纳米管场发射体及其制备方法-CN201910642083.7有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J9/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：在温度1400℃‑1800℃压力40Mpa‑60Mpa的条件下处理碳纳米管膜形成第一碳纳米管结构体；高温热处理所述第一碳纳米管结构体使所述第一碳纳米管结构体石墨化形成第二碳纳米管结构体；焊接至少两个电极片将至少一第二碳纳米管结构体的一端固定在相邻的两个电极片之间形成场发射预备体，该场发射预备体具有一发射端；粘结处理所述场发射预备体的发射端，形成碳纳米管场发射体。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
纳米发射及其制备方法

[发明专利]碳纳米管场发射体及其制备方法-CN201910642109.8有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；热处理所述碳纳米管阵列形成石墨化的碳纳米管阵列；提供一阴极基底，在该阴极基底的表面形成导电粘结剂层；将所述石墨化的碳纳米管阵列的一端与所述导电粘结剂层接触，并固化所述导电粘结剂层，使该石墨化的碳纳米管阵列固定在所述阴极基底上。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
纳米发射及其制备方法

[发明专利]场发射中和器-CN201910642704.1有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射中和器，包括一底板以及至少一个阴极发射单元固定在该底板的表面，该阴极发射单元包括一基板，一壳体，一阴极发射体，一栅网，以及一屏蔽层，所述壳体位于该基板上，该阴极发射体固定在该壳体内部并与该栅网绝缘间隔设置，该栅网与该屏蔽层绝缘间隔设置，该壳体具有一开口，该栅网包括多个栅孔，该屏蔽层具有一通孔，该开口、栅孔和通孔贯穿设置，所述阴极发射体包括一阴极基底以及一石墨化的碳纳米管阵列，该阴极基底包括一基底主体以及一粘结剂层，该石墨化的碳纳米管阵列通过该粘结剂层固定在该基底主体上，且石墨化的碳纳米管阵列中的碳纳米管基本垂直于该基底主体。
发射中和

[发明专利]碳纳米管场发射体及其制备方法-CN201910642092.6有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供至少一根碳纳米管线；热处理所述至少一根碳纳米管线形成至少一根石墨化的碳纳米管线，该至少一根石墨化的碳纳米管线具有相对的第一端部和第二端部；焊接至少两个电极将所述至少一根石墨化的碳纳米管线的第一端部固定在相邻的两个电极之间并使第二端部裸露在外作为电子发射端，进而形成碳纳米管场发射体。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
纳米发射及其制备方法

[发明专利]场发射中和器-CN201910642707.5有效
发明人：柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射中和器，包括一底板以及至少一个阴极发射单元固定在该底板上，该阴极发射单元包括一基板，一壳体，至少一阴极发射体，一栅网，以及一屏蔽层，该壳体位于所述基板上，所述至少一阴极发射体固定在壳体内部并与栅网绝缘间隔设置，该栅网与屏蔽层绝缘间隔设置，该壳体具有一开口，栅网包括多个栅孔，屏蔽层具有一通孔，该至少一阴极发射体发射的电子穿过开口、栅孔及通孔发射出去，该阴极发射体包括两个阴极电极片以及一石墨化的碳纳米管结构，该两个阴极电极片层叠设置并夹持石墨化的碳纳米管结构，使石墨化的碳纳米管结构分为第一部分和第二部分，第一部分夹持在两个阴极电极片之间，第二部分暴露在所述阴极电极片的外部。
发射中和

[发明专利]耐高温导线及应用该耐高温导线的探测器-CN201910073721.8有效
发明人：杨心翮;柳鹏;吕世伟;周段亮;张春海;高峰;高建东;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种耐高温导线，包括一碳纳米管线以及一氮化硼层，该氮化硼层包覆在碳纳米管线的表面，且该碳纳米管线与氮化硼层同轴设置，该耐高温导线在空气中的工作温度能够达到1600K，在真空中的工作温度能够达到2500K。本发明还提供一种使用该耐高温导线的探测器。
耐高温导线应用探测器

