专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种水循环冷却式CMP装置-CN202223585191.1有效
  • 岸田文树;翁鑫晶;林邦宏 - 双羽先端(无锡)半导体有限公司
  • 2022-12-31 - 2023-10-13 - B24B37/34
  • 本实用新型提供了一种水循环冷却式CMP装置,其包括抛光头以及抛光板,抛光板的下模中设置至少2条第二冷却路径,抛光头的晶片粘贴表面内设置有至少2条第一冷却路径,抛光头以及抛光板的冷却路径均通过外置的冷却器水循环装置连接;相比现有技术,本实用新型通过在抛光头以及抛光板接触面布置冷却水循环板,改善晶圆加工时研磨的温度分布,防止因外周速和内周速的差而导致的平坦度恶化。此外,通过使用具有较少热膨胀整数的陶瓷材料将形成冷却路径的板设置在作为最上层的抛光板(固定板)的正下方,实现更有效的冷却效率。
  • 一种水循环冷却cmp装置
  • [发明专利]一种水循环冷却式CMP装置-CN202211735757.6在审
  • 岸田文树;翁鑫晶;林邦宏 - 双羽先端(无锡)半导体有限公司
  • 2022-12-31 - 2023-09-29 - B24B37/34
  • 本发明公开了一种水循环冷却式CMP装置,其包括研磨头以及抛光板,抛光板的下模中设置至少2条第二冷却路径,抛光头的晶片粘贴表面内设置有至少2条第一冷却路径,抛光头以及抛光板的冷却路径均通过外置的冷却器水循环装置连接;相比现有技术,本发明通过在抛光头以及抛光板接触面布置冷却水循环板,改善晶圆加工时研磨的温度分布,防止因外周速和内周速的差而导致的平坦度恶化。此外,通过使用具有较少热膨胀整数的陶瓷材料将形成冷却路径的板设置在作为最上层的抛光板(固定板)的正下方,实现更有效的冷却效率。
  • 一种水循环冷却cmp装置
  • [实用新型]一种水循环冷却的晶圆研磨头结构-CN202223583920.X有效
  • 岸田文树;翁鑫晶;林邦宏 - 双羽先端(无锡)半导体有限公司
  • 2022-12-31 - 2023-05-09 - B24B37/11
  • 本实用新型提供了一种水循环冷却的晶圆研磨头结构,其包括研磨头本体、背衬垫和晶片保持环,所述的晶片保持环置于晶圆研磨头结构的最底端,用于保持晶元并压在下部的抛光板上;所述的背衬垫置于晶片保持环的上部并作为晶片保持环的固定结构;所述的研磨头本体置于晶圆研磨头结构的顶部并与外部旋转动力源连接;所述的背衬垫与研磨头本体之间设置有水循环冷却板件,且所述水循环冷却板件在朝向背衬垫的一侧设置有水循环冷却流道。相比现有技术,本实用新型通过在与晶片直接接触的背衬垫的接触面布置水循环冷却板件,改善了晶圆加工时研磨的温度分布,防止因外周速和内周速的差而导致的平坦度恶化。
  • 一种水循环冷却研磨结构

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