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[发明专利]一种轻质柔性纸基1T相二硫化钨/碳纳米管复合热电材料及其制备方法-CN201911009246.4有效
发明人：朴明星;褚金;李朝龙;王啸;张恒;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本发明属于新能源热电转换材料技术领域，具体涉及一种以常见纤维素纸为基底的轻质柔性、高热电转换效率的复合热电材料及其制备方法。本发明利用表面活性剂分散的碳纳米管作为分子模板，通过简洁高效的水热合成法，在碳纳米管表面生长具有类金属性的1T相二硫化钨纳米片，得到1T相二硫化钨纳米片/碳纳米管复合粉体。通过利用常见的吸水性强的纤维素纸为基底材料，结合辊压机延压和化学掺杂的方法，得到一类新型的纤维素纸基1T相二硫化钨/碳纳米管复合热电材料。本发明制备的复合热电材料在保留了纤维素纸柔韧性的同时，结合复合材料各组分的特性，获得了优异的热电性能，为新能源领域高性能热电材料的发展和应用开拓新的思路和方向。
一种柔性硫化纳米复合热电材料及其制备方法

[发明专利]基于碳纳米复合柔性电极的制备方法及微型智能针灸理疗仪-CN201710993021.1有效
发明人：魏大鹏;郭云飞;孙泰;杨俊;于乐泳;胡云;史浩飞;杜春雷 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米复合柔性电极以及微型智能针灸理疗仪，该理疗仪包括理疗刺激单元、信号控制与处理和移动通信单元。理疗刺激单元包括碳纳米柔性复合电极和粘性材料。信号控制与处理及供电单元包括电源、脉冲发生电路、蓝牙、微控制器等模块，此部分是中低频脉冲刺激电流的发生和控制装置，通过电极扣与理疗刺激单元相连接，可输出不同的频率、波形、强弱的脉冲刺激电流。移动通信单元包括蓝牙模块和移动远端控制模块，移动远端控制模块可提供针灸理疗方案建议、穴位指南以及理疗过程监控，可与多个信号控制与处理及供电单元通讯。本发明提供的基于碳纳米复合的智能柔性贴合针灸理疗仪具有接触好、佩戴舒适、导热性好、防止细菌生长等优点。
基于纳米复合柔性电极制备方法微型智能针灸理疗仪

[发明专利]一种碳基柔性电容式压力传感器及其制备方法和应用-CN202310737776.0在审
发明人：张永娜;姜浩;李占成;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳基柔性电容式压力传感器及其制备方法和应用，属于柔性压力传感器技术领域。该传感器包括上下两片电极和位于两电极间的介电层。其中，电极为碳纳米管膜、介电层为聚偏氟乙烯或偏氟乙烯共聚物多孔纤维膜。该电容式压力传感器厚度薄，响应时间短，能够满足其在人体可穿戴检测设备中的应用，确保了其在人体穿戴上的灵活性和适应性。在制备过程中能够保证碳纳米管膜表面完整，无缺陷且尺寸可控。其中由静电纺丝法制备的多孔纤维膜相互缠绕，具有明显的三维多孔网络结构，可实现较大的压缩变形。此外，该方法简单易操作，制备周期短，制备成本低。
一种柔性电容压力传感器及其制备方法应用

[发明专利]表面肌电信号方法、装置及穿戴式智能设备-CN202310450587.5在审
发明人：杨俊;苟欣;李佩;谢磊;董晨辉;李春宝;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A61B5/389 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面肌电信号方法、装置及穿戴式智能设备，所述方法包括：获取第一表面肌电信号；基于所述第一表面肌电信号，采用短时傅里叶变换得到第一信号频谱；对所述第一信号图谱进行傅里叶变换，计算出第一信号的谱图特征，所述第一信号的谱图特征包括频谱信息和定时序列数据的频域信息；将所述第一信号的谱图特征输入预训练得到的深度学习模型，完成姿态识别和肌肉疲劳判断。本发明通过采集运动状态下的表面肌电信号，并基于深度学习网络对采集到的信号进行处理，识别出运动姿态以及疲劳程度，对用户的运动训练起到一定指导作用，并起到骨损伤预防的作用。
表面电信号方法装置穿戴智能设备

[发明专利]一种RCS可重构的三角形反射器-CN202310417838.X在审
发明人：张恒;张倩;高翔;胡承刚;袁煜林;朴明星;邵丽;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01Q15/14 文献下载
摘要：本发明公开一种RCS可重构的三角形反射器。该结构包括设置于三角形反射器上的石墨烯电控结构；所述石墨烯电控结构包括上下基底板、上下石墨烯薄膜、离子液体、隔离层和电控系统(7)等形成的结构；通过电源给结构施加电压改变石墨烯方块电阻，进而控制三角反射器的RCS。本发明在通讯、目标微波特征调控、飞机隐身等领域有着广泛的应用前景。
一种 rcs 可重构三角形反射

