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[发明专利]输入接口电路-CN201810234742.9有效
发明人：艾飞;叶彦宏 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一输入接口电路。当垫片电压高于预设操作电压，箝位电路使第一节点的电压维持于预设操作电压。第一反相器耦接于第一节点与第二节点间。高压缓冲电路根据垫片电压与第二节点的电压调整第三节点的电压，并且令第三节点的电压与垫片电压朝同一电压变化方向增减。第二反相器耦接于第三节点与第四节点间。电压恢复电路的输入端耦接于第四节点、输出端耦接于第三节点，用以根据第四节点的电压，选择性地将第三节点耦接至电源线或接地线。第三反相器耦接于第四节点与输出端间。
输入接口电路

[发明专利]静电放电保护装置-CN201810116438.4有效
发明人：艾飞;叶彦宏;赖博亚 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护装置。第一电源线提供第一参考电压，第二电源线提供第二参考电压。侦测电路根据第一电源线是否出现静电放电压力产生侦测结果。第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管耦接于第一电源线与一共同节点间，其栅极为第一控制端点。第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管耦接于该共同节点与第二电源线间，其栅极为第二控制端点。中间电源线提供介于第一参考电压与第二参考电压间的一中间电压。第一切换电路根据侦测结果将第一控制端点耦接至中间电源线或第一电源线。第二切换电路根据侦测结果将第二控制端点耦接至第二电源线或第一控制端点。
静电放电保护装置

[发明专利]一种磷酸铁锂电池的充电方法及装置-CN201610184102.2在审
发明人： 叶彦宏 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷酸铁锂电池的充电方法及装置，该充电方法包括采集磷酸铁锂电池中各个电芯处的温度值；根据采集到的温度值，确定一参考温度值；根据参考温度值，计算充电电流值，并根据计算得到的充电电流值，对磷酸铁锂电池进行充电。其中，当参考温度值处于预设的低温区间时，充电电流值随参考温度值的增大而增大；当参考温度值处于预设的高温区间时，充电电流值随参考温度值的增大而减少；当参考温度值处于高温区间和低温区间之间的常温区间时，充电电流值为定电流值。本发明提供的磷酸铁锂电池的充电方法，考虑了电池温度对在充电过程中对电池的影响，避免大电流充电时对电池的损害，提高了电池的使用安全性，延长了电池的使用寿命。
一种磷酸锂电池充电方法装置

[发明专利]电池荷电状态SOC值的估算方法及装置-CN201510446190.4在审
发明人： 叶彦宏 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种电池荷电状态SOC值的估算方法及装置，其中，该方法包括检测电池是否处于充电状态或者放电状态；在电池处于充电状态或者放电状态的情况下，通过安时积分法确定电池的荷电状态SOC值；在电池不处于充电状态和放电状态，且在电池的充电回路断开或者放电回路断开的情况下，根据电池的电池开路电压和SOC值的对应关系确定荷电状态SOC值；通过本发明，解决了电池SOC估算方法估算的SOC准确度不高的问题，提高了SOC的估算精度。
电池状态 soc 估算方法装置

[发明专利]具有LCR量测功能的数字电表-CN201310160506.4有效
发明人： 叶彦宏 -专利权人：承永资讯科技股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G01R15/12 文献下载
摘要：本发明提供一种数据捕获设备是具有LCR量测功能的数字电表(DigitalMulti-Meter:DMM)，此装置可以被制作在一个手持式的机壳中，其包含了一个LCR电表和一个数字电表。而LCR电表包含了一个以集成电路制成的LCR测量电路，其包含了阻抗测量电路以及自动归零放大器，自动归零放大器可以补偿输入偏移电压，并且将通过数字电表所用的大电阻(例如PTC)之后的信号放大，使此信号具有默认的信杂比，而适合于LCR测量电路的处理，并使得本发明的数据捕获设备能作为数字电表及LCR电表使用。
具有 lcr 功能数字电表

[发明专利]自动平衡电桥档位选择方法及装置-CN201210490540.3有效
发明人： 叶彦宏 -专利权人：承永资讯科技股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G01R15/09 文献下载
摘要：自动平衡电桥档位选择方法及装置。一种自动平衡电桥档位选择装置，由一测试讯号源、待测组件、运算放大器、档位选择单元、比较器及系统运算控制单元所组成。通过待测组件接收测试讯号源输出的测试讯号并产生待测电流经由虚点进入档位选择单元，而运算放大器会接收参考电压与虚点电压并输出档位电压至档位选择单元，通过档位选择单元形成反馈路径至虚点，进而形成虚点电压，再由比较器将虚点电压与默认电压进行比较并输出驱动讯号，此时系统运算控制单元会依据驱动讯号驱使档位选择单元进行换档动作，进而实现加速换档的功能。
自动平衡电桥档位选择方法装置

[发明专利]静电放电保护电路及具有此电路的半导体电路-CN200510069108.7有效
发明人：赖纯祥;叶彦宏;吕佳伶 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护电路，适用于具有第一电压源与第二电压源的集成电路中，包括第一半导体硅控整流器、第二半导体硅控整流器、以及寄生二极管。第一半导体硅控整流器的第一控制闸极与电压源相接。而上述的第二半导体硅控整流器的第二控制闸极也与上述的电压源相接。
静电放电保护电路具有半导体

