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[发明专利]用于三电平脉冲幅度调制信令的发送器和接收器及包括该发送器和接收器的系统-CN202211636997.0在审
发明人：薛昶圭;金成来;吴致成;崔桢焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：一种发送器，包括：编码器，被配置为将输入数据信号的第一数量的二进制输入比特划分为第一比特组和第二比特组，通过基于第一比特组的值不同地操纵第一比特组和第二比特组来生成第一中间比特组和第二中间比特组，并且通过对第一中间比特组和第二中间比特组进行编码来生成第一符号组和第二符号组，第一符号组和第二符号组中的每一个包括多个符号，并且多个符号中的每一个具有三个不同的电压电平。该发送器包括：驱动器，被配置为通过将第一符号组和第二符号组级联来生成输出数据信号。
用于电平脉冲幅度调制发送接收器包括系统

[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统-CN202210553274.8在审
发明人：金成来;金惠兰;李明奎;吴致成;李起准;赵诚慧;车相彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和循环冗余校验(CRC)引擎。存储器单元阵列包括结合到多条字线和多条位线的多个易失性存储器单元。CRC引擎在对存储器单元阵列的存储器操作中：检测通过链路从半导体存储器装置外部的存储器控制器提供的主数据和系统奇偶校验数据中的错误，基于系统奇偶校验数据生成错误标志并将错误标志发送到存储器控制器，错误标志指示检测到的错误是对应于与链路相关联的第一类型的错误还是对应于与易失性存储器单元相关联的第二类型的错误。
半导体存储器装置包括系统

[发明专利]经由信号线连接到外部装置的设备和电子设备-CN202210095098.8在审
发明人：权旲炫;权慧贞;金惠兰;吴致成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C11/4093 文献下载
摘要：提供了一种经由信号线连接到外部装置的设备和电子设备。所述设备经由信号线连接到外部装置，并包括：片内终结(ODT)电路，被设置在第一ODT状态下；多个信号引脚，所述多个信号引脚中的每个信号引脚连接到信号线；和ODT控制电路，被配置为：识别外部装置的第二ODT状态是否与第一ODT状态对应，并且基于所述设备是第一ODT状态和第二ODT状态不同的非对称ODT，向外部装置提供非对称ODT参数码，并在信号未通过信号线被传输时禁用ODT电路。
经由信号线接到外部装置设备电子设备

[发明专利]半导体存储器封装、存储器件和半导体存储器系统-CN201710554739.0有效
发明人： 吴致成;金锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器封装包括：基底层，与存储器控制器通信；至少一个存储器层，堆叠在基底层上；以及至少一个硅通孔，穿过所述至少一个存储器层，其中，用于与存储器控制器交换信号的至少一个信号凸块设置在基底层的与存储器控制器相邻的第一区域中，以及其中第一区域对应于基底层的边缘区域，以及用于从半导体存储器封装的外部接收用于对信号执行信号处理操作的电力的电源凸块设置在基底层的接触所述至少一个硅通孔的第二区域中，其中第二区域对应于基底层的除边缘区域以外的区域。
半导体存储器封装存储器件系统

[发明专利]包括分布电流的硅通孔的半导体装置-CN201811580255.4在审
发明人：卢寿政;吴致成;孙教民;金勇基;文钟淏;禹昇汉;尹载允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。
硅通孔半导体裸片半导体装置分布电流电连接基底电源线堆叠电路穿过

[发明专利]凸点和测试焊盘十字形排列的半导体器件-CN201110375411.5无效
发明人：李东奕;吴致成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体衬底；凸点，沿着半导体衬底的第一轴方向布置为多行；和测试焊盘，沿着与第一轴方向垂直的第二轴方向布置为一列或多列。凸点和测试焊盘在半导体衬底的中间部分中形成十字形。通过将凸点布置在半导体衬底的中间部分中，有助于在半导体堆叠的堆叠半导体器件之间形成物理连接，而无论芯片尺寸如何。
测试十字形排列半导体器件

[发明专利]在多端口存储器件中以最小化的总线面积来路由存取-CN200810214239.3无效
发明人： 吴致成;金中植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：一种多端口存储器件，包括第一和第二端口、分配给第一端口的第一专用存储器区域、由第一和第二端口共享存取的多个共享存储器单元、用于第一专用存储器区域的第一组I/O线、以及用于所述共享存储器单元的第二组I/O线，第二组具有比第一组更多的I/O线。例如，第二组具有比第一组多N倍的I/O线，N为该多端口存储器件的端口的数量，或者N为共享存储器区域中的共享存储体的数量。
多端存储器件最小化总线面积路由存取