[发明专利]基于分布式力感知技术的肌群应力监测智能腿套-CN202310450594.5在审
发明人：杨俊;苟欣;李佩;谢磊;董晨辉;李春宝;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A61B5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分布式力感知技术的肌群应力监测智能腿套，包括调节套、腿套、分布式柔性传感器以及硬件电路，所述调节套设置在所述腿套上，所述分布式柔性传感器设置在所述腿套的夹层内，所述分布式柔性传感器的信号输出端连接所述硬件电路的信号输入端，所述硬件电路用于实时对所述分布式柔性传感器采集到的肌群应力信号进行处理，以记录并传输肌群应力信号。本发明可精准感知肌群应力变化，继而可通过调节腿套的调节套，对小腿施加适当的压力，从一定程度上缓解肌肉疲劳。
基于分布式感知技术应力监测智能

[发明专利]一种晶圆级二维材料的洁净转移方法-CN202310603143.0在审
发明人：张永娜;姜浩;李占成;石彪;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级二维材料的洁净转移方法，属于二维材料转移技术领域。具体方法为：在铜层上旋涂制备聚合物薄膜，再利用电化学法分离出聚合物薄膜，随后采用铜箔/二维材料衬底将其捞取获得聚合物薄膜/二维材料/铜箔，刻蚀法去除铜箔后以目标衬底捞取获得聚合物薄膜/二维材料/目标衬底，最后采用硅胶膜物理粘附去除聚合物薄膜获得二维材料/目标衬底，从而实现二维材料的洁净转移。该方法采用含大侧基官能团的丙烯酸酯类聚合物作转移介质，通过预制聚合物薄膜并结合硅胶膜物理去除聚合物薄膜，削弱了聚合物薄膜与二维材料间的相互作用力，避免了聚合物在二维材料表面的残留，转移的二维材料具有表面干净、均匀完整、聚合物残留少的特点。
一种晶圆级二维材料洁净转移方法

[发明专利]一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法-CN202210027276.3有效
发明人：朱鹏;孙泰;史浩飞;肖磊;魏兴战;熊稳 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。将该红外探测器中II类超晶格层制成具有特定周期及占空比的光栅结构，并在其上蒸镀金属膜层，构建金属微结构，利用该结构异常的增透特性，使最终制备的红外探测器在5.5μm左后和10μm左右为中心波长的中波和长波波段实现了对入射光的选择性增强吸收，可以用于特定需求的红外成像探测器，提升了器件的性能。另外，红外探测器中构建该结构后，不仅可以减少本征吸收层的厚度，显著降低探测器的暗电流，提高了红外探测器的灵敏度，还可以避免因制备较厚本征吸收层导致的制作周期长、成本高的缺陷。
一种具有波段吸收增强功能 ii 晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种带有宽波段吸收增强结构的II类超晶格红外探测器及其制备方法-CN202210027868.5有效
发明人：朱鹏;孙泰;史浩飞;肖磊;魏兴战;熊稳 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有宽波段吸收增强结构的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。该探测器包括以下结构：衬底层；重掺反射层，外延于衬底层上；缓冲层，外延于重掺反射层上；电极I、II类超晶格层，均设置在缓冲层上；电极II、非对称性微结构阵列层，以电极II环绕非对称性微结构阵列层的方式设置在II类超晶格层上；石墨烯层，覆盖电极II和非对称性微结构阵列层。通过重掺反射层、中间II类超晶格层以及II类超晶格层上特定结构的非对称性微结构阵列层，构建非对称等离子结构结构，从而提升该红外探测器的光响应速度、比探测率和吸收率，降低其暗电流。该探测器具有宽波段吸收增强功能，制作周期短且成本低，适合扩大化生产。
一种带有波段吸收增强结构 ii 晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于碳纳米红外吸收层的微测辐射热计-CN201610571486.3有效
发明人：杨俊;姬乙雄;汤林龙;冯双龙;周大华;申钧;魏兴战;史浩飞;杜春雷 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳纳米红外吸收层的微测辐射热计，包括氮化硅支撑层(5)，所述氮化硅支撑层(5)向上依次为第一碳纳米红外吸收层(4)，热敏感层(3)，第二碳纳米红外吸收层(2)和氮化硅保护层(1)；所述第二碳纳米红外吸收层2和氮化硅保护层(1)构成微测辐射热计的顶部红外吸收层；所述第一碳纳米红外吸收层4和氮化硅支撑层(5)构成微测辐射热计的底部红外吸收层，底部红外吸收层与金属反射层(7)之间通过支撑桥墩(6)形成红外吸收谐振腔(9)；所述金属反射层(7)位于硅衬底(8)之上。该微测辐射热计采用碳纳米材料作为红外吸收增强层，不仅提高器件的红外吸收率和探测灵敏度，而且可以实现宽波段红外吸收，器件结构简单，有优异的非制冷红外探测性能。
一种基于纳米红外吸收辐射热

