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[发明专利]磁传感器及其制造方法-CN202180056711.9在审
发明人：山地勇一郎;原川修;龟野诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明的磁传感器控制间隙的大小，以提高组装时的作业效率，且尽可能缩小传感器芯片的元件形成面和集磁体的间隙，并且将产品间的偏差收敛于一定的范围内。磁传感器(10)具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)的表面垂直的方式搭载于基板的传感器芯片(20)、和以表面(31)与元件形成面(20a)相对的方式搭载于基板的集磁体(30)。集磁体(30)具有位于表面(31)的相反侧的表面(32)，表面(31、32)两者被平坦化。由此，缩小元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙，并且产品间的偏差降低。而且，因为表面(32)也被平坦化，所以在向基板(2)搭载集磁体(30)时，相对于传感器芯片的方向性不存在，也提高组装时的作业效率。
传感器及其制造方法

[发明专利]磁传感器及其制造方法-CN202180056999.X在审
发明人：山地勇一郞;原川修;龟野诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明的磁传感器以将产品间的偏差收敛于一定的范围内的方式，基于集磁体的表面性，控制产生于元件形成面和集磁体之间的间隙的大小。具备以元件形成面(20a)相对于基板(2)垂直的方式搭载的传感器芯片(20)和以表面(31)与基板(2)相对且表面(32)与元件形成面(20a)相对的方式搭载的集磁体(30)。集磁体(30)中，表面(32)的算术平均波度Wa为0.1μm以下。这样，如果与元件形成面(20a)相对的集磁体(30)的表面(32)的算术平均波度Wa被平坦化为0.1μm以下，则能够大幅降低元件形成面(20a)和集磁体(30)的间隙引起的检测灵敏度的降低，并且可以大幅抑制产品间的检测灵敏度的偏差。
传感器及其制造方法

[发明专利]磁场检测装置和磁场检测装置阵列-CN202180039882.0在审
发明人：龟野诚;恶七泰树;福井崇人;山地勇一郎;原川修;笠岛多闻 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01R33/025 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在将磁场检测装置呈阵列状排列的情况下使磁场检测装置的个数和布局的变更变得容易。磁场检测装置(1)包括：卷绕于绕线架(10)的消除线圈(C2)；固定于绕线架(10)、从与轴向垂直的方向覆盖消除线圈(C2)的罩盖部件(100)；和固定于绕线架(10)或罩盖部件(100)的磁传感器(S21～S24)。罩盖部件(100)具有沿z轴方向延伸且彼此位于相反侧的侧面(110、120)。在侧面(110、120)分别设置有第一和第二卡合部，第一卡合部的形状是能够与第二卡合部的形状卡合的形状。由此，能够排列任意个数的磁场检测装置。
磁场检测装置阵列

[发明专利]磁场检测装置和磁场检测装置阵列-CN202180038524.8在审
发明人：福井崇人;笠岛多闻;山地勇一郎;恶七泰树;原川修;龟野诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：在不使用屏蔽室而能够检测微弱的磁场的磁场检测装置中，削减部件数量，并且简化电路结构。磁场检测装置(1)具备：卷绕于绕线管(10)的卷芯部(13)的消除线圈(C2)；固定于绕线管(10)的相互不同的位置的磁传感器(S1、S21～S24)；以及反馈电路(31)，其通过根据磁传感器(S1)的输出信号使消除电流流过消除线圈(C2)，来抵消消除空间的环境磁场。磁传感器(S21～S24)配置于消除空间内。这样，对于磁传感器(S1、S21～S24)使用共用的消除线圈(C2)，因此能够削减部件数量，并且能够简化电路结构。
磁场检测装置阵列

[发明专利]磁传感器-CN202210241929.8在审
发明人：山地勇一郎;原川修;龟野诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，在具有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器中，提高磁场的检测灵敏度。本发明的磁传感器(10)具备：传感器芯片(20)，其具有磁性体层(M1～M3)以及磁敏元件(R1～R4)；聚磁体(30)，其覆盖磁性体层(M1)；以及聚磁体(40)，其包含覆盖传感器芯片(20)的背面(22)的主体部(A)、覆盖传感器芯片的侧面(23、24)的突出部(B1、B2)、和覆盖磁性体层(M2、M3)的突出部(C1、C2)。突出部(C1、C2)具有面向磁性体层(M2、M3)的内面(47)，内面(47)的平坦性高于聚磁体(40)的其他至少一个表面。如上所述，由于聚磁体(40)的内面(47)的平坦性提高，因此，能够减小聚磁体(40)的内面(47)与传感器芯片(20)的间隙，由此能够提高磁场的检测灵敏度。
传感器

[发明专利]磁传感器-CN202080090670.0在审
发明人：黑木康二;小野寺郁人;原川修;龟野诚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明要解决的技术问题是，在包括磁阻带和铁磁性膜的磁传感器中，通过使磁阻带与铁磁性膜磁耦合，提高施加至磁阻元件的磁偏置。解决手段是，磁传感器(1)具备：磁阻带(S)；覆盖磁阻带(S)的绝缘膜(13)；和铁磁性膜(M1、M2)，其设置在绝缘膜(13)上，隔着在y方向上延伸的磁隙(G)在x方向上排列。铁磁性膜(M1、M2)隔着绝缘膜(13)与多个硬磁性体(H)重叠。由此，因为相邻的2个硬磁性体(H)经铁磁性膜(M1、M2)磁耦合，所以，不使硬磁性体(H)大型化就能够提高施加至磁阻元件(R)的磁偏置。
传感器

[发明专利]光学器件的耦合结构及耦合方法-CN201810167773.7有效
发明人：高山清市;阿部清彥;藤井隆司;本田隆;陈世雄;原川修 -专利权人：新科实业有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学器件的耦合结构包括第一光学器件、第二光学器件和耦合焊料层。第一光学器件包括透镜光纤、支撑所述透镜光纤的第一支架和形成于第一支架的第一连接端面上的第一金属层。第二光学器件包括波导、支撑所述波导的第二支架和形成于所述第二支架的第二连接端面上的第二金属层，所述第二金属层与所述第一光学器件连接。所述耦合焊料层直接与所述第一金属层和第二金属层接触，并且由焊料形成。
光学器件耦合结构方法

[发明专利]磁头污点检测方法和装置-CN200410063945.4有效
发明人：高贯一明;金子正明;原川修 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11B5/455 文献下载
摘要：提供一种检测磁头的污点的方法和装置，其中通过测量在集成有磁头主体部分的滑块的垫片和防护装置之间的电阻值，使得有可能在磁头装配之前检测污点产生，并且另外，吞吐量也会增加。检测磁头污点的方法包括：测量在具有集成磁头主体部分的滑块的垫片之间的，或者在垫片和与磁头主体部分的防护装置相连的导体部分之间的电阻值，以由此检测污点产生。
磁头污点检测方法装置