[发明专利]静电放电引导组件及应用此组件的混合式电源的集成电路-CN200510075496.X有效
发明人：苏醒;赖纯祥;吕佳伶;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种组件，系应用于混合式电源的集成电路(mixed power integrated circuits)上，并用以耦接于不同的电源供应总线之间。此组件包括一二极管以及与此二极管串联的晶体管。晶体管系具有主动P型保护环(active p－ring)于半导体基底之中，并且围绕于晶体管的源极与漏极的四周。主动P型保护环系具有一与半导体基底具有相同导电性的传导区域(conductive region)。当ESD事件影响(affect)第一导体及第二导体时，与P型保护环耦接的控制电路系会施加一偏压电压，以将载子注入至半导体基底，并使短电压脉波(short voltage pulse)能够从二极管的阳极经由寄生于半导体基底之中的硅控整流器(SCR)而放电至晶体管的源极。
静电放电引导组件应用混合式电源集成电路

[发明专利]静电放电保护电路-CN200410048263.6有效
发明人：赖纯祥;苏醒;吕佳伶;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明是关于一种静电放电保护电路，其是与一输入垫电性连接，该静电放电保护电路包括：一二极管，配置在一基底中，且此二极管是与上述的输入垫电性连接；一P型深井区，位于基底中；一N型井区，位于P型深井区中；一第一P+掺杂区，位于N型井区中，且第一P+掺杂区是与输入垫电性连接；一NMOS晶体管，位于基底上，其中此NMOS晶体管具有一闸极、一源极以及一汲极，且汲极是位于N型井区中并电性连接至一控制电路电源(Vcc)，而源极是位于P型深井区中；以及一第二P+掺杂区，位于P型深井区中。本发明的静电放电保护电路相较于传统的电路设计仅需要较小的面积。
静电放电保护电路

[发明专利]控制基底电位的静电放电保护电路及其方法-CN03134873.4有效
发明人：刘孟煌;赖纯祥;苏醒;叶彦宏;吕佳伶;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种控制基底电位的静电放电保护电路及其方法，以一基底触发控制电路控制连接在一接合垫与接地之间的静电放电保护元件的基底电位，在正常工作期间使该基底电位保持一低电位，该静电放电保护元件因而不动作，而在静电放电发生时，提升该基底电位至一高电位，促使该静电放电保护元件容易被触发。该基底触发控制电路是以主动元件实现，因而减少电路的面积，并降低接合垫的负载效应。
控制基底电位静电放电保护电路及其方法

[发明专利]降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法-CN02142191.9有效
发明人： 叶彦宏;蔡文哲;刘慕义;詹光阳;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种降低第二位效应的氮化硅只读存储单元，由一基底、位于基底上的一氧化硅/氮化硅/氧化硅层、位于氧化硅/氮化硅/氧化硅层上的一栅极、位于基底中邻接栅极的源/漏极，以及位于源/漏极与氧化硅/氮化硅/氧化硅层之间邻接栅极的一浅口袋掺杂区域所组成，其中浅口袋掺杂区域的深度必需够小，以使流至源/漏极的电流不受干扰。
降低第二位效应氮化只读存储单元及其制造方法

[发明专利]双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法-CN02130407.6有效
发明人：刘慕义;范左鸿;詹光阳;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅极结构，配置在部分基底上；一双位编码区，配置在栅极结构两侧边底下的基底中；至少一间隙壁，配置在栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在间隙壁两侧的基底中；一掺杂区，配置在埋入式漏极与双位编码区之间的基底中，其中掺杂区的离子型态与双位编码区的离子型态相反，且掺杂区的离子浓度较双位编码区的离子浓度高；一绝缘层，配置在埋入式漏极的上方；以及一字符线，配置在相同一列的栅极结构上。
双位罩幕式只读存储器结构及其制造方法

[发明专利]掩膜式只读存储器的制造方法-CN02123233.4有效
发明人：范左鸿;叶彦宏;詹光阳;刘慕义 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种掩膜式只读存储器的制造方法，此方法提供一基底，再于基底上形成掺杂导体层。接着，图案化此掺杂导体层以形成多个条状掺杂导体层，再以热氧化法于基底与条状掺杂导体层上形成介电层，并同时于条状掺杂导体层下方的基底中形成多个扩散区。然后，于介电层上形成图案化的导体层。
掩膜式只读存储器制造方法

[发明专利]双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法-CN02120485.3有效
发明人：刘慕义;詹光阳;叶彦宏;范左鸿;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-20 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法，此存储器结构主要是由一基底、一栅极结构、一双位编码布植区、至少一间隙壁、一埋入式漏极、一绝缘结构以及一字符线所构成。其中，栅极结构配置在基底上，且双位编码布植区配置在栅极结构两侧边底下的基底中。另外，间隙壁是配置在栅极结构的两侧，且埋入式漏极配置在间隙壁两侧的基底中。因此，埋入式漏极与双位编码布植区之间具有一缓冲区。再者，绝缘结构配置在埋入式漏极上方的基底表面，且字符线是配置在栅极结构上。
操作罩幕式只读存储器结构及其制造方法

[发明专利]罩幕式只读存储器的结构-CN02120061.0有效
发明人：范左鸿;刘慕义;詹光阳;叶彦宏;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种罩幕式只读存储器的结构，此结构由基底、栅极、第一掺杂区与第二掺杂区所组成的双扩散源极/漏极区、信道区、编码区、介电层、与字线所构成。其中栅极位于基底上。双扩散源极/漏极区位于栅极两侧的基底中，且第二掺杂区位于第一掺杂区外周的基底中。信道区位于双扩散源极/漏极区之间的基底中。编码区位于信道区两侧与双扩散源极/漏极区交界的基底中。介电层位于双扩散源极/漏极区之上。且字线位于介电层与栅极之上。
罩幕式只读存储器结构

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