专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]驱动电路-CN200610006654.0无效
  • 名野隆夫;女屋佳隆 - 三洋电机株式会社
  • 2006-01-23 - 2006-08-02 - H03K19/094
  • 一种控制电路,是将变换器(INV2)的输出电压施加在用于控制输出晶体管的变换器(INV4)的输入端子,将变换器(INV4)的输出电压施加在输出段的变换器(INV6)的N沟道型MOS晶体管(18)的栅极。变换器(INV4)将P沟道型MOS晶体管(25)、第1电阻(R1)、第2电阻(R2)、N沟道型MOS晶体管(26)连接在正的高电源电位(VH)和负的高电源电位(VL)之间而构成,并将第1电阻(R1)和N沟道型MOS晶体管(26)之间的连接点作为所述变换器(INV4)的输出端子。从而,在转换驱动电路的输出段的变换器时,防止正升压充电泵电路(12)输出的正的高电源电位(VH)异常地下降。
  • 驱动电路
  • [发明专利]电荷泵电路-CN200410034347.4无效
  • 名野隆夫;女屋佳隆 - 三洋电机株式会社
  • 2004-04-12 - 2004-11-03 - H03K19/094
  • 一种电荷泵电路,可降低电荷泵电路开始工作时产生的突入电流,可防止对其他电路的不良影响。将电荷传送用MOS晶体管(M1)~(M4)串联连接,将它们的各连接点与耦合电容器(C1)、(C2)、(C3)的一端连接,在耦合电容器(C1)、(C2)、(C3)的另一端分别施加时钟驱动器(70)、(80)、(90)的输出。例如,时钟驱动器(70)具有第1时钟驱动器(70A)和具有比第1时钟驱动器(70A)驱动能力强的第2时钟驱动器(70B),首先使第1时钟驱动器(70A)工作,经过规定时间后,使第1时钟驱动器(70A)停止,同时进行切换使第2时钟驱动器(70B)工作。
  • 电荷电路
  • [发明专利]供给泵电路-CN02142590.6无效
  • 名野隆夫;植本彰 - 三洋电机株式会社
  • 2002-09-24 - 2004-04-07 - H02M3/135
  • 本发明提供一种高效率且大输出电流的供给泵电路。该供给泵设置有:根据时钟脉冲来控制电荷转送用MOS晶体管M1至M4的导通/断开的电平移位电路S1至S4;以及从供给泵电路的中途分支且输出正的升压电压的分支供给泵电路BC,通过使用分支供给泵电路的各级的输出V4、V5以作为电平移位电路S3、S4的高电位侧的电源,而使供给泵电路的电荷转送用MOS晶体管M1至M4在导通时其栅极·源极间电压成为大致固定值。
  • 供给电路
  • [发明专利]半导体装置-CN02159818.5有效
  • 金子智;大古田敏幸;名野隆夫 - 三洋电机株式会社
  • 2002-12-27 - 2003-07-09 - H01L27/00
  • 一种半导体装置,在电荷泵装置中,为防止闭锁超载现象的发生,实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅基板50上成长,在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅基板50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。
  • 半导体装置
  • [发明专利]电荷泵装置-CN02159819.3无效
  • 金子智;大古田敏幸;名野隆夫 - 三洋电机株式会社
  • 2002-12-27 - 2003-07-09 - H01L27/00
  • 一种电荷泵装置,可防止闭锁超载现象的发生,同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51、在该外延硅层51宁间隔形成的P型阱区域52A、52B、这些P型阱区域52A、52B间形成的P型下分离层58及P型上分离层59。而且,在P型阱区域52A内形成电荷转送用晶体管M2,在P型阱区域52B内形成电荷转送用晶体管M3。P型单晶硅基板50被偏置为接地电位或负的电位。
  • 电荷装置
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02159821.5无效
  • 金子智;大古田敏幸;名野隆夫 - 三洋电机株式会社
  • 2002-12-27 - 2003-07-09 - H01L27/00
  • 一种半导体装置及其制造方法,在电荷泵装置中,为防止闭锁超载现象的发生,实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和N型外延硅层51B,在N型外延硅层51B中设置P型阱区域52C。设有与P型阱区域52C的底部相接的P+型埋入层55,在P型阱区域52C中设置MOS晶体管。MOS晶体管具有高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D、比该高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D更深地扩散的低浓度源极层N-S或/及漏极层N-D。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]DC-DC转换器-CN02131885.9有效
  • 名野隆夫 - 三洋电机株式会社
  • 2002-09-05 - 2003-04-09 - H02M3/135
  • 一种DC-DC转换器,可以产生比所供给的电源电压Vdd小的阶差的输出电压。具有接受电源电压Vdd的三级结构的开关电容器,例如第1级包括两个电容器C11、C12,并设置有可以将这些电容器C11、C12切换成串联或并联的开关61、62、63。在充电时使开关61接通从而使电容器C11、C12串联连接,而在放电时使开关62、63接通从而使电容器C11、C12并联连接。这样,可以在输出端子40上得到3.5Vdd的升压电压。
  • dc转换器
  • [发明专利]DC-DC转换器的控制方法-CN02131886.7有效
  • 名野隆夫 - 三洋电机株式会社
  • 2002-09-05 - 2003-04-09 - H02M3/135
  • 一种DC-DC转换器的控制方法,可以产生比所供给的电源电压Vdd小的阶差的输出电压。具有接受电源电压Vdd的三级结构的开关电容器,例如第1级包括两个电容器C11、C12,并设置有可以将这些电容器C11、C12切换成串联或并联的开关61、62、63。在充电时使开关61接通从而使电容器C11、C12串联连接,而在放电时使开关62、63接通从而使电容器C11、C12并联连接。这样,可以在输出端子40上得到3.5Vdd的升压电压。
  • dc转换器控制方法

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