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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]独立电源系统-CN201410315459.0有效
发明人：藤森司;后藤康;仓田英明;鹰野秀明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H02J7/34 文献下载
摘要：本发明提供一种独立电源系统，即使在发电元件的发电量较小的情况下，也在短时间内启动发电控制电路，在短时间内向负载装置供给电力。独立电源系统(1)具备：发电控制电路(4)，其控制发电元件(2)的发电效率；蓄电元件群(C1～C6)，其充电通过发电元件(2)发生的电力；充电控制电路(5)，其控制蓄电元件群的充电动作和放电动作。蓄电元件群具有向发电控制电路(4)和充电控制电路(5)供给电力的一次蓄电元件(C1)和向负载装置(10)供给电力的二次蓄电元件(C2～C5)。将通过发电元件(2)发生的电力优先对一次蓄电元件(C1)充电后，从一次蓄电元件对二次蓄电元件充电。一次蓄电元件的电容值小于二次蓄电元件的电容值。
独立电源系统

[发明专利]液体输送装置-CN200710085079.2有效
发明人：竹中启;后藤康 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G01N35/08 文献下载
摘要：本发明提供一种液体输送装置。关于沿二维方向输送液体的基片，在同一基片上具有输送所需要的电极，抑制用于控制电位的机构的数量。使用矩形电极(131)、第一轴电极列(1311～1322)、及液体输送基片(13)，该矩形电极(131)由具有疏水性表面的电介质覆盖，配置于基片平面上；该第一轴电极列(1311～1322)沿x方向连接矩形电极(131)；该液体输送基片(13)具有沿y方向连接矩形电极(131)的第二轴电极列(1331～1342)。这样，在同一基片上具有液滴的输送所需要的电极，可抑制控制电位的机构的数量。
液体输送装置

[发明专利]具有线圈状天线的半导体芯片及使用它的通信系统-CN200510005583.8有效
发明人：长谷部健彦;后藤康;上坂晃一;矢泽义昭;鸟越诚 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：提供一种具有线圈状天线的半导体芯片及使用它的通信系统。如果将线圈状天线小型化到芯片尺寸大小，则伴随感应电压的减少，通信距离缩短。本发明的半导体芯片，是具有线圈状天线和电路面，与外部装置进行无线收发，具有使线圈状天线和外部装置的电磁耦合系数增加的结构。其具体例是配置磁性体，由重叠多层导体层和绝缘层构成的层叠体形成了线圈状天线，或者将线圈状天线配置在半导体芯片电路的外形的外侧区域中。
具有线圈天线半导体芯片使用通信系统

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410030958.1无效
发明人：安井感;峰利之;后藤康;横山夏树 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-04-01 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，能实现容易控制氮化硅膜衬板构造的元件隔离槽的形成方法，并使元件微细化的同时，降低在元件隔离槽内发生的应力。本发明的元件隔离槽的形成方法，在硅衬底(1)上形成的槽(2a)的内壁淀积氮化硅膜衬板(14)后，使已填充到槽(2a)内部的第1填埋绝缘膜(17)的上表面向下方后退，并使氮化硅膜衬板(14)的上端部露出来。其次，在使氮化硅膜衬板(14)的露出部分转化成氧化硅膜(14a)等非氮化硅系绝缘膜后，在第1填埋绝缘膜(17)的上部淀积第2填埋绝缘膜(18)，使其表面平坦化。
半导体器件制造方法

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共 4 条

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