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[实用新型]一种沟槽碳化硅MOSFET器件-CN202122914247.2有效
发明人： 史田超;乔庆楠;钮应喜;王敬;赵清;单卫平;袁松;彭强;李明山;毕匀雨 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种沟槽碳化硅MOSFET器件，包括：N‑外延层；至少两个P+型注入区，悬浮设置于N‑外延层内；沟槽栅结构，沟槽栅结构的两个底角分别与两个P+型注入区接触。增强了栅氧的可靠性，特别有效降低栅槽底部和侧面氧化层的电场强度，提高栅氧可靠性；浮空式P型埋层反向阻断时形成耗尽区，使器件的反向耐压特性得到明显改善；减少了栅漏接触面积，降低了栅漏电容，提升开关速率。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件

[实用新型]一种碳化硅模块封装用的辅助定位装置-CN202122685206.0有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;郭宗友;袁松;张晓洪;左万胜;史田超;刘志远;钟敏 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及模块结构生产设备领域，具体来说是一种碳化硅模块封装用的辅助定位装置，包括底盘，所述底盘上设有多个安放槽。本实用新型公开了一种碳化硅模块封装用的辅助定位装置，主要是方便基板涂覆锡膏以及方便基板与引脚框架之间的装配连接。
一种碳化硅模块封装辅助定位装置

[发明专利]基于Al-N共掺的SiC外延结构及其制备方法-CN202110339341.1有效
发明人：钮应喜;左万胜;王敬;单卫平;朱明兰;张晓洪;袁松;史田超;胡新星;仇成功;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al‑N共掺的SiC外延结构及其制备方法，所述基于Al‑N共掺的SiC外延结构由下至上依次包括：衬底、Al‑N共掺层一、Al‑N共掺层二、Al‑N共掺层三、N型掺杂层一、Al‑N共掺层四、Al‑N共掺层五、N型掺杂层二、漂移层；各层的生长均是在1580～1680℃温度和50～500mbar压力下流通原料气体和掺杂气体进行的；在衬底与N型掺杂层一之间插入了三层Al‑N共掺层，在N型掺杂层一与N型掺杂层二之间插入了两层Al‑N共掺层，从而提高从基面位错向穿透刃型位错的转换效率，抑制了在形成器件的漂移层中存在基面位错，并降低堆垛层错密度。
基于 al sic 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种SiC VDMOSFET功率器件及其制备方法-CN202211557686.5在审
发明人：赵超越;袁松;史田超;乔庆楠;彭强;李明山;钮应喜 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC VDMOSFET功率器件的结构，所述结构包括：N型SiC衬底，位于N型SiC衬底的背面及正面的漏极、N型外延层；在N型外延层的两侧注入形成两个P阱区，在每个P阱区内依次形成P+接触区、N+源区，P+接触区远离JFET区设置，N+源区邻接P+接触区，且靠近JFET区设置；设于N型外延层上的第一层栅极氧化层，位于JFET区、沟道及部分N+源区上方，沟道上方的第一层栅极氧化层向下凹，在第一层栅极氧化层上形成栅极，在P+接触区及部分N+源区上形成源极。通过干法刻蚀形成了凹式栅极氧化层，栅极氧化层在JFET区上方厚度厚，在沟道上方厚度薄，在不影响栅极氧化层所承受的电场强度的情况下，降低了器件阈值电压，提高了器件的性能与可靠性。
一种 sic vdmosfet 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法-CN202110339323.3有效
发明人：左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;张晓洪;胡新星;仇成功;袁松;史田超;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法，包括以下步骤：对正轴C面4H‑SiC衬底进行刻蚀、在正轴C面4H‑SiC衬底上生长N型4H‑SiC缓冲层、在4H‑SiC缓冲层上生长N型4H‑SiC外延层、由N型4H‑SiC外延层的表面向下刻蚀沟槽、通入含氯的硅源气体、碳源、HCl和B2H6、H2，于1700～1800℃温度和10～50mbar压力下填满沟槽、抛光，抛去N型4H‑SiC外延层表面过生长的4H‑SiC，得到上表面光滑的交替排列的p型和n形区域；本发明提供的C面SiC外延沟槽的填充方法降低了BPD密度和台阶聚集缺陷的发生。
一种 sic 外延结构沟槽填充方法

[发明专利]一种｛03-38｝面碳化硅外延及其生长方法-CN202110340247.8有效
发明人：左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;胡新星;仇成功;袁松;张晓洪;史田超;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种{03‑38}面碳化硅外延及其生长方法，通过使用双(三甲基硅基)甲烷作为Si源和C源，降低生长温度从而降低Z1/2中心；该生长方法制备的{03‑38}面碳化硅外延的结构为由上至下依次包括：正轴{03‑38}面SiC衬底、4H‑SiC缓冲层、4H‑SiC漂移层。
一种 03 38 碳化硅外延及其生长方法

