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[发明专利]半导体工艺设备-CN202210590947.7有效
发明人：程诗垚;史小平;任攀 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺设备，包括腔体、晶舟、射频缓冲室和多个射频电极组，腔体具有反应腔，晶舟设置于反应腔内，晶舟具有多个晶圆放置位，晶圆放置位层叠且间隔设置，晶圆放置位用于放置被加工晶圆。射频缓冲室开设有多个第一气孔，第一气孔沿晶圆放置位层叠的方向排布，且射频缓冲室通过第一气孔与反应腔连通。射频电极组设置于射频缓冲室内，且射频电极组沿晶圆放置位层叠的方向排布。该方案能解决半导体工艺设备不同位置的晶圆表面的成膜厚度不一致的问题。
半导体工艺设备

[发明专利]半导体处理设备及薄膜沉积方法-CN201811424617.0有效
发明人：张文强;史小平;兰云峰;秦海丰;纪红;赵雷超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理设备及薄膜沉积方法，包括反应腔室、进气管路和吹扫管路，吹扫管路用于向进气管路和反应腔室通入吹扫气体，其特征在于，还包括混合装置、稀释管路和混合管路，其中，稀释管路与混合装置的进气端连接，用于将稀释气体通入混合装置；进气管路与混合装置的进气端连接，用于将工艺气体通入混合装置；混合管路的两端分别与混合装置的出气端和反应腔室连接，用于将混合装置中的混合气体通入反应腔室。本发明提供的半导体处理设备及薄膜沉积方法能够使工艺气体均匀吸附在衬底表面，并且能够将反应腔室内的工艺气体吹扫干净，从而提高薄膜的质量。
半导体处理设备薄膜沉积方法

[发明专利]工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备-CN201811252068.3有效
发明人：纪红;史小平;兰云峰;赵雷超;秦海丰;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备。包括：至少两个工艺气体源；至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间；其中，每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通。对于K值较低的前驱体，可以在工艺气体源内存储该前驱体，这样，该前驱体可以经由两个并联的供气支路进入到工艺腔室内，可以降低该前躯体在供气管路的滞留，并且增加单次该前驱体进入工艺腔室的输入量。根据Langmuir模型(也即公式1)，增加该前躯体的气体分压，可提高其饱和吸附率，从而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。
工艺气体传输装置原子沉积方法设备

[发明专利]半导体工艺设备及其晶舟旋转速度的确定方法-CN202310622414.7在审
发明人：程诗垚;史小平;翟立君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备及其晶舟旋转速度的确定方法，属于半导体工艺技术。该方法包括：获取目标晶圆在预设晶舟转速下一次薄膜沉积的第一膜厚分布数据；根据第一膜厚分布数据和薄膜沉积周期，对目标晶圆进行多个不同的晶舟转速下的M次薄膜沉积的膜厚分布计算，得到多个第二膜厚分布数据，M为大于或等于第一预设阈值的正整数；计算并比对所有第二膜厚分布数据的均匀度值，找出均匀度值最小的第二膜厚分布数据对应的晶舟转速作为目标晶舟转速。本技术方案，其可大大减少实验时间和实验耗材的同时，大大提升实验效率，以及确保晶舟在薄膜沉积过程中能以最优转速旋转，进而大大提升产品的薄膜沉积均匀性。
半导体工艺设备及其旋转速度确定方法

[发明专利]一种发动机起动系统、起动方法及电子设备-CN202310260747.X在审
发明人： 史小平;徐龙;徐瑞泓;史信秋;庞永涛 -专利权人：潍柴动力股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： F02N11/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种发动机起动系统、起动方法及电子设备，该方法包括：接收发动机起动请求；根据预设的判定条件从多个起动方式中选择所述发动机对应的目标起动方式，并触发目标起动方式对应的起动部件起动发动机。以此解决飞轮电机倒拖起动方式涉及多个零部件，比起传统起动机起动方式，可靠性大大降低，无法及时起动发动机的情况频率较高的问题。
一种发动机起动系统方法电子设备

