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[发明专利]光控太赫兹波调制芯片及其制备方法-CN202111460146.0有效
发明人：张朴婧;周庆莉;邓雨旺;梁菀琳;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供了一种光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：半导体衬底；以及形成于半导体衬底上的杂化结构，该杂化结构包括：微纳耦合结构，以及分散至微纳耦合结构的多个的金纳米双锥；其中，所述金纳米双锥的长径比大于等于1。本发明中，集成了金纳米材料非凡的等离子体共振特性以及纳米双锥的独特结构特征，金纳米双锥具有更大的局部电场增强、更大的光学截面、更窄的线宽、更好的形状和尺寸均匀性以及更高的折射率灵敏度，大大提升了光控太赫兹调控芯片的适用范围。
光控赫兹调制芯片及其制备方法

[发明专利]基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法-CN202310207924.8在审
发明人： 周庆莉;张朴婧;张旭腾;陈金禹;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法。该基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于绝缘衬底上。相比于其他光控太赫兹波调制薄膜，例如MoTe2薄膜，本发明碲纳米线薄膜在较低的泵浦激光功率下，能够实现宽带调制，调制深度大、灵敏度高；同时制备成本低精度高，更适合于大规模工业生产。
基于纳米光控赫兹调制芯片及其制备方法

[实用新型]光控太赫兹波调制系统-CN202320360697.8有效
发明人：张朴婧;陈金禹;张旭腾;周庆莉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光控太赫兹波调制系统，包括：光控太赫兹波调制芯片，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于所述绝缘衬底上；光泵浦源，其泵浦激光出口对准所述光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；太赫兹波源和太赫兹波探测器，两者相对设置，其中，所述太赫兹波源位于所述光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；所述太赫兹波探测器位于所述光控太赫兹波调制芯片的衬底侧。本实用新型混合维光控太赫兹波调制系统实现了超高调制深度，同时调制速度保持在皮秒量级。
光控赫兹调制系统

[实用新型]基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制系统-CN202320110028.5有效
发明人：张朴婧;陈金禹;施惠文;周庆莉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制系统，包括：光控太赫兹波调制芯片，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于绝缘衬底上；光泵浦源，其泵浦激光出口对准光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；太赫兹波源和太赫兹波探测器，两者相对设置，其中，太赫兹波源位于光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；太赫兹波探测器位于光控太赫兹波调制芯片的衬底侧。并且，其中的碲薄膜进一步可以采用碲/锗二维范氏异质结薄膜。本实用新型光控太赫兹波调制系统能够实现宽带调制，调制深度大、灵敏度高、实用性好。
基于二维薄膜光控赫兹调制系统

[实用新型]电流调制太赫兹器件、太赫兹波调制系统、信息加密系统-CN202223176227.0有效
发明人：梁菀琳;张朴婧;时龙雨;邓雨旺;周庆莉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电流调制太赫兹器件、太赫兹波调制系统、信息加密系统。其中，电流调制太赫兹器件包括：对太赫兹波透明的基底；形成于基底上的VO2层；形成于VO2层上的微谐振器；微谐振器包括：形成于VO2层上，用于加载偏置电流，左右对称的电流正极端和电流负极端；形成于VO2层上，电流正极端和电流负极端内侧，左右对称，阵列布置的N×M个谐振单元，N≥2，M≥2；在水平方向上，谐振单元上下对称，包括：封闭环；分别穿过封闭环左、右两侧的左延伸臂和右延伸臂；左、右延伸臂之间形成矩形开口区域。本实用新型相比于激光照射、电压调控、传统热控等方式，具有操作简单，更易于同当前集成电路技术相融合等优势。
电流调制赫兹器件系统信息加密

