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[实用新型]一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构-CN201920102072.5有效
发明人：董延;李马惠;穆瑶;卫思逸;杨亚楠;任鹏强;伍成阳;韦盼;焦富翔 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构，包括基板、分布式反馈‑多量子阱、电吸收‑多量子阱、光栅层、电隔离区和包层；基板的上表面并排设置有分布式反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱，分布式反馈‑多量子阱的末端和电吸收‑多量子阱的首端相接；反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱的上表面设置有光栅层，光栅层上方沉积设置有包层；包层上刻蚀设置有电隔离区；本实用新型实现了对信道切换间的窜扰的隔离。本实用新型芯片的可关断功率可以达到‑20dBm～‑60dBm，满足光信号隔离要求。
多量子阱电吸收分布式反馈光栅层包层关断半导体激光器芯片本实用新型电隔离区连续调谐上表面基板并排设置信道切换信号隔离刻蚀首端沉积隔离芯片反馈

[发明专利]一种小发散角激光器及其制备工艺-CN201710439725.4有效
发明人：李马惠;潘彦廷;师宇晨;王兴;穆瑶;卫思逸;张海超 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种小发散角激光器及其制备工艺，包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有发散角改善层；衍射光栅层和发散角改善层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，发散角改善层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层，通过改变出光端面附件的材料而来改善发散角，由于其并不改变激光器原有结构且不存在光波导形貌与耦光控制问题，因此实现的工艺简单，可接受的容错范围大，且不改变原有激光器本身的特性。
一种发散激光器及其制备工艺

[实用新型]一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器-CN201720677164.7有效
发明人：师宇晨;潘彦廷;李马惠;穆瑶;卫思逸;赵小亮;杨旗;韦盼;杨亚楠;杨英 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，包括衬底以及设置在衬底上表面的量子阱，量子阱出光端对接生长有晶体外延生长InP，本实用新型的有益效果是在不增加激光器芯片的阈值电流的前提下，通过在传统边射型激光器端面长一层15um宽的InP(磷化铟)，从而可以减少出光发散角，使远场光场变小，提高耦光效率，同时由于量子阱的结构没有发生改变，量子阱区的光局限因子也不改变，因此激光器芯片的阈值电流也不会增加。此结构借由晶体二次外延技术得以实现，解决了传统边射型半导体激光器芯片为了实现低的阈值电流，通常会使光尽可能多的被束缚在量子阱(铟镓砷磷)区，但光在量子阱区被束缚的越强烈，在激光器出光端面，形成的发散角就会越大，远场光场就越大，导致耦光率降低的问题。
一种改善发散对接半导体激光器

[实用新型]一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片-CN201720678133.3有效
发明人：李马惠;潘彦廷;卫思逸;王昱玺;冯旭超;穆瑶;师宇晨;王兴;罗俊岗;刘从军;张海超;王娜;党晓亮 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片，包括基板，基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW，DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接，DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层，DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5～0.8，通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层，大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性，有了这种结构后，EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面，也能够达到抗反射特性，从而降低了制造工艺复杂性，降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。
一种反射吸收调制半导体激光器芯片

[实用新型]一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器-CN201720678138.6有效
发明人： 卫思逸;李马惠;潘彦廷;刘拓;陈发涛;冯旭超;赵小亮;杨旗;韦盼;孙娟娟 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，包括衬底和设置在衬底底面的N面电极层，量子阱层包括端面对接的第一量子阱和第二量子阱；在同一结构层上具有相同厚度的两种量子阱结构，此结构的设计合理，能有效保证制造工艺的方便，前端工序仅需要生长一个单量子阱结构，在后端工序利用一系列常规工艺即可实现在同一结构层上由单量子阱结构变为双量子井结构；由于本实用新型的光吸收区为另外一种量子阱结构，因此发光区的光栅设计可以保持在最佳发光增值位置，达到最大出光强度，具有较低的阈值电流；另外由于发光区量子阱和光吸收区量子阱位于同一结构层，在界面出的光耦合损失非常低，光耦合效率近似100％，光开关状态间的明灭比较高，约为10dB左右。
一种具有量子结构吸收激光器