[发明专利]一种半导体设备及其射频加载方法-CN201811556619.5有效
发明人：丁安邦;史小平;陈鹏;兰云峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备及其射频加载方法，该半导体设备包括：反应腔室、射频源和匹配器，所述射频源用于产生射频功率信号，还包括信号发生器和调制器，其中，所述信号发生器用于产生脉冲信号；所述调制器用于对所述射频功率信号和所述脉冲信号进行调制，并通过所述匹配器将调制后的射频功率加载到所述反应腔室，以获得理想的工艺结果。通过本发明，有利于反应腔室的起辉以及反射功率稳定。
一种半导体设备及其射频加载方法

[发明专利]一种原子层沉积设备及方法-CN201810873257.6有效
发明人：秦海丰;史小平;兰云峰;纪红;赵雷超;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室、溶剂冲刷系统以及多个前驱体传输系统，其中，每个前驱体传输系统均包括前驱体传输管路和与前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，多条前驱体传输管路共同汇入反应腔室；溶剂冲刷系统包括溶剂传输管路和与溶剂传输管路可通断性连接的溶剂源瓶，溶剂传输管路与至少一条前驱体传输管路选择性连通，以向前驱体传输管路和/或反应腔室通入吹扫溶剂进行吹扫。本发明能够减少腔室内的非预期反应物沉积，提高薄膜纯度，改善沉积薄膜的质量；能够改善薄膜厚度均匀性，提高片间薄膜性能的重复性；并且能够降低腔室内壁的颗粒物附着，从而提高沉积薄膜的纯度。
一种原子沉积设备方法

[发明专利]一种原子层沉积设备及方法-CN201810872341.6有效
发明人：秦海丰;史小平;李春雷;纪红;赵雷超;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积设备及方法，该设备包括反应腔室、溶剂冲刷系统以及多个前驱体传输系统，其中，每个前驱体传输系统均包括前驱体传输管路和与前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，每条前驱体传输管路均连接至反应腔室；溶剂冲刷系统包括溶剂传输管路和与溶剂传输管路可通断性连接的溶剂源瓶，溶剂传输管路与每个前驱体传输系统中的前驱体传输管路选择性连通，以向前驱体传输管路和/或反应腔室通入吹扫溶剂进行吹扫。本发明通过增加溶剂冲刷系统，可以有效清除前驱体传输管道内的残留和腔室内的非预期反应物沉积，不仅可以提高薄膜纯度，改善沉积薄膜的质量，还可以延长腔室和泵的维护周期，并增加管道、腔室和泵的寿命。
一种原子沉积设备方法

[发明专利]一种车辆的巡航制动方法、装置、存储介质及终端-CN202310019012.8在审
发明人： 史小平;赵希达 -专利权人：潍柴动力股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B60W30/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆的巡航制动方法、装置、存储介质及终端，方法包括：巡航模式下，获取车辆的巡航速度与实时速度；根据所述巡航速度与所述实时速度判断车辆的行车状态；在车辆处于下坡超速状态时，启动车辆的辅助制动和/或刹车并保持巡航模式。本申请中，在车辆下坡时，维持巡航模式的同时启动车辆的辅助制动或刹车来对车辆的速度进行控制，将巡航模式与辅助制动/刹车联动，从而无需手动操作，提高了驾驶安全与驾驶体验。
一种车辆巡航制动方法装置存储介质终端

[发明专利]半导体设备的反应腔室-CN202010513042.0有效
发明人：王勇飞;史小平;郑波;兰云峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体设备的反应腔室，包括用于承载晶片的基座和晶片升降装置，该晶片升降装置包括：基座升降组件和晶片升降组件；基座升降组件包括升降轴，升降轴的一端伸入反应腔室内且与基座连接，以带动基座升降；晶片升降组件包括：支撑盘套设于升降轴的外部；至少两个支撑柱沿支撑盘周向分布，每个支撑柱的一端连接于支撑盘的上表面，另一端穿过基座；支撑柱升降机构设置于基座的下部，支撑柱升降机构与支撑盘传动连接，当升降轴带动基座升降时，支撑柱升降机构能够使支撑盘以反向于基座的方向进行运动；支撑柱升降机构借助基座升降组件的运动带动支撑盘升降，以带动支撑柱，其结构紧凑，有利于减小反应腔室的空间。
半导体设备反应