[发明专利]基于VO2-CN202211511219.9在审
发明人： 周庆莉;梁菀琳;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于VO2和超材料的电流调制太赫兹器件、太赫兹波调制系统、信息加密系统。其中，电流调制太赫兹器件包括：对太赫兹波透明的基底；形成于基底上的VO2层；形成于VO2层上的微谐振器；微谐振器包括：形成于VO2层上，用于加载偏置电流，左右对称的电流正极端和电流负极端；形成于VO2层上，电流正极端和电流负极端内侧，左右对称，阵列布置的N×M个谐振单元，N≥2，M≥2；谐振单元呈具有LC共振模式的裂环结构，每行的M个谐振单元依次串联，N行谐振单元的两端分别连接至电流正极端和电流负极端。本发明相比于激光照射、电压调控、传统热控等方式，具有操作简单，更易于同当前集成电路技术相融合等优势。
基于 vo base sub

[发明专利]基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法-CN202310058379.0在审
发明人： 周庆莉;张朴婧;陈金禹;施惠文;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间。本发明所提供的光控太赫兹波调制芯片，其在0.2‑2.0THz的宽带太赫兹波段实现小功率的可激发阈值和在高功率下得到高调制的同时仍然保持超快特性。进一步地，本发明还提供了一种基于碲/锗二维范氏异质结的光控太赫兹波调制芯片，其可同时实现超快调制速度和高的调制深度，同时还打破了二维材料的在低功耗下超灵敏响应的限制，相比于现有技术的光控太赫兹芯片具有极大的优势。
基于二维薄膜光控赫兹调制芯片及其制备方法

[实用新型]光控太赫兹波调制器及应用其的调制系统-CN202123008413.9有效
发明人：张朴婧;周庆莉;邓雨旺;梁菀琳;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光控太赫兹波调制器及应用其的调制系统。该光控太赫兹波调制器包括：光泵浦源，用于产生泵浦激光；光控太赫兹波调制芯片，设置于泵浦激光的出射光路上，包括：半导体衬底；以及形成于半导体衬底上的杂化结构，该杂化结构包括：微纳耦合结构，以及分散至微纳耦合结构的多个的金纳米双锥。本实用新型实现了光控高调制、超宽工作波段的太赫兹波调制器。
光控赫兹调制器应用调制系统

[实用新型]太赫兹波浓度传感芯片及检测套件-CN202023345548.X有效
发明人：梁菀琳;周庆莉;左剑;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太赫兹波浓度传感芯片和检测套件。该太赫兹波浓度传感芯片包括：基底，其对太赫兹波透明；以及形成于基底上的传感结构阵列；其中，传感结构为三圈同心圆环形状的金属薄膜，传感结构阵列包括：N×M个传感结构，N≥10，M≥10。本实用新型能够极大地提升浓度检测的准确性。
赫兹浓度传感芯片检测套件

[发明专利]太赫兹波浓度检测套件-CN202011615202.9在审
发明人：梁菀琳;周庆莉;左剑;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹波浓度检测套件。该太赫兹波浓度检测套件包括：太赫兹波浓度传感芯片和与太赫兹波浓度传感芯片配套使用的单独NC浸润膜片；太赫兹波浓度传感芯片包括：基底，其对太赫兹波透明；以及形成于基底上的传感结构阵列；其中，传感结构为三圈同心圆环形状的金属薄膜，传感结构阵列包括：N×M个传感结构，N≥10，M≥10；NC浸润膜片为硝酸纤维素膜，其能够在浸润溶液样本后覆盖于太赫兹波浓度传感芯片上传感结构阵列所在区域的上方。本发明能够极大地提升浓度检测的准确性。
赫兹浓度检测套件

[发明专利]一种太赫兹异步高速扫描系统触发信号产生装置及方法-CN201711369837.3有效
发明人：大卫·琼斯;杨雪;武亚雄;崔海林;苏波;何敬锁;周庆莉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹异步高速扫描系统触发信号产生装置及方法，本发明装置产生的触发信号，相比于双光子方式触发信号，有效的避免双光子在调节过程中所遇到的如倍频信号不易调出等一系列问题，并大大简化了光路的设计，以便于为进一步集成异步扫描系统提供便利；与利用双平衡探测器(DBM)相比，有效的避免了多次引入电学信号造成的触发信号不稳定，所获得的触发信号减小了约100fs‑200fs的抖动，对进一步获得稳定的高信噪比太赫兹信号提供了良好的先决条件。
一种赫兹异步高速扫描系统触发信号产生装置方法

