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[发明专利]半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法-CN202310594076.0在审
发明人：并木拓海;原口高之;施仁杰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本申请涉及半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。提供尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的洗涤性能优异、且闪点高的用于半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。洗涤液，其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物、及水的用于半导体基板或装置的洗涤液，该水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。洗涤方法，所述洗涤方法包括下述步骤：使用该洗涤液，从半导体基板或装置将在该半导体基板上形成的残余物或膜、或者在该装置上附着的残余物或膜进行洗涤，所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
半导体装置洗涤液洗涤方法

[发明专利]半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法-CN201780014217.X在审
发明人：并木拓海;原口高之;施仁杰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供尤其是将由含有硅原子的无机物形成的残余物或膜除去的洗涤性能优异、且闪点高的用于半导体基板或装置的洗涤液及洗涤方法。洗涤液，其是含有水溶性有机溶剂、季铵氢氧化物、及水的用于半导体基板或装置的洗涤液，该水溶性有机溶剂是闪点为60℃以上的二醇醚系溶剂或非质子性极性溶剂。洗涤方法，所述洗涤方法包括下述步骤：使用该洗涤液，从半导体基板或装置将在该半导体基板上形成的残余物或膜、或者在该装置上附着的残余物或膜进行洗涤，所述残余物或膜是由选自由抗蚀剂、及含有硅原子的无机物组成的组中的至少1种形成的。
半导体基板洗涤液洗涤残余物无机物水溶性有机溶剂硅原子闪点非质子性极性溶剂二醇醚系溶剂季铵氢氧化物洗涤性能抗蚀剂附着自由

[发明专利]光致抗蚀剂用剥离液以及使用该剥离液的基板处理方法-CN200710112536.2无效
发明人：熊泽明;大桥卓矢;泽田佳宏;原口高之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂用剥离液，所述抗蚀剂用剥离液不腐蚀基板发生、且能有效地除去光致抗蚀剂膜，所述基板为形成了含有银的金属层的基板以及形成了还含有其他金属的金属层的基板。本发明提供一种光致抗蚀剂用剥离液，所述光致抗蚀剂用剥离液含有0.5质量％以上20质量％以下(A)N，N－二乙基羟基胺、10质量％以上90质量％以下(B)烷醇胺以及10质量％以上90质量％以下(C)水溶性有机溶剂。
光致抗蚀剂用剥离以及使用处理方法

[发明专利]清洁组合物、清洁半导体基底的方法以及在半导体基底上形成配线的方法-CN200480017132.X有效
发明人：横井滋;胁屋和正;原口高之;M·A·赫斯塞恩;L·I·乔恩格;S·C·克拉克 -专利权人：东京応化工业株式会社;英特尔公司
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C11D11/00 文献下载
摘要：一种清洁组合物，包含至少氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、抗蚀剂和占溶液总量的1重量％或更低的氢氧化钾。该清洁组合物可以单独有效地从半导体基底表面去除光刻胶薄膜、隐埋材料和金属残余物。
清洁组合半导体基底方法以及形成

[发明专利]剥离洗涤液、半导体基板洗涤方法以及金属布线形成方法-CN200510051838.4无效
发明人： 原口高之;横井滋;胁屋和正 -专利权人：东京応化工业株式会社
申请日： 2005-01-21 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C11D7/28 文献下载
摘要：提供一种剥离洗涤液，其不会过度腐蚀金属布线图案的侧壁和形成布线上面的金属层，能够良好地剥离布线上面的难剥离性堆积物。该剥离洗涤液的特征在于，至少含有氟化合物、水溶性有机溶剂、水以及相对于总量0.1～20质量％的二齿配体。或者，其特征在于，至少含有碱性水溶液、选自具有羧基的有机化合物及其酸酐中的至少一种、水以及相对于总量0.5～10质量％的二齿配体。
剥离洗涤液半导体洗涤方法以及金属布线形成

[发明专利]光致抗蚀剂剥离方法-CN03809298.0无效
发明人：横井滋;胁屋和正;原口高之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗蚀剂剥离方法，所述方法包括以下步骤：(I)在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上设置光致抗蚀剂图案，以该光致抗蚀剂图案为掩模，选择性地蚀刻低电介质层的步骤；(II)使经过上述步骤(I)的基板接触臭氧水及/或过氧化氢水的步骤；以及(III)使经过上述步骤(II)的基板接触至少含有季铵氢氧化物的光致抗蚀剂用剥离液的步骤。根据本发明，能够提供一种光致抗蚀剂剥离方法，在双金属镶嵌法等在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上形成微细图案的过程中，即使在不进行O₂等离子去胶处理的处理过程中，也能够有效地剥离蚀刻后的光致抗蚀剂膜、蚀刻残渣，而且对低电介质层的介电常数无不良影响，防腐蚀性也优良。
光致抗蚀剂剥离方法

[发明专利]用于形成防反射膜的涂布液组合物、光刻胶层合体以及光刻胶图案的形成方法-CN03136946.4无效
发明人：胁屋和正;久保田尚孝;横井滋;原口高之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-05-23 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：公开了一种用于形成防反射膜的涂布液组合物、光刻胶层合体以及光刻胶图案形成方法。所说的用于形成防反射膜的涂布液组合物是用于形成在与ArF准分子激光相对应的正型光刻胶层上层合的防反射膜的涂布液组合物，其中含有(a)水溶性膜形成成分、(b)碳原子数为4以上的全氟烷基羧酸和碳原子数为5以上的全氟烷基磺酸中的至少1种含氟化合物、(c)由(c－1)碳原子数1～4的氟代烷基磺酸、和/或(c－2)1个以上的氢原子被氟代烷基磺酰基取代的碳原子数1～4的烃(烃基中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)构成的酸性化合物。本发明提供一种在使用与ArF准分子激光相对应的光刻胶来形成极微细光刻胶图案的过程中，用于形成图案头部形状的改善效果优良的上层防反射膜的涂布液组合物。
用于形成反射涂布液组合光刻合体以及图案方法