[发明专利]一种产生远红外偏振光的方法-CN201810109211.7有效
发明人：蒋利娟;柳鹏;周段亮;张春海;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种产生远红外偏振光的方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；对所述碳纳米管结构进行预处理，除去至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；将该预处理后的碳纳米管结构设置于一远红外光源的出射面一侧；使该远红外光源激发产生远红外光，并使该远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去；以及加热所述预处理后的碳纳米管结构。
一种产生红外偏振光方法

[发明专利]红外成像系统-CN201810109285.0有效
发明人：蒋利娟;柳鹏;周段亮;张春海;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：一种红外成像系统，包括：一第一远红外偏振光产生装置，包括一第一远红外光源；一第一偏振装置；一第一加热装置，该第一加热装置加热第一偏振装置；一第一检偏器，该第一检偏器与第一偏振装置的偏振方向相同；一第二远红外偏振光产生装置，包括一第二远红外光源；一第二偏振装置，该第二偏振装置和第一偏振装置的偏振方向垂直；一第二加热装置，该第二加热装置加热第二偏振装置；一第二检偏器，该第二检偏器与第二偏振装置的偏振方向相同；一信号接收装置，包括一第一信号接收器和一第二信号接收器；一计算机，该计算机分别与第一信号接收器和第二信号接收器电连接，将第一信号接收器接收的信号和第二信号接收器接收的信号整合到一起。
红外成像系统

[发明专利]一种表征二维纳米材料的方法-CN201610405276.7有效
发明人：柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种表征二维纳米材料的方法，该方法包括：将二维纳米材料样品设置于一真空环境中；采用电子束照射该二维纳米材料样品，从而使所述电子束从所述二维纳米材料样品透射之后形成透射电子束与衍射电子束，并在一成像装置上成像；获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ以及电子束的波长λ；以及根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d。
一种表征二维纳米材料方法

[发明专利]一种电子束加工系统-CN201610405200.4有效
发明人：柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子束加工系统，其包括：一真空装置；一设置于所述真空装置内的电子枪，所述电子枪用于发射电子束；一设置于所述真空装置内的载物装置，所述载物装置用于承载待加工件；以及一控制电脑，所述控制电脑用于控制整个电子束加工系统的工作；其中，进一步包括一设置于所述真空装置内的衍射装置；所述衍射装置包括一二维纳米材料；所述电子枪发射的电子束先透过该二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束，所述透射电子束和多个衍射电子束照射在该待加工件表面形成一透射斑点和多个衍射斑点。本发明提供的电子束加工系统通过电子束衍射装置将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。
一种电子束加工系统

[发明专利]一种采用电子束的光刻方法-CN201610405199.5有效
发明人：柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用电子束的光刻方法，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。本发明提供的采用电子束的光刻方法，通过二维纳米材料将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。
一种采用电子束光刻方法

[发明专利]太赫兹反射速调管及微米太赫兹反射速调管阵列-CN201510525276.6有效
发明人：柳鹏;陈丕瑾;李宗谦;周段亮;张春海;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01J25/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹反射速调管，包括一电子发射单元、一谐振单元、一输出单元，所述电子发射单元用于发射电子；所述谐振单元包括一谐振腔体，该谐振腔体与所述电子发射单元相通，该电子发射单元发射的电子进入所述谐振腔体，所述谐振腔体与所述电子发射单元相对的另一腔体壁具有一耦合输出孔，所述输出单元通过所述耦合输出孔与所述谐振单元相通，所述谐振单元中产生的太赫兹波通过所述耦合输出孔传输到所述输出单元。本发明进一步涉及一种微米太赫兹反射速调管阵列。
电子发射单元谐振单元谐振腔体输出单元耦合输出相通发射电子太赫兹波体壁传输发射

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 46 条