[发明专利]进气装置及半导体加工设备-CN201811206294.8有效
发明人：张文强;史小平;兰云峰;秦海丰;纪红;赵雷超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种进气装置及半导体加工设备，包括进气件、第一进气管路和第二进气管路，其中，进气件用于向反应腔室内喷入气体的进气件，第一进气管路与进气件连接，用于通过进气件向反应腔室内通入第一前驱体；第二进气管路与反应腔室连通，用于直接向反应腔室内通入第二前驱体。本发明提供的进气装置及半导体加工设备，能够减少前驱体在进气件上形成的沉积物，从而延长进气件的清洗周期，增加进气件的使用寿命，还能够降低薄膜的颗粒度，提高薄膜的均匀性和质量。
装置半导体加工设备

[实用新型]一种立体车库控制系统-CN202221233387.1有效
发明人： 史小平;夏健鸣;邱伟明;许芬 -专利权人：深圳易时智联科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本申请适用于立体车库技术领域，本实用新型提供了一种立体车库控制系统，通过楼层控制单元汇集传感器的信号传输到主控制器，使得立体车库中每一层的电机驱动、电压传感器、电流传感器以及温度传感器等的线缆可以先汇集到楼层控制单元，然后在通过楼层控制单元连接到主控制器，使得传感器不用点对点使用线缆连接到主控制器，节省了传感器的线缆长度。并且，由于大幅减少了线缆铺设，因此，本实用新型能够降低施工成本，减短施工周期。此外，本实用新型中每个传感器、电机等器件均有唯一地址编码，从而实现对每个器件的单独监控，可对设备维护提供智能化远端指导。
一种立体车库控制系统

[发明专利]原子层沉积设备及清洗方法-CN202011321837.8有效
发明人：赵雷超;张文强;史小平;郑波;赵联波;纪红;李贺;马原 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种原子层沉积设备及清洗方法，该原子层沉积设备包括反应腔室和清洗装置，该清洗装置包括等离子体发生器、第一进气管路以及第二进气管路，等离子体发生器用于将毒性满足安全性要求的含氟气体离化形成等离子体，第一进气管路连接等离子体发生器与反应腔室，用于将等离子体传输至反应腔室；第二进气管路的进气端用于与臭氧气源连接，第二进气管路的出气端与反应腔室连接，等离子体及臭氧气体用于与氮化钛薄膜反应形成气态生成物。本发明实施例提供的原子层沉积设备及清洗方法，可以去除附着在反应腔室中的碳化钛薄膜，提高对氮化钛薄膜的刻蚀速率，降低工作环境的危险系数，减小安全性事故发生的风险。
原子沉积设备清洗方法

[发明专利]腔室用清洗装置及清洗方法、半导体处理设备-CN201811325141.5有效
发明人：丁安邦;史小平;陈鹏;兰云峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室用清洗装置、清洗方法及半导体处理设备。包括清洗等离子体源以及与清洗等离子体源连接的匀流件，匀流件上设置有加热带；加热带在匀流件的表面排列成若干个同心环状结构，并且，各同心环状结构的加热功率可调，以选择性地使得匀流件具有若干个不同的温度区。可以确保在执行完清洗工艺时，匀流件各处的温度可以快速恢复到设定的温度，温度均匀性也可以快速达到要求，进而可以缩减执行完清洗工艺的冷却时间，提高后续沉积工艺时的沉积速率和薄膜均匀性。
腔室用清洗装置方法半导体处理设备

[发明专利]一种发动机供油压力的控制方法、装置、设备及介质-CN202211199587.4在审
发明人：徐龙;孙强;史小平;史信秋;庞永涛;张中建 -专利权人：潍柴动力股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： F02D41/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种发动机供油压力的控制方法、装置、设备及介质，为了保证发动机的供油压力不影响发动机的正常运行，可以通过以下方式控制发动机的供油压力，包括：获取发动机的运行工况，并基于发动机的运行工况，获取控制发动机的供油压力的预设条件，该预设条件指示发动机正常运行时对应的供油压力的条件。因此可以基于该预设条件控制发动机的供油压力，以保证发动机正常运行。通过本申请所提供的发动机供油压力的控制方法，可以结合发动机的运行工况确定控制供油压力的预设条件，以便根据预设条件控制供油压力，实现发动机的正常运行。
一种发动机供油压力控制方法装置设备介质

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