专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于区块技术的分布式KV存储系统-CN202110152868.3有效
  • 孙唐;沈飞;古进;谈笑 - 北京忆芯科技有限公司
  • 2018-03-29 - 2023-04-18 - H04L67/1097
  • 提供了基于区块技术的分布式KV存储系统。所提供的分布式存储系统,包括耦合到网络的查询节点、中继节点与资源节点,查询节点用于向网络发出用于查询网络中的资源的查询请求资源节点用于提供分布式存储系统的资源,资源节点和/或中继节点广播查询请求或广播指示查询成功的消息;资源节点和/或中继节点记录了资源映射信息,资源映射信息包括多条记录,每条记录指示查询请求从被查询节点发出到资源节点应答所经历的各个网络节点的区块,其中区块包括节点的节点标识、节点的特征信息的数字签名与指示区块被添加的时间的时间戳;资源节点记录了转换信息,转换信息的每条记录指示从键到地址的映射。
  • 基于区块技术分布式kv存储系统
  • [实用新型]一种三端整流电路模块-CN202122050231.1有效
  • 吴王进;古进;龚昌明;杨波;蒋娜;寿强亮;余治庆;齐胜伟 - 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
  • 2021-08-30 - 2022-03-29 - H01L23/488
  • 一种三端整流电路模块,包括芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管、共电极金属基片、端电极1金属基片、端电极2金属基片、端电极3金属基片;芯片级封装无引线无电极片玻钝二极管包括封装本体、二极管芯片端电极金属化层、可焊接金属层;共电极金属基片具有共电极金属基片镂空贴片区、镂空贴片区焊接层;端电极金属基片具有端电极金属基片镂空贴片区,镂空贴片区焊接层;玻钝二极管公共端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到共电极金属基片镂空贴片区;另一端通过镂空贴片区焊接层嵌入式焊接到相应电极的端电极金属基片镂空贴片区。解决了现有三端整流电路模块高密度集成化、高可靠性的问题。广泛应用于电路模块的高密度集成化封装结构或工艺中。
  • 一种整流电路模块
  • [发明专利]利用KV存储设备的云计算与雾计算系统-CN202110945026.3在审
  • 古进 - 北京忆芯科技有限公司
  • 2018-03-30 - 2021-11-16 - H04L29/08
  • 本申请公开了利用KV存储设备的云计算与雾计算系统。所提供的存储系统,包括:通过网络耦合的客户端、区域服务器、根服务器与提供资源的资源,资源包括数据采集设备、计算设备以及存储设备,存储设备包括KV存储设备;客户端直接向相关联的资源发起业务请求,不经过区域服务器;当同业务请求对应的资源是KV存储设备时,KV存储设备根据接收的业务请求,为客户端提供对所述业务请求的响应,其中,KV存储设备通过自身的存储与计算能力或与其临近的资源响应业务请求。
  • 利用kv存储设备计算系统
  • [实用新型]表贴二极管-CN202120884900.2有效
  • 刘德军;古进;石文坤;杨春梅;肖摇;齐胜伟 - 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
  • 2021-04-27 - 2021-11-12 - H01L29/861
  • 本实用新型提供了一种表贴封装二极管,包括管芯,所述管芯的上端面设有上电极片,管芯的下端面设有下电极片,管芯与上电极片、下电极片之间通过蒸铝层烧焊在一起,管芯、上电极片、下电极片的侧面包覆有钝化玻璃,下电极片的下端凸出钝化玻璃,上电极片的上端设有变形电极片。本实用新型安装使用时,管芯、上电极片、下电极片与安装PCB板面平行,加大管芯与电极片尺寸即可加大产品的功率,其高度不会增加;下电极片整个面直接与散热器或PCB板接触,散热效果得到了大大改善;根据需要,器件结构可设为圆柱形、方形等任意形状,且径向尺寸小;安装适应性好。
  • 二极管
  • [发明专利]云计算与雾计算系统中的KV存储设备-CN202110768902.X在审
  • 古进 - 北京忆芯科技有限公司
  • 2018-03-30 - 2021-10-22 - H04L29/08
  • 本申请公开了云计算与雾计算系统中的KV存储设备。所提供的KV存储设备,包括:主机接口、KVFTL单元、CPU子系统、错误校验单元、用于访问NVM芯片的介质接口以及一个或多个应用程序,主机接口用于同主机交换命令与数据,KVFTL单元运行在CPU子系统中,错误校验单元对写入NVM存储介质和从NVM存储介质读取的数据进行错误校验,应用程序运行在CPU子系统中的一个或多个CPU中;响应于接收区域服务器发送的查询请求,KV存储设备的应用程序处理查询请求,并生成键,从KV存储设备中获取同键对应的值作为查询结果,并将查询结果返回区域服务器。本申请主要用于KV存储设备。
  • 计算系统中的kv存储设备
  • [发明专利]虚拟UART-CN201710826989.5有效
  • 古进;陈亮 - 北京忆芯科技有限公司
  • 2017-09-14 - 2021-10-22 - G06F13/40
  • 提供了电子设备中的虚拟UART设备。所公开的电子设备,具有通过第一链路提供的第一功能,所述电子设备还包括第一UART模块与第二UART模块,第一UAR T模块的发送端口耦合到第二UART模块的接收端口,第一UART模块的接收端口耦合到第二UART模块的发送端口;第一UART模块耦合到第一链路以提供电子设备的第二功能,其中,通过第一链路,第一UART模块的发送端口与接收端口第一链路被访问;电子设备从第二UART模块的接收端口获取请求,向第二UART模块的发送端口提供应答,以实现电子设备的第二功能。
  • 虚拟uart
  • [实用新型]二极管芯片-CN202120949006.9有效
  • 袁强;古进;王博;贺晓金;陆超;姚秋原 - 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
  • 2021-05-06 - 2021-10-22 - H01L29/861
  • 本实用新型提供了一种二极管芯片,该芯片包括多个相互并联的元胞,元胞包括N+衬底,N+衬底的背面设有背金属层,N+衬底的正面设有N‑外延区,N‑外延区的正面依次设有栅氧层、多晶硅、金属化层;N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区,金属化层背面设有凸起部,凸起部嵌入P型基区,凸起部周围设有N+区,凸起部端面与P型基区之间设有P+区,P型基区、N+区的正面均被栅氧层覆盖。采用本实用新型相比于PN结结构,具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点;相比于肖特基二极管,具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点;且导通压降小,能耗低,产热量小,耐用性强;采用多元胞并联结构,大大提高了散热能力。
  • 二极管芯片

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