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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202180075132.9在审
发明人：吉田浩;奥野润;古贺洋贵;周藤悠介;塚本竹雄 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06G7/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种被配置为能够降低能耗的半导体装置。提供了一种半导体装置，包括：输入单元，输入电荷；计算单元，存储并计算来自输入单元的电荷；以及输出单元，检测并输出存储在计算单元中的电荷。计算单元具有存储单元，多个配对单元连接至该存储单元，每个配对由输入单元与选通单元形成。多个配对单元的每个使从输入单元输入至存储单元的电荷可变。存储单元存储从多个连接的配对单元中的每个输入的电荷。本发明可应用于例如模拟计算装置。
半导体装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN98102174.3无效
发明人： 古贺洋贵 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-05-27 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：为提供一种半导体器件的制造方法，其中在该半导体器件的沟槽隔离工艺中，在沟槽中不形成任何空隙，而且沟槽的重复间距可以减少到光刻技术的极限，本发明的方法包括，在沟槽隔离工艺中，经一硬掩模蚀刻硅基片以形成沟槽的步骤，以及处理该硬掩模以致使其上部成锥形的步骤。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN99102893.7无效
发明人： 古贺洋贵 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-12 - 公布日： 1999-09-22 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种半导体器件及制造这种半导体器件的方法,它们不存在诸如MOS晶体管的开关性能或栅氧化膜的长期可靠性差、在栅电极和硅基片间的漏电流增加、或栅极耐压变差的缺陷,其它由于邻近器件区的沟道外缘上的氧化硅膜的深蚀刻形成一凹陷暴露出器件区的肩区而产生的问题。为防止这些缺陷的出现,在氮化硅膜中形成一开口后,一氧化硅膜隔板被安置在硅基片上的开口的侧壁上,目的是形成一直径比氮化硅膜中开口的直径小的沟道。
半导体装置及其制造方法

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