[发明专利]多路径可访问半导体存储器设备及其邮箱访问控制方法-CN200810002992.6无效
发明人： 吴致成;金容峻;南京佑;金镇国 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G06F15/167 文献下载
摘要：提供了一种具有邮箱区域的多路径可访问半导体存储器设备及其邮箱访问控制方法。所述半导体存储器设备包括N个端口、位于存储器单元阵列中的至少一个共享存储器区域、以及用于消息通信的N个邮箱区域。所述至少一个共享存储器区域操作性地连接到所述N个端口，并且可通过多个数据输入/输出线来访问，以形成所述至少一个共享存储器区域和一个端口之间的数据访问路径，所述一个端口在所述N个端口中具有对所述至少一个共享存储器区域的访问权限。所述N个邮箱区域按与所述N个端口一一对应的方式而被提供，并且当所述至少一个共享存储器区域的预定区域的地址被应用于所述半导体存储器设备时，可通过所述多个数据输入/输出线访问所述N个邮箱区域。可以获得邮箱的高效布局和高效消息访问路径。
路径访问半导体存储器设备及其邮箱控制方法

[发明专利]半导体存储设备及其方法-CN200710087954.0无效
发明人： 吴致成;李镐哲;金南钟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供了一种根据外部命令信号和刷新模式而改变存取共享存储区域的存取权限的半导体存储设备及其方法。所述半导体存储设备包括：多个输入/输出端口，用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号；存储阵列，其包括可以通过多个输入/输出端口中的至少两个端口存取的共享存储区域，所述存储阵列划分为多个不同的存储区域；以及授权控制块，用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限，其中所述授权控制块产生授权控制信号，其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。能够更高效率地执行所述共享存储区域的刷新操作或普通操作。
半导体存储设备及其方法

[发明专利]用于集成电路的泵激电路及方法-CN03131028.1无效
发明人：金炯东;吴致成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：用于集成电路的升压电压发生器及方法，响应检测到初始升压电压的下降，将初始升压电压升高到第一升压电压。然后，响应一个脉冲，将第一升压电压升高到第二升压电压。然后，响应振荡信号，将第二升压电压反复升压，以接近初始升压电压。因此，可以产生稳定的升压电压。
用于集成电路电路方法

[发明专利]控制电冰箱除霜的方法和装置-CN97126069.9无效
发明人：李起炯;吴致成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-11-20 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： F25D21/00 文献下载
摘要：一种控制具有用于蒸发器除霜的除霜加热器的电冰箱除霜控制方法和装置，该方法包括，基于箱体外侧温度和开门次数为多个运行条件的情况分类；每一个运行条件的情况具有一个预先确定的严密系数；通过把压缩机的运行时间与运行条件的情况的严密系数相乘，获得单位时间间隔内形成的霜的重量；累加多个单位时间间隔内形成的霜的重量；当累加形成的霜的重量超过预先确定的值时，执行除霜操作。
控制电冰箱除霜方法装置

[发明专利]制冷压缩机的保护方法-CN99102710.8无效
发明人： 吴致成 -专利权人：三星光州电子株式会社
申请日： 1999-01-20 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： F25B49/02 文献下载
摘要：制冷压缩机的保护方法，包括确定是否接通压缩机及设定误差标志；确定电压检测部件输出的电压是否高于基准电压；若该电压高于基准电压，则确定压缩机过压，使误差数据增1，以确定该数据是否高于给定值；若其高于给定值，则停止压缩机的运行。
制冷压缩机保护方法

[发明专利]控制具有方向控制阀的电冰箱的方法-CN99119530.2无效
发明人：林在勋;沈载亿;俞汉周;金润英;李长熙;宋尧贤;吴致成;白炅浚;金重烨;金永洛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-09-09 - 公布日： 2000-08-09 - 主分类号： F25D29/00 文献下载
摘要：有方向控制阀的电冰箱控制方法,在切换制冷剂通道使制冷剂先通过冷藏蒸发器时,将冷藏风扇驱动预定时间并向冷藏室输送蒸发器剩余冷空气。包括步骤(a)确定温度传感器测出的冷藏室温度是否达到设置温度以确定冷藏室的稳定状态;(b)如果确定其为稳定状态,切换方向控制阀,使制冷剂先通过冷藏蒸发器;(c)如果切换了方向控制阀,则将冷藏风扇驱动预定时间并同步驱动冷冻风扇;(d)冷藏风扇被驱动一预定时间后被停止。
控制具有方向电冰箱方法

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