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[发明专利]一种太赫兹镜频抑制混频电路-CN201710680495.0有效
发明人：杨晓艳;李健;柴劲松;邵一慧;陈宁波;吴三统;纪东峰;牛中乾 -专利权人：四川久成泰安科技有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹镜频抑制混频电路，包括射频3dB分支波导定向耦合器、太赫兹基波混频器、本振H面波导功分器和中频分支线耦合器，所述射频3dB分支波导定向耦合器将进入的射频信号平分成两路相互正交的信号，经波导耦合到两个太赫兹基波混频器；所述本振H面波导功分器将本振驱动信号波导耦合到两个太赫兹基波混频器中，两个太赫兹基波混频器中产生的中频信号进入中频分支线耦合器后，得到分离的高边带中频输出和低边带中频输出。本发明通过上述原理，实现了在太赫兹频段抑制镜像频率，优化接收机噪声系数，防止镜像频率干扰太赫兹接收机系统，产生虚假相应，降低系统误码率。
一种赫兹抑制混频电路

[发明专利]毫米波宽带接收机-CN201910562171.6有效
发明人： 吴三统;陈波 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了毫米波宽带接收机，包括V波段通道、W波段通道、射频开关与后级变频通道；所述V波段通道、W波段通道通过射频开关输出至后级变频通道；所述V波段通道、W波段通道用于输入信号的采集与处理；所述后级变频通道用于所述射频开关输出信号的变频。本发明毫米波宽带接收机能够克服现有装配工艺、结构件加工精度不够高的问题；通过矩形波导‑微带过渡结构的设计，方便电路各组成单元进行混合集成；能够根据使用情况合理调整变频通道的增益；该接收机具有高带外抑制特性，具有工作频率极高、工作频段宽、噪声系数小、低相噪、中频带宽宽等优异的工作性能。
毫米波宽带接收机

[实用新型]一种超宽带中频信号处理前端-CN201922264024.9有效
发明人： 吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超宽带中频信号处理前端，包括中频通道、第一预处理中频通道、第二预处理中频通道与本振点频源。本实用新型能够将带宽为BW的超宽带中频信号进行预处理得到两路带宽为BW/2的同频率中频信号，BW/2的宽带信号可满足ADC模数转换器处理为数字信号，解决了ADC模数转换器处理超宽带模拟信号带宽不够的问题。
一种宽带中频信号处理前端

[实用新型]一种Ku频段低噪声放大器-CN201921477135.1有效
发明人： 吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Ku频段低噪声放大器，包括依次相连的矩形波导‑微带探针过渡结构、限幅器、第一级低噪声放大器、固定衰减器、第二级低噪声放大器与微带型隔离器。本实用新型具有良好的低噪声特性，作为接收机前端使接收机获得较高的接收灵敏度；具有抗大信号烧毁功能，作为接收机前端可提升接收机在强信号干扰环境的抗干扰能力；矩形波导‑微带线探针过渡结构将信号从波导转换至平面微带线，方便与电路各元器件进行混合集成；具有线性度高的特点，作为接收机前端使接收机获得较好的线性工作特性。
一种 ku 频段低噪声放大器

[实用新型]一种太赫兹多载波通信系统-CN201920559170.1有效
发明人：张波;牛中乾;吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太赫兹多载波通信系统，该系统包括发射机和接收机；所述发射机包括发射机太赫兹天线、发射机太赫兹射频前端、发射机中频电路和发射机基带电路；所述接收机包括接收机太赫兹天线、接收机太赫兹射频前端、接收机中频电路和接收机基带电路；所述发射机基带电路包括N路DAC，所述接收机基带电路包括N路ADC；其中，N为大于等于2的正整数。本实用新型在前端电路部分进行了改进，将N路DAC信号搬移到不同的频带进行合路，再将合路后的信号搬移到太赫兹信道，即采用了多载波方式，最大限度地利用了太赫兹信道的频谱资源，在同样ADC采样率的情况下，通信速率为多载波系统的N倍，同时也大大提高了频谱资源的使用效率。
发射机接收机多载波通信系统接收机基带电路本实用新型基带电路频谱资源射频前端中频电路合路信道天线多载波方式多载波系统前端电路使用效率信号搬移采样率正整数搬移通信改进