[发明专利]一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统-CN202010980978.4在审
发明人： 周庆莉;李格;梁菀琳;邓雨旺;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统，将金属微结构形成的金属阵列与二氧化钒薄膜进行耦合，通过设计不同的超材料结构单元可获得不同频率记忆效应的THz调制器件；本发明在室温下将离子凝胶中氢离子注入二氧化钒薄膜，同时通过栅极直流电压源施加调控电压控制二氧化钒薄膜中氢离子的掺杂程度，明显降低调控所需的功耗，实现了对二氧化钒薄膜电导态的实时调控，能够建立起调控电压正负、大小、时间和二氧化钒薄膜电导以及THz透过率之间的数值对应关系，进而实现对记忆型THz调制器件性能的实时数字化可控；本发明还能在室温下即可实现对THz波调制的精确控制，完成基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制系统的写入、读取以及擦除。
一种基于氧化可编程赫兹记忆调制器件系统

[发明专利]一种超快时域光谱系统中触发信号发生器-CN201810106796.7有效
发明人：张宏飞;大卫·琼斯;苏波;崔海林;周庆莉;何敬锁;张盛博;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01J3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超快时域光谱系统中触发信号发生器，可以产生带宽高、上升沿锐利、易调节、性能稳定的触发信号；其中的光电二极管、跨阻放大器、运算放大器部分，采用了正反馈调节的方式，即当两束光脉冲照射在两个光电二极管上时，产生的电信号可经由两路不同的电路后，得到两个周期相同的电信号，即一路经由高频跨阻放大器TIA和放大器Amp3，一路经由两个电阻后再分别输入到放大器Amp1、Amp2后再输入到放大器Amp4；放大器Amp4、放大器Amp3输出的为周期相同性质相同的电信号，它们的信号同时输入到运算放大器Amp5，对放大器Amp4、放大器Amp3的信号进行放大并进行或运算，然后对跨阻放大器TIA进行正反馈调节，提高信号的信噪比，使信号更精确，避免噪声引起的误触发。
一种时域光谱系统触发信号发生器

[实用新型]一种基于红外吸收光谱的甲醛浓度检测装置-CN201922354855.5有效
发明人：崔海林;苏波;周庆莉 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于红外吸收光谱的甲醛浓度检测装置，同时检测甲醛气体的两个红外吸收峰位置来检测甲醛对红外光的吸收情况，最终计算甲醛浓度；由于大气中气体都有自己的特征吸收峰，不会与甲醛的两个吸收峰都重合，这样就可以通过选择未被影响的吸收峰，作为检测浓度的数据，就可以大大减少其他气体的影响，提供甲醛浓度的检测精度；本实用新型的基于红外吸收光谱的甲醛浓度检测装置，光源、探测器、电子元器件等组成部分的寿命长，可以延长使用时间；且装置简单易于实现。
一种基于红外吸收光谱甲醛浓度检测装置

[发明专利]一种基于红外吸收光谱的甲醛浓度检测方法及装置-CN201911345606.8在审
发明人：崔海林;苏波;周庆莉 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于红外吸收光谱的甲醛浓度检测方法和装置，同时检测甲醛气体的两个红外吸收峰位置来检测甲醛对红外光的吸收情况，最终计算甲醛浓度；由于大气中气体都有自己的特征吸收峰，不会与甲醛的两个吸收峰都重合，这样就可以通过选择未被影响的吸收峰，作为检测浓度的数据，就可以大大减少其他气体的影响，提供甲醛浓度的检测精度；本发明中通过事先标定浓度电压比值系数k，并不单独设置一个参考通道，因此可以简化检测流程；本发明的基于红外吸收光谱的甲醛浓度检测装置，光源、探测器、电子元器件等组成部分的寿命长，可以延长使用时间；且装置简单易于实现。
一种基于红外吸收光谱甲醛浓度检测方法装置

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