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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器基板-CN03157782.2有效
发明人： 叶光兆;陈坤宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器基板，主要包括有基板及覆盖子基板上方的平坦化层。基板上是形成有薄膜晶体管与接触窗插塞(contact plug)，且薄膜晶体管的源/漏极是与接触窗插塞电性连接。平坦化层是覆盖于基板上方，且平坦化层是具有可暴露出接触窗插塞的介层洞(via hole)，而介层洞是具有一断面外廓，此断面外廓是具有至少一直边。其中，介层洞是可通过回焊(reflow)过程而具有斜度(taper)。
薄膜晶体管液晶显示器

[发明专利]半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN200410069751.5有效
发明人： 叶光兆;徐文斌 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：形成于半导体基底上的一种薄膜晶体管，包括一多晶硅层、一栅极绝缘层、一氢原子供应层以及一栅极。多晶硅层形成于半导体基底上，其中多晶硅层的二侧端分别作为薄膜晶体管的源极与漏极，而该多晶硅层的中央部位则做为薄膜晶体管的通道。栅极绝缘层形成于多晶硅层上，氢原子供应层形成于栅极绝缘层上。其中氢原子供应层供应氢原子至多晶硅层的通道，使该多晶硅层中的多个未饱和键得以形成多个氢键，以避免该等未饱和键降低通道的载体移动效能。而栅极形成于氢原子供应层上表面，且位于通道的正上方。
半导体元件与其中的多晶薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]电容器结构-CN03147450.0有效
发明人：张志清;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-07-10 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种电容器结构，其具有：第一导电层、第一绝缘层依序设置于基板之上，第二导电层设置于部分的第一绝缘层之上，第二绝缘层设置于第二导电层、第一绝缘层之上，第三导电层设置于部分的第二绝缘层之上，第三绝缘层设置于第三导电层、第二绝缘层之上，以及第四导电层设置于第三绝缘层之上，第三、第四导电层分别经由至少一与第二导电层相邻的第一接触孔、至少一第二接触孔被电性连接至第一、第二导电层。
电容器结构

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN200410031524.3有效
发明人：陈世龙;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的一多晶硅层包含有一信道区域、一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域，其中该第一掺杂区域形成于该信道区域以及该第二掺杂区域之间，且该第一掺杂区域的掺杂浓度小于该第二掺杂区域的掺杂浓度。一栅极绝缘层形成于该多晶硅层上。一栅极层形成于该栅极绝缘层上，且包含有一第一区域以及一第二区域，其中该第一区域的厚度大于该第二区域的厚度。该栅极层的第一区域覆盖该信道区域，该栅极层的第二区域覆盖该第一掺杂区域，以及该栅极层未覆盖该第二掺杂区域。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]液晶显示器及其制作方法-CN03121973.X有效
发明人：陈坤宏;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-04-18 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种液晶显示器，至少包含一层间介电层，是形成于一玻璃底材上，用以覆盖玻璃底材上表面的一元件；一第一接触开口，位于层间介电层中；一内连线层，形成于层间介电层上表面，并填满第一接触开口，以与元件产生电性连结；一防护层，形成于内连线层上表面，并覆盖于元件上方；一第二接触开口，形成于防护层中，以曝露出内连线层的部分上表面；一平坦层，用以完全遮覆防护层，而裸露出第一接触开口的部分底面；一画素电极层，透过第二接触开口的部分底面，与内连线层产生电性连接。利用本发明技术，可避免包覆于平坦层中的防护层受到后续移除程序所使用气体的侵蚀，亦可降低画素电极层与内连线层间的接触阻抗，进而提高此两层间的接触特性。
液晶显示器及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器的储存电容及其制造方法-CN03104612.6有效
发明人： 叶光兆;张志清 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-02-17 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器的储存电容及其制造方法，其结构包括一下电极、位于下电极上的一层介电层，以及位于介电层上的一上电极，其中介电层包括位于下电极与上电极间的第一部位，以及除了第一部位以外的第二部位，其中第一部位的厚度小于第二部位的厚度且大于介电层的破坏容忍厚度。因此可通过降低电极之间的介电层厚度，同时增加储存电容的电容率以及像素的开口率。
薄膜晶体管液晶显示器储存电容及其制造方法

[发明专利]薄膜电晶体的制造方法-CN03104253.8有效
发明人：陈坤宏;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-01-31 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是提供一种薄膜电晶体的制造方法，此种方法包括下列步骤：在基板上形成基极及源极金属层，在基极及源极金属层上覆上一层氧化矽层，在氧化矽层上执行高温制程；在氧化矽层上覆上一层氮化矽层；结合氮化矽与氧化矽层以形成ILD层；以及对ILD层执行氢化制程；藉由上述步骤可达成离子活化的效果，并使得元件得到充分的氢原子修补，进而改善元件的特性表现与稳定。
薄膜电晶体制造方法

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法-CN03101577.8有效
发明人：陈世龙;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法。首先在一基底表面的一第一区域和一第二区域分别形成一多晶硅岛，并在其上依次各形成一栅极绝缘层与一栅极，接着在各该栅极周围形成弱掺杂漏极，并在该第一区域内形成一第一导电类型晶体管，再选择性形成一保护层附着在各该栅极表面及侧壁，然后再对第二区域进行一离子注入工艺，以制作一具有一弱掺杂漏极的第二导电类型晶体管。
一种低温多晶薄膜晶体管制造方法

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