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[发明专利]边缘端接区-CN201110230833.3有效
发明人： 史蒂文·T·皮克;菲尔·鲁特 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在具有深沟槽(20、34)边缘端接区(2)和中心区(4)之间形成隔离区(14)。隔离区包括从边缘栅极沟槽区(28)延伸至中心区(4)中的栅极沟槽(6)的栅极指状物(18)，以将边缘栅极沟槽区与中心区中的栅极沟槽(6)电连接。隔离区也包括从边缘端接区朝着中心区(4)延伸的隔离指状物(22、24)以及栅极指状物(18)之间的栅极，用于利用RESURF效应减小击穿电压。
边缘端接

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580029869.8无效
发明人： 史蒂文·T·皮克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-09-06 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一导电类型的源极和漏极区(13，14，14a)、以及将源极和漏极区分离的第二相反导电类型的沟道容纳区(15)。该器件包括与沟道容纳区相邻地延伸的栅极(11，42)。该方法包括步骤：在与栅极(11，42)位置侧向间隔的位置处的器件的半导体体中刻蚀沟槽(27)；以及通过沟槽底部(27b)将第二导电类型的掺杂剂注入到体中，以在漏极区中形成第二导电类型的局部区域(37)。在完成器件中局部区域(37)的尺度和掺杂水平是这样的：当耗尽时局部区域和相邻部分的漏极区提供电压维持空间电荷区。这用于以经济的方式改善所得到的器件中的导通电阻和击穿电压之间的权衡。
半导体器件及其制造方法