[发明专利]硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法及装置和介质-CN202310528665.9在审
发明人：陈惠;邵丽;汤林龙;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法及装置和介质，该方法包括：创建第一版图文件，调用标准肖特基版图，并将所述标准肖特基版图打平；根据预设的版图设计规则，分别调整肖特基的P型有源区、红外吸收区、N型有源区、N阱和保护环的尺寸，并进行DRC验证；所述P型有源区、N型有源区、N阱和保护环的尺寸调整为规则中的最小尺寸；基于所述预设的版图设计规则，利用M1金属层设计红外吸收区正上方的红外天线结构；利用接触孔与P型有源区、N型有源区和保护环连接，并分别将其导通至M1金属层；在M1金属层，将所有的N电极与保护环连接，形成P极与N极。本发明可以在相同的版图面积上做出尺寸更大的芯片，降低了工艺生产成本。
红外探测器阵列芯片版图设计方法装置介质

[发明专利]基于菲林光刻工艺的透明天线制备方法及透明天线-CN202110702327.3有效
发明人：胡承刚;程晋广;史浩飞;张恒;邵丽;周萌;王刚 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于菲林光刻工艺的透明天线制备方法及透明天线，该方法包括S1.低可视透明天线结构的设计；S2.将低可视透明天线结构图形出到菲林片上制作菲林掩膜版；S3.对透明导电膜和感光干膜进行预定尺寸的裁切以及前处理；S4.透明导电膜表面贴上感光干膜，将贴好感光干膜的导电薄膜曝光；S5.显影露出透明天线的结构图案；S6.通过刻蚀液刻蚀出透明天线的形状；S7.去除透明导电膜表面的感光干膜并清洗烘干，得到所需透明导电膜；S8.将得到的透明导电膜贴在透明板材上；S9.对透明板材进行裁切，得到所需透明天线，S10.将透明天线接上射频接头或射频线缆。本发明具有较高的加工精度，可拓展至大面积制备，制作出的天线外观不易被察觉，具备低可视特征。
基于光刻工艺透明天线制备方法

[实用新型]一种防静电PCR扩增板-CN202320066545.7有效
发明人：于乐泳;冯双龙;史浩飞;姚伊人 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;公安部鉴定中心
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防静电PCR扩增板，包括板体，在板体的上方镀有一层薄膜，所述薄膜上设置有若干纳米孔。本实用新型通过在板体的表面设置带纳米孔的薄膜，改善扩增板的防静电性能，从而提高扩增板的PCR扩增效率，提高检测的准确度。
一种静电 pcr 扩增

[发明专利]一种高占空比微透镜阵列的制作方法-CN202210219944.2有效
发明人：张之胜;张为国;史浩飞;张畅达;高明友 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高占空比微透镜阵列的制作方法，包括下列步骤：针对目标微透镜阵列的面形设计制作掩模板，在基片上涂布光刻胶，通过单次或多次掩模曝光获得多台阶结构，实时动态热熔，实现台阶结构流动成平滑曲面，制作出高占空比的微透镜阵列。本发明方法可以制作小口径的微透镜阵列，微透镜的口径范围为几微米到几十微米，可以制作任意排布的球面或非球面微透镜阵列，精确控制微透镜面形，微透镜阵列占空比接近百分之百。
一种高占空透镜阵列制作方法

[发明专利]一种宽波段硅基红外探测芯片及成像系统-CN202310370110.6在审
发明人：邵丽;陈惠;史浩飞;汤林龙;伍俊;于乐泳 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽波段硅基红外探测芯片及成像系统，所述宽波段硅基红外探测芯片为阵列器件，所述阵列器件包括多个单元器件，所述单元器件设置在N阱中，其包括超材料红外聚焦结构、光波传输结构、肖特基光电转换结构和电流传输结构。本发明中的宽波段硅基红外探测芯片，其制程摈弃昂贵的红外吸收材料后，可与标准硅基CMOS工艺具有良好的兼容性，制备工艺具有均一性好、重复性高等优势，为大面阵和规模化方向发展提供了标准工艺保障，为民用领域的低成本应用带来了新机遇。
一种波段红外探测芯片成像系统

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