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[发明专利]并网逆变器无模型预测控制方法及控制系统-CN202310797254.X有效
发明人：胡存刚;朱宇航;孙路;曹文平;芮涛 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明提供一种并网逆变器无模型预测控制方法及控制系统。并网逆变器无模型预测控制方法包括：建立并网逆变器在静态坐标系中的数学模型，并对数学模型进行分析，以得到多个基本电压矢量；基于数学模型构造第一超局部模型；基于第一超局部模型构建第二超局部模型；进行电流预测，并分析得到多个基本电压矢量对应的价值函数值；将价值函数值最小的基本电压矢量作为最优电压矢量进行预测控制。本发明具有在计算量减小的同时，极大提高系统的参数鲁棒性的优点。
并网逆变器模型预测控制方法控制系统

[发明专利]一种功率调整器的移相控制方法和系统-CN202310826208.8有效
发明人：孙路;刘辉;曹文平;胡存刚;严志尚 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M3/315 文献下载
摘要：本发明揭示了一种功率调整器的移相控制方法和系统，其方法包括；实时采样设定电压范围0‑X的模拟输入信号H，获取一个信号周期的调功比例A，A=H/X；根据调功比例A，获取设定输入频率下，导通角#imgabs0#和移相时间t的值；实时采样供给负载的输出电压；当输出电压零点时，自零开始计时，当计时值与移相时间t的值相等时，输出PWM信号，控制供给负载的电压和电流；定时采样供给负载的输出电流的瞬时值I；获取有效值I1，判断有效值I1和期望值I2的误差E，校准调功比例A，获取调功比例A1；根据调功比例A1，重复获取调功比例A后的步骤。本方法提升调压稳定性，精准控制输出功率，提升功率调整器的控制精准度。
一种功率调整器控制方法系统

[发明专利]一种LC滤波型逆变器预测控制方法及系统-CN202310786266.2在审
发明人：胡存刚;尹政;曹文平;孙路;芮涛 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明涉及LC滤波型逆变器控制领域，特别是涉及一种LC滤波型逆变器预测控制方法及系统。本发明的LC滤波型逆变器预测控制方法，先合成十二个输出电压虚拟矢量；接着获取电容电压梯度模型，重构LC滤波型逆变器的状态空间方程，实现时刻的电容电压梯度的实时更新；最终根据时刻的各所述输出电压基本矢量的作用时间预测时刻的电容电压，将预测出的电容电压分别代入价值函数进行评估，选择使价值函数值最小的所述输出电压虚拟矢量作为最优矢量应用在下一个控制周期。本发明使用测量的电容电压梯度代替传统的预测模型，从而消除了传统预测控制对电流传感器以及系统参数准确性的依赖。
一种 lc 滤波逆变器预测控制方法系统

[实用新型]一种功率模盒结构和储能逆变器-CN202222555419.6有效
发明人：孙路;李久成;胡存刚;曹文平;芮涛;乔格格 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率模盒结构和储能逆变器，属于新能源技术领域，功率模盒结构包括模盒风道模块；模盒器件模块，通过固定连接件安装在所述模盒风道模块一侧；导向定位机构，安装在所述模盒风道模块上，用于实现模盒器件模块和模盒风道模块的快速拆装。本实用新型的功率模盒结构，采用模块化设计，每个模块结合定位钣金和导向钣金机构的功能解决功率模盒结构安装和拆卸困难问题；在储能逆变器中，隔板将模盒结构间隔成独立散热腔体，散热风道利用前进风上出风方式，采用强制风冷方法对模盒结构进行散热，有效解决模盒温升过高问题。
一种功率结构逆变器

[发明专利]SIC-MOSFET并联均流电路及其控制方法-CN202211414384.2有效
发明人：曹文平;刘辉;孙路;严志尚;胡存刚 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种SIC‑MOSFET并联均流电路及其控制方法，包括SIC‑MOSFET并联模块，具有并联的i个SIC‑MOSFET；电阻网络模块，通过并联的i组驱动回路驱动i个SIC‑MOSFET；控制模块，用于控制所述i组驱动回路的开通与关断；以及检测模块，用于检测、量化所述i个寄生电感的动态参数。通过控制模块将不同寄生电感的计数结果进行排序，将计数结果越大的SIC‑MOSFET导通更多的驱动电阻，使该SIC‑MOSFET的驱动电阻值减小，可以减短其开通时间，向计数结果最小的SIC‑MOSFET上升沿时间逼近，提升了流过各SIC‑MOSFET的电流均衡度。
sic mosfet 并联流电及其控制方法

[实用新型]一种风冷式直流固态继电器-CN202222538918.4有效
发明人：孙路;曹文平;胡存刚;刘辉;严志尚 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-09-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01H50/14 文献下载
摘要：一种风冷式直流固态继电器，包括：继电器本体，该继电器本体包括内置的电路板和功率开关管，该功率开关管的引脚与所述电路板固定连接；以及接插组件，该接插组件包括第一接插组件和第二接插组件，其中第一接插组件用于将外部大电流导入继电器本体，所述第二接插组件用于将外部电压控制信号输入电路板，并控制功率开关管的开通与关闭。本实用新型实用功率开关管替代普通的继电器开关触头，并引入接插组件来配合控制功率开关管的开闭，其中端子与外部控制信号连接，控制信号作用在电路板后，一方面可以将N沟道的功率开关管开启，则外部大电流通过铜柱就可以通过该继电器，使用功率开关管不会出现传统继电器开关过程中的电弧，故不会有粘连问题。
一种风冷直流固态继电器

[发明专利]多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法-CN202210152039.X有效
发明人：严志尚;胡存刚;曹文平;孙路;刘威 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：本发明公开了多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法，涉及GaN器件驱动技术领域，包括：驱动电源Vcc1、N型MOSFET Q1和P型MOSFET Q2串联而成的推挽电路、电阻R3和二极管D1串联而成的充放电回路；其中电源Vcc2、电阻R6串联为三极管上拉电路，构成二级电流补充电路，比较器Z1构成用于拓展电路的比较器电路；充放电回路用于提供可靠关断和常规电流，不仅能够保证氮化镓器件的开通关断速度，而且避免了电压尖峰的产生，抑制了关断时的电压振荡；比较器电路为电路的拓展留下了更多的可能性，结合数字控制电路可以根据需求调整二级电流补充电路的数量，继而改变电路的驱动能力，提供稳定驱动电压，保证GaN HEMT器件可靠的运行。
多级 gan hemt 驱动电路及其工作方法

[发明专利]一种多级式SiC-MOSFET驱动电路及控制方法-CN202210509692.7有效
发明人：曹文平;胡存刚;孙路;严志尚;朱非凡 -专利权人： 合肥安赛思半导体有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明提供一种多级式SiC‑MOSFET驱动电路及控制方法，包括SiC‑MOSFET、提供驱动电流以开通SiC‑MOSFET工作的一级驱动电路、用于采集SIC‑MOSFET开通过程中的电压动态波形的检测电路、补充驱动电流的二级驱动电路以及二级驱动电路的控制电路；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块；所述控制电路包括依次信号连接的波形整形模块、计数模块和控制模块。本发明通过两级驱动电路实现SiC‑MOSFET快速开通，消除开通时的电压尖峰，减小关断时的电压振荡；并获取开通过程中的电压动态参数，进而通过控制模块调节二级驱动电路补充驱动电流的大小，以提供稳定的驱动电压。
一种多级 sic mosfet 驱动电路控制方法

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