[发明专利]可调式的太赫兹小型化多功能集成射频前端-CN201811511480.2在审
发明人： 吴三统;牛中乾;周震;杨柯 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H04B10/90 文献下载
摘要：本发明公开了可调式的太赫兹小型化多功能集成射频前端，由集成在同一金属腔体的混频器本振驱动源电路、耦合器电路、分谐波混频器电路以及太赫兹腔体滤波器电路四部分组成，其中，本振驱动信号由所述混频器本振驱动源电路进行倍频，倍频后的信号进入耦合器电路进行耦合输出，为分谐波混频器电路提供本振驱动；分谐波混频器电路混频产生的射频信号经由太赫兹腔体滤波器电路输出。本发明在太赫兹频段将混频器、倍频器、滤波器集成在同一个腔体内，并在倍频器的输出端集成太赫兹耦合器电路，从而引出调试端口，方便对倍频器的输出功率进行调试，保证混频器得到合适的驱动功率。
混频器电路本振分谐波混频器耦合器电路倍频器多功能集成腔体滤波器射频前端可调式驱动源倍频滤波器集成电路输出电路提供调试端口金属腔体驱动功率驱动信号射频信号输出功率耦合输出输出端频段混频调试体内驱动保证

[实用新型]基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端-CN201721810263.4有效
发明人：陈波;吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G01J1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔和本振输入腔，低噪声放大器输入腔与混频器腔连接，在混频器腔y轴延伸线上还垂直横穿本振输入腔，所述低噪声放大器电路位于低噪声放大器输入腔。本实用新型通过上述结构，将低噪声放大器和混频器在同一个GaAs衬底和腔体内进行加工，设计出的太赫兹接收前端电路可同时实现低噪声放大和混频的功能，可有效简化电路设计和加工，节约成本、减少内部损耗。
低噪声放大器混频器低噪声放大器电路输入腔辐射计单片集成技术分谐波混频器本实用新型本振输入金属腔体低噪声衬底电路体内接收前端电路低噪声放大电路设计内部损耗金属腔延伸线混频横穿加工垂直节约

[发明专利]基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端-CN201711395012.9在审
发明人：陈波;吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G01J1/56 文献下载
摘要：本发明公开了基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔和本振输入腔，低噪声放大器输入腔与混频器腔连接，在混频器腔y轴延伸线上还垂直横穿本振输入腔，所述低噪声放大器电路位于低噪声放大器输入腔。本发明通过上述结构，将低噪声放大器和混频器在同一个GaAs衬底和腔体内进行加工，设计出的太赫兹接收前端电路可同时实现低噪声放大和混频的功能，可有效简化电路设计和加工，节约成本、减少内部损耗。
基于单片集成技术赫兹噪声辐射计前端

[实用新型]一种梳状谱发生器-CN201420691599.3有效
发明人： 吴三统;陈波;赵天新 -专利权人：成都九洲迪飞科技有限责任公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种梳状谱发生器，它包括放大器和倍频电路，倍频电路包括匹配电路和倍频发射单元，放大器的输入端与基波信号输入端口连接，放大器的输出与匹配电路连接，匹配电路的输出与倍频发射单元连接，倍频发射单元的输出与输出端口连接。本实用新型利用匹配电路、LC振波电路和阶跃恢复二极管组成倍频电路，输出呈梳状的各次谐波分量，各次谐波分量相位噪声低、倍频效率高；采用负反馈放大器，可提高电路的稳定性；采用低功耗硅管放大器，可降低电路功耗。
一种梳状谱发生器

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