[发明专利]一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法-CN202211129937.X在审
发明人：李明山;袁松;乔庆楠;彭强;钮应喜;史田超;夏小丹;李晓东;潘辉 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法，基于两次自对准工艺，分别完成SiC MOSFET的沟道自对准，接触孔的自对准和接触钝化的自对准，与传统的SiC MOSFET制程相比，可以减少三张光罩板和三次光刻，可以避免由于光刻对准造成的沟道不对称偏位，接触孔偏位，并且可以降低元胞的设计尺寸，降低SiC MOSFET的比导通电阻，提升产品性能及成品率。
一种碳化硅功率 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种SiC外延沟槽的填充方法及该方法制备得到的沟槽填充结构-CN202010450750.4有效
发明人：左万胜;钮应喜;乔庆楠;刘洋;刘锦锦;袁松;张晓洪;史田超;史文华;钟敏;胡新星 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC外延沟槽的填充方法及该方法制备得到的沟槽填充结构，在外延腔中生长完4H‑SiC后，改变生长条件，继续生长100～200nm厚的3C‑SiC外延层，沟槽刻蚀完全后，在沟槽内4H‑SiC填充过程中，由于台面顶部存在100～200nm厚的3C‑SiC外延层，台面顶部会继续生长3C‑SiC；而沟槽内生长4H‑SiC。由于3C‑SiC和4H‑SiC堆垛方式和晶体结构的对称性不同，导致3C‑SiC和4H‑SiC的晶格常数和张力存在差异，沟槽填满后，通过在线原位选择性刻蚀台面顶部3C‑SiC，避免外延沟道填满后使用CMP可能产生过研磨对外延层产生损伤，同时也减少了器件工艺步骤，降低成本。
一种 sic 外延沟槽填充方法制备得到结构

[外观设计]电路控制器-CN202130711529.5有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;郭宗友;袁松;张晓洪;左万胜;史田超;刘志远;钟敏 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电路控制器。2.本外观设计产品的用途：用于工业领域控制器的控制电路。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电路控制器

[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构-CN202123139754.X有效
发明人：鄢诏译;袁松;赵海明;钮应喜;钟敏;史田超;左万胜;张晓洪 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括衬底，衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层，GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结，反偏PN结的两侧设置有将其中储存的电荷泄放的泄放结构，本实用新型的有益效果是，本实用新型通过在缓冲层引入泄放结构来释放掉因PN结反偏势垒而存储的电荷，可抑制C‑GaN HEMT器件的电流崩塌效应，同时保证了晶体管结构整体的性能。
一种氮化电子迁移率晶体管结构

[实用新型]一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构-CN202123140712.8有效
发明人：李怡均;袁松;赵海明;钮应喜;张晓洪;左万胜;钟敏;史田超 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括氮化镓基功率器件，氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，钝化层内设置有导电柱，导电柱将氮化镓基功率器件的电极层与后端工艺晶体管的电极层相连，本实用新型的有益效果是，本实用新型在氮化镓基功率器件上单片集成后端工艺晶体管，互连寄生效应小，提升了系统的频率特性，减小了系统的体积，降低了制备成本。
一种增强氮化电子迁移率晶体管结构

[外观设计]电路控制器-CN202130711527.6有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;袁松;史田超;张晓洪;左万胜;钟敏;邢婷婷;刘志远;郭宗友 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电路控制器。2.本外观设计产品的用途：用于工业领域控制器的控制电路。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电路控制器

[发明专利]一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202111528409.7在审
发明人：王梓霖;王敬;赵清;单卫平;赵海明;钮应喜;袁松;张晓洪;左万胜;钟敏;史田超 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件制备技术领域，该HEMT器件中的异质结构包括沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间由上而下依次设置有半导体插入层Ⅰ和沟道控制层；沟道控制层的上方通过刻蚀形成凹栅区，凹栅区与势垒层的上表面覆盖有钝化层，栅极设置在凹栅区的钝化层上表面，源极和漏极分别穿过钝化层形成在沟道层的上表面，本发明的有益效果是，本发明在凹槽栅制作时实现了蚀刻自停止，实现了最优的沟道控制，增强了整体的极化效应，提高了二维电子气浓度，提升了器件的性能。
一种增强氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法-CN202111528423.7在审
发明人：囤冠华;赵海明;王敬;任天令;赵清;单卫平;钮应喜;袁松;史田超;钟敏;左万胜;张晓洪 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法，属于半导体工艺技术领域，该制备方法通过在衬底上沉积二维材料层，在二维材料层上生长外延层，在外延层上沉积多晶金刚石层，将外延层和衬底之间的二维材料层剥离后，回收衬底，并在外延层上沉积电极层和帽层，从而可得到完整的HEMT器件，本发明的有益效果是，整个制备方法简单、制备效率高、成本低，得到的HEMT器件具有高效的热传导性能。
一种基于金刚石衬底氮化器件制备方法

[实用新型]一种高功率模块结构-CN202122657315.1有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;郭宗友;袁松;张晓洪;左万胜;史田超;刘志远;钟敏 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能功率模块领域，具体来说是一种高功率模块结构，包括引线框架结构，所述引线框架结构包括单体框架结构，所述单体框架结构包括框架本体，所述框架本体上设有引脚组；所述框架本体上设有电路板和基板；所述框架本体上设有用于电路板安装的固定机构；所述固定机构包括挤压部，所述挤压部包括设置在框架本体上的挤压板。本实用新型公开了一种高功率模块结构，本实用新型通过多引脚的设计，方便了根据需要确定各个引脚的间隔，能够增加本实用新型的适用范围，另外，在本实用新型的每个单体框架结构中都设有固定机构，通过固定机构的设置，方便了放置在框架本体内的电路板进行安装定位，方便了电路板在框架本体上的安装固定。
一种功率模块结构

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