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[发明专利]一种半导体器件集成结构及方法-CN201911397206.1有效
发明人：汪新学;王敬平;吴月含;孙超;李洪波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件集成结构及方法，其中集成方法包括：提供第一结构，第一结构从上至下包括：第一介质层、第一有机膜层、基板，基板中嵌设有多个第二电子器件，定义通孔及通孔外周设定范围的区域为第一区域，去除第一区域的第一介质层；在第一区域形成第二有机膜层，第二有机膜层与第一有机膜层的热膨胀系数之差的绝对值小于第一介质层与第一有机膜层热膨胀系数之差的绝对值，第二有机膜层的柔性大于第一介质层的柔性；形成通孔，贯穿第二有机膜层和第一有机膜层，通孔的底部暴露出第二电子器件；在通孔中形成导电插塞，导电插塞连接第二电子器件。
一种半导体器件集成结构方法

[发明专利]一种自熔盐法制备AgCl/LiNbO3复合光催化剂的方法-CN201510194001.9有效
发明人：陈刚;武学森;胡宜栋;孔华彬;吴月含;徐建国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：一种自熔盐法制备AgCl/LiNbO3复合光催化剂的方法，涉及一种光催化剂材料的制备方法。本发明提供了一种自熔盐法制备AgCl/LiNbO3复合光催化剂的方法。本发明方法为一、称取Nb2O5、AgNO3、LiCl于研钵中，充分研磨，得到混合粉末；二、将混合粉末倒入坩埚中反应，得到反应物；三、将反应物用蒸馏水洗涤、超声、离心，然后用无水乙醇洗涤，最后干燥，即得到AgCl/LiNbO3复合光催化剂。本发明工艺简单、反应温度低、反应速度快、装置简易，且操作简单；所制备的材料粉体可见光光催化活性较高、结晶度好。本发明应用于光催化剂材料的制备领域。
一种法制 agcl linbo sub 复